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【要約】

【課題】
スペクトルの広帯域化以前に周波数を指定し、単純な光共振器を参照するだけで、その絶対周波数を制御した所望の広帯域離散スペクトルを発生する。

【解決手段】
レーザー光源１１から出射された二波長の励起レーザー光が入射される光共振器１２を通過した励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御する制御部１３により、上記二波長の励起レーザー光の周波数を光共振器１２の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器１２のフリースペクトルレンジ（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とする制御を行い、広帯域離散スペクトル生成用セル１４により、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質１４Ａにおける差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生する。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
二波長の励起レーザー光を出射するレーザー光源と、
上記レーザー光源から出射された二波長の励起レーザー光が入射される光共振器と、
上記光共振器を通過した二波長の励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御する制御部と、
上記制御部により周波数が制御された上記二波長の励起レーザー光が上記レーザー光源から入射される非線形媒質を含む広帯域離散スペクトル生成用セルとを備え、
上記制御部により、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を上記光共振器の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器のフリースペクトルレンジ（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とし、
上記広帯域離散スペクトル生成用セルにより、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質における差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生することを特徴とする広帯域離散スペクトル発生装置。

【請求項２】
上記広帯域離散スペクトル生成用セルは、非線形媒質としてラマン媒質を含むことを特徴とする請求項１記載の広帯域離散スペクトル発生装置。

【請求項３】
二波長の励起レーザー光が入射される非線形媒質を含む広帯域離散スペクトル生成用セルにより、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質における差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生する広帯域離散スペクトル発生装置の周波数制御方法であって、
上記二波長の励起レーザー光を出射するレーザー光源から出射された二波長の励起レーザー光を光共振器に入射させ、
上記光共振器を通過した二波長の励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御し、
上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を上記光共振器の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器の自由スペクトル間隔（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とすることを特徴とする広帯域離散スペクトル発生装置の周波数制御方法。

【要約】

【課題】
ホタルルシフェリン類似構造を有する化合物。より詳細には、天然のホタルルシフェリンとは異なる発光波長で発光する複素環化合物の提供。

【解決手段】
以下の一般式

の複素環化合物。上記一般式において、R1、R2およびR3は、それぞれ独立してHまたはC1-4アルキルであることができる。上記一般式において、XおよびYは、それぞれ独立してC、N、SまたはOであることができる。上記一般式において、「n」として表されたオレフィン鎖部分は、所望の長さに変更することができる。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
以下の一般式Iの複素環化合物またはその塩：

式中、
R1、R2およびR3は、それぞれ独立してHまたはC1-4アルキルであり、
XおよびYは、それぞれ独立してC、N、SまたはOであり、
nは、0、1、2または3である。

【請求項２】
R1、R2およびR3がそれぞれ独立してHまたはC1-4アルキルであり、
XがNであり、
YがSであり、並びに、
nが0、1、2または3である、
請求項1に記載の複素環化合物またはその塩。

【請求項３】
R1およびR2がそれぞれメチルであり、
R3がHであり、
XがNであり、
YがSであり、並びに、
nが0、1、2または3である、
請求項1に記載の複素環化合物またはその塩。

【請求項４】
nが0、1または2である、
請求項1に記載の複素環化合物またはその塩。

【請求項５】
請求項1～7のいずれか1項に記載の化合物をATPおよびMg2+と共に含む、発光検出のためのキット。

【請求項６】
請求項1～7のいずれか1項に記載の化合物を発光甲虫ルシフェラーゼと反応させる工程と、該化合物からの発光を検出する工程とことを含む、発光検出方法。

【要約】

【課題】
単一電子トランジスタアナログ／ディジタル変換素子を実現する。

【解決手段】
本発明によれば、単一電子トランジスタ部のゲート側の伝導島に、結合用コンデンサを介して微小絶縁層を挟むように一対の導電層を接合したゲート電極側接合部の伝導島を接続し、入力電圧の変化に応じてゲート電極側接合部の微小絶縁層にトンネル動作を生じさせることによって伝導島を介して結合コンデンサに電荷を分配し、当該結合コンデンサの電荷量ａの変化に基づいて単一電子トランジスタ部をトンネル動作させることにより、アナログ入力電圧から離散的なレベル変化をするディジタル出力を得ることができるアナログ－ディジタル変換素子を実現できる。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
ドレイン電極側接合部とソース電極側接合部との接続部分に第１の伝導島を形成してなる単一電子トランジスタ部と、
微小絶縁層を挟むように一対の導電層を接合したゲート電極側接合部を有し、上記一対の導電層の一方に入力電圧を受けると共に他方を第２の伝導島に接続してなる量子化器部と、
上記量子化器部の上記第２の伝導島と上記単一電子トランジスタ部の上記第１の伝導島とを結合する結合用コンデンサと
を具えることを特徴とするアナログ－ディジタル変換素子。

【請求項２】
上記量子化器部の上記第２の伝導島の浮遊容量により形成された入力側容量の容量値と、上記結合用コンデンサの容量値とを等しい値に選定した
ことを特徴とする請求項１に記載のアナログ－ディジタル変換素子。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
互いに位相が逆の１対の信号がそれぞれに入力される第１及び第２ノードと、
キャリア増幅器と、
前記キャリア増幅器の入力と前記第１ノードとの間に接続された第１伝送線路と、
前記第２ノードに入力が接続されたピーク増幅器と、
伝送線路バランと、
第２伝送線路
とを備え、
前記伝送線路バランは、
負荷が接続される第１及び第２非平衡ポートと、
第１及び第２平衡ポートと、
前記第１非平衡ポートと前記第１平衡ポートの間に接続された、電気長が４分の１波長である第１バラン内伝送線路と、
前記第２非平衡ポートと前記第２平衡ポートの間に接続された、電気長が４分の１波長である第２バラン内伝送線路
とを含み、
前記第１平衡ポートが、前記キャリア増幅器の出力に接続され、
前記第２平衡ポートが、前記第２伝送線路を介して前記ピーク増幅器の出力に接続され、
前記第１伝送線路と前記第２伝送線路の電気長は、前記第１平衡ポートに入力される信号と前記第２平衡ポートに入力される信号とが、互いに位相が反転した１対の平衡信号を構成するように決定され、
前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅器の出力インピーダンスが、前記第１及び第２非平衡ポートに接続される前記負荷のインピーダンスの２分の１である
ドハティ増幅回路。

【請求項２】
請求項１に記載のドハティ増幅回路であって、
前記第１伝送線路及び前記第２伝送線路の電気長が、４分の１波長である
ドハティ増幅回路。

【請求項３】
請求項１に記載のドハティ増幅回路であって、
前記第２伝送線路の電気長は、前記ピーク増幅器が動作していないときに前記第２平衡ポートから前記ピーク増幅器の出力を見たインピーダンスが最小であるように調節されて
いる
ドハティ増幅回路。

【請求項４】
請求項１に記載のドハティ増幅回路であって、
更に、
前記第１ノードと前記キャリア増幅器の入力の間に、前記第１伝送線路に直列に接続された第３伝送線路と、
前記ピーク増幅器の出力と前記第２平衡ポートの間に、前記第２伝送線路に直列に接続され、前記第３伝送線路と同一の電気長を有する第４伝送線路
とを具備し、
前記第１伝送線路及び前記第２伝送線路の電気長が４分の１波長であり、
前記第４伝送線路の電気長は、前記ピーク増幅器が動作していないときに前記第２平衡ポートから前記ピーク増幅器の出力を見たインピーダンスが最小であるように調節されて
いる
ドハティ増幅回路。

【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のドハティ増幅回路であって、
更に、
前記キャリア増幅器の出力と前記第１平衡ポートとの間に接続された第５伝送線路と、
前記第２ノードと前記ピーク増幅器の入力との間に接続された、前記第５伝送線路と同一の電気長を有する第６伝送線路
とを具備する
ドハティ増幅回路。

【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のドハティ増幅回路であって
更に、
信号源から受け取った入力信号から前記１対の信号を生成する分配回路を備える
ドハティ増幅回路。

【請求項７】
請求項６に記載のドハティ増幅回路であって、
前記分配回路が、バラン、ラットレースリング、１８０度方向性結合器、又は、９０度方向性結合器と１／４波長伝送線路の組み合わせのいずれかで構成された
ドハティ増幅回路。

【要約】

【課題】
円盤形状の強磁性体から成り、磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットにおけるコアの向きを反転させる簡便な方法を提供する。

【解決手段】
強磁性ドットの径方向に、該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給する。望ましくは、各パルス電流を強磁性ドットの径方向の両端部から交互に供給すると良い。パルス電流を複数回を供給することにより、比較的低い電流密度でコアを反転させることができるから、素子の破損を防止することができる。電流密度、パルス長を適宜に決定しておくことによって、コアの向きを一回だけ反転させることができる。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットのコアの向きを反転させる方法であって、
強磁性ドットの径方向に該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給することにより、強磁性ドットのコアの向きを反転させる
ことを特徴とする強磁性ドットのコア反転方法。

【請求項２】
前記各パルス電流を、前記強磁性ドットの径方向の両端部から交互に供給する
ことを特徴とする請求項１に記載のコア反転方法。

【請求項３】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットにおけるコアの向きを制御する方法であって、
該強磁性ドットの周囲において該周囲を略三等分する各位置に、第一電流供給部、第二電流供給部、及び接地部を設けておき、
該第一電流供給部より該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数の交流電流を供給するとともに、
該第二電流供給部より該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数を有し、該第一電流供給部から供給される交流電流に対して位相が120°又は-120°ずれた交流電流を供給することにより、該位相のずれに応じた方向にコアの向きを決定する
ことを特徴とする、強磁性ドットのコアの向き制御方法。

【請求項４】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットと、
該強磁性ドットの径方向に、該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給するパルス電流供給部と、
を備えることを特徴とする強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項５】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットと、
該強磁性ドットの周囲を三等分する各位置に、
該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数の交流電流を供給する第一電流供給部と、
該強磁性ドットの共振周波数と等しい周波数を有し、該第一電流供給部から供給される交流電流に対して位相が120°又は-120°ずれた交流電流を供給する第二電流供給部と、
接地部と、
を備えることを特徴とする強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項６】
前記強磁性ドットが、平面形状が直径50μm以下の略円形であって厚みが1μm以下である円盤形状であることを特徴とする請求項４又は５に記載の強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項７】
コアの向きを読み出す読出し部を更に備えたことを特徴とする請求項４～６のいずれかに記載の強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項８】
請求項７に記載の強磁性ドットのコア利用素子を複数並べたことを特徴とする情報記録素子。