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【特許請求の範囲】

【請求項１】
５ポート接合や６ポート接合などの２つの入力ポートと３つ以上の出力ポートを備える線形回路であって各出力ポートから出てくる波が前記２つの入力ポートに入る波の線形式で表される線形回路（以下、「線形マルチポート」と記す）に関して、前記線形マルチポートに固有の値であるシステムパラメータを測定する方法であって、
互いに位相が異なる第１の波、第２の波及び第３の波を用意し、前記線形マルチポートの一方の入力ポート１に予め定められた波（以下、「基準波ａ1」と記す）を入れ、他方の入力ポート２に前記第１の波、第２の波又は第３の波のいずれか（以下、「測定波ａ2」と記す）を入れたときの、前記基準波ａ1に対する前記第１の波、第２の波、第３の波の複素振幅比をそれぞれＷ0、Ｗ1、Ｗ2（ただし、Ｗ＝ａ2／ａ1）に設定する位相設定ステップと、
前記線形マルチポートの一方の入力ポート１に前記基準波ａ1を入れるとともに、他方の入力ポート２を整合終端する基準電力測定準備ステップと、
前記線形マルチポートの各出力ポートの電力を測定し、それらを基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・とする基準電力測定ステップと、
前記他方の入力ポート２の整合終端を外し、前記他方の入力ポート２に前記第１の波、第２の波、第３の波を順次加え、それぞれの波に対応する各出力ポートの電力｛Ｐ30、Ｐ40、Ｐ50・・・｝｛Ｐ31、Ｐ41、Ｐ51・・・｝｛Ｐ32、Ｐ42、Ｐ52・・・｝を順次測定する電力測定ステップと、
前記第１の波、第２の波、第３の波に対応して測定された前記各出力ポートの電力｛Ｐ30、Ｐ40、Ｐ50・・・｝｛Ｐ31、Ｐ41、Ｐ51・・・｝｛Ｐ32、Ｐ42、Ｐ52・・・｝を前記基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・で正規化する正規化ステップと、
正規化された前記各出力ポートの電力、及び、前記複素振幅比Ｗ0、Ｗ1、Ｗ2に基づき前記システムパラメータｋhを計算するか、又は、正規化された前記各出力ポートの電力、前記第１の波と第２の波の位相差ψ01及び前記第１の波と第３の波の位相差ψ02に基づき前記システムパラメータｋhの比hｋiを計算することのいずれかを行うシステムパラメータ計算ステップと、を備える線形マルチポートのシステムパラメータ測定方法。

【請求項２】
線形マルチポートに固有の値であるシステムパラメータを測定する方法であって、
前記線形マルチポートの一方の入力ポート１に基準波ａ1を入れるとともに、他方の入力ポート２を整合終端する基準電力測定準備ステップと、
前記線形マルチポートの各出力ポートの電力を測定し、それらを基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・とする基準電力測定ステップと、
前記他方の入力ポート２の整合終端を外し、前記他方の入力ポート２にショートの標準器を接続し、そのときの第１の反射波に対する各出力ポートの電力｛Ｐ30、Ｐ40、Ｐ50・・・｝を測定するとともに、測定された当該電力を前記基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・で正規化する第１電力測定正規化ステップと、
前記他方の入力ポート２に第１固定移相器を接続し、さらにこれにショートの標準器を接続し、そのときの第２の反射波に対する各出力ポートの電力｛Ｐ31、Ｐ41、Ｐ51・・・｝を測定するとともに、測定された当該電力を前記基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・で正規化する第２電力測定正規化ステップと、
前記他方の入力ポート２に第１固定移相器及びこれに直列に接続された第２固定移相器を接続し、さらにこれにショートの標準器を接続し、そのときの第３の反射波に対する各出力ポートの電力｛Ｐ32、Ｐ42、Ｐ52・・・｝を測定するとともに、測定された当該電力を前記基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・で正規化する第３電力測定正規化ステップと、
正規化された前記各出力ポートの電力、及び、前記第１の反射波、第２の反射波、第３の反射波の反射係数Γ0、Γ1、Γ2に基づき前記システムパラメータｋhを計算するか、又は、正規化された前記各出力ポートの電力、前記第１の反射波と前記第２の反射波の位相差ψ01及び前記第１の反射波と前記第３の反射波の位相差ψ02に基づき前記システムパラメータｋhの比hｋiを計算することのいずれかを行うシステムパラメータ計算ステップと、を備える線形マルチポートのシステムパラメータ測定方法。

【請求項３】
前記システムパラメータ計算ステップは、下記の式（１９）により前記システムパラメータｋhを計算することを特徴とする請求項１記載の線形マルチポートのシステムパラメータ測定方法。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください）

【特許請求の範囲】

【請求項１】
バンドギャップＥｇが、
３．８７ｅＶ≦Ｅｇ≦４．１３ｅＶ
であることを特徴とするアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項２】
液体中のルチル型酸化チタンからなる原料にパルスレーザー光を照射することにより生成されたことを特徴とする請求項１に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項３】
直径が２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項４】
液体中に載置されたルチル型酸化チタン単結晶からなる原料にパルスレーザー光を照射する工程を備え、
前記原料に照射されるレーザーフルエンスｆが、
ｆ≧０．２５Ｊ／ｃｍ２
であることを特徴とするアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項５】
レーザーフルエンスｆの大きさに基づいて生成されるアナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項４に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項６】
ｌｏｇ１０Ｙ＝ａ×ｆ＋ｂ
ａ，ｂ：定数
に基づいて、パルスレーザー光１パルスで生成されるチタンイオンの量Ｙを制御することにより、アナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項５に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項７】
原料と液体の液面との距離Ｄに基づいて生成されるアナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項４に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。
【請求項８】
ｌｏｇ１０Ｘ＝ｃ×Ｄ＋Ａ
ｃ：定数
Ａ：誤差
に基づいて、単位レーザーフルエンス（＝１Ｊ／ｃｍ２）当たりで生成されるチタンイオンの量Ｘを制御することにより、アナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項７に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項９】
前記液体は、蒸留水であることを特徴とする請求項４～請求項８のいずれか１項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項１０】
前記液体は、アンモニア水であることを特徴とする請求項４～請求項８のいずれか１項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【要約】

【課題】プログラムをより安定して維持・改良すること。

【解決手段】対象プログラムを実行する実行手段（２０）と、所定の記憶手段に記憶された削除待ち行列に従って対象プログラムを削除する削除手段（２２）と、実行終了した対象プログラムについて、数値化された実行結果が目標値と合致した場合に最大値を評価値として出力すると共に数値化された実行結果が目標値から離れるに従って小さくなる値を評価値として出力する傾向を有する評価関数によって、評価を行なう評価手段（２４）と、評価手段による評価値に基づいて、対象プログラムの前記削除待ち行列における削除順位を変更する削除順位変更手段（２６）と、評価手段による評価値に基づいて、対象プログラムを複製する複製手段（２８）と、を備えるプログラムの維持・改良システム（１）。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
対象プログラムを実行する実行手段と、
所定の記憶手段に記憶された削除待ち行列に従って前記対象プログラムを削除する削除手段と、
実行終了した前記対象プログラムについて、数値化された実行結果が目標値と合致した場合に最大値を評価値として出力すると共に数値化された実行結果が目標値から離れるに従って小さくなる値を評価値として出力する傾向を有する評価関数によって、評価を行なう評価手段と、
前記評価手段による評価値に基づいて、前記対象プログラムの前記削除待ち行列における削除順位を変更する削除順位変更手段と、
前記評価手段による評価値に基づいて、前記対象プログラムを複製する複製手段と、
を備えるプログラムの維持・改良システム。

【請求項２】
前記削除順位変更手段は、前記評価手段による評価値が前記最大値である場合に、該評価された対象プログラムの前記削除待ち行列における削除順位が下がるように、前記対象プログラムの前記削除待ち行列における削除順位を変更する手段である、請求項１に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項３】
前記対象プログラムに変異を生じさせる変異処理手段を備える、請求項１又は２に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項４】
前記評価関数の設定又は変更に関する外部からの入力を受け付ける評価関数入力受付手段を備える、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項５】
前記評価手段の評価値を記憶する評価値記憶手段を備え、
前記複製手段は、前記評価値記憶手段に記憶された評価値の履歴に基づいて、前記対象プログラムを複製する手段である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項６】
前記複製手段は、前記評価値記憶手段に記憶された評価値の累計値に基づく値が所定の複製基準値を超えた場合に対象プログラムを複製する手段である、請求項５に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項７】
前記評価関数は、最低値として累計可能な値を出力する関数である、請求項６に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項８】
宇宙空間で使用されることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項９】
前記変異処理手段は、自己の作動に依らない対象プログラムの変異発生率に応じて前記対象プログラムに変異を生じさせる確率を変更する手段である、請求項３、又は請求項３に係る請求項４ないし８のいずれか１項に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項１０】
コンピュータを、請求項１ないし９のいずれか１項に記載のプログラムの維持・改良システムとして機能させるための、コンピュータ読み取り可能なプログラム

【特許請求の範囲】

【請求項１】
ほぼ同一の所定の発振周波数で発振可能な複数の発振素子を電磁的にアレー状に結合した発振素子アレーと、
前記発振素子アレーの一方の端に位置する発振素子に対して、前記発振周波数より大きく、かつ各発振素子が同期する周波数範囲から外れた周波数の外部同期信号を注入し、また、前記発振素子アレーの他方の端に位置する発振素子に対して、前記発振周波数より小さく、かつ各発振素子が同期する周波数範囲から外れた周波数の外部同期信号を注入する同期信号注入手段と、を有し、
前記発振素子アレーの少なくとも端に位置する前記発振素子を除く複数の発振素子を有効として出力を得る、
ことを特徴とする発振素子アレーの発振位相制御装置。

【請求項２】
前記発振素子アレーのうち有効とされた複数の発振素子（以下、「有効発振素子」と称す。）の自然角速度をΩ、前記有効発振素子の自然角速度に対する前記発振素子アレー端に位置する発振素子の角速度の変位量を±Δω、前記発振素子アレー端に位置する発振素子に印加される変調信号をＡｉｎｊsin（Ω±Δω）ｔとしたとき、隣接する有効発振素子間の位相差Δφが、
Δφ＝ｓｉｎ－１（Ａｉｎｊ２／２Δω）
で表され、ただし、｜Δω｜＞１に選定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の発振素子アレーの発振位相制御装置。

【請求項３】
前記有効発振素子はそれぞれ個別にアンテナ装置と接続しており、前記有効発振素子の出力に基づいて前記アンテナ装置の指向性を制御する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発振素子アレーの発振位相制御装置。

【請求項４】
複数の発振素子を電磁的にアレー状に結合して発振素子アレーを配し、
各発振素子の発振周波数を所定の周波数に選択し、
前記発振素子アレーの一方の端に位置する発振素子に対して、前記発振周波数より大きく、かつ各発振素子が同期する周波数範囲から外れた周波数の外部同期信号を注入し、
同時に、前記発振素子アレーの他方の端に位置する発振素子に対して、前記発振周波数より小さく、かつ各発振素子が同期する周波数範囲から外れたる周波数の外部同期信号を注入し、
前記発振素子アレーの少なくとも端に位置する発振素子を除く複数の発振素子を有効として出力を得る、
ことを特徴とする発振素子アレーの発振位相制御方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
サファイア単結晶を含む基体を、触媒なしで、常圧の炭化水素ガス含有雰囲気中で１０００℃以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程を有することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項２】
前記加熱時間は６０分以上であることを特徴とする請求項１記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項３】
前記加熱時間経過後、前記炭化水素ガスの供給を停止し、後処理用のガスを供給しつつ温度を徐々に低下させる工程をさらに有することを特徴とする請求項１または２記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項４】
前記炭化水素ガスは、プロパンを含有するガスであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項５】
前記炭化水素ガスに水素ガスを混合することを特徴とする請求項４記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。