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【特許請求の範囲】

【請求項１】
バンドギャップＥｇが、
３．８７ｅＶ≦Ｅｇ≦４．１３ｅＶ
であることを特徴とするアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項２】
液体中のルチル型酸化チタンからなる原料にパルスレーザー光を照射することにより生成されたことを特徴とする請求項１に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項３】
直径が２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項４】
液体中に載置されたルチル型酸化チタン単結晶からなる原料にパルスレーザー光を照射する工程を備え、
前記原料に照射されるレーザーフルエンスｆが、
ｆ≧０．２５Ｊ／ｃｍ２
であることを特徴とするアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項５】
レーザーフルエンスｆの大きさに基づいて生成されるアナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項４に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項６】
ｌｏｇ１０Ｙ＝ａ×ｆ＋ｂ
ａ，ｂ：定数
に基づいて、パルスレーザー光１パルスで生成されるチタンイオンの量Ｙを制御することにより、アナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項５に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項７】
原料と液体の液面との距離Ｄに基づいて生成されるアナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項４に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。
【請求項８】
ｌｏｇ１０Ｘ＝ｃ×Ｄ＋Ａ
ｃ：定数
Ａ：誤差
に基づいて、単位レーザーフルエンス（＝１Ｊ／ｃｍ２）当たりで生成されるチタンイオンの量Ｘを制御することにより、アナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項７に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項９】
前記液体は、蒸留水であることを特徴とする請求項４～請求項８のいずれか１項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項１０】
前記液体は、アンモニア水であることを特徴とする請求項４～請求項８のいずれか１項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
サファイア単結晶を含む基体を、触媒なしで、常圧の炭化水素ガス含有雰囲気中で１０００℃以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程を有することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項２】
前記加熱時間は６０分以上であることを特徴とする請求項１記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項３】
前記加熱時間経過後、前記炭化水素ガスの供給を停止し、後処理用のガスを供給しつつ温度を徐々に低下させる工程をさらに有することを特徴とする請求項１または２記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項４】
前記炭化水素ガスは、プロパンを含有するガスであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項５】
前記炭化水素ガスに水素ガスを混合することを特徴とする請求項４記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
一般式（Ａ）又は（Ｂ）で示される複素環化合物（但し、一般式（Ａ）においてＹが硫黄原子である化合物を除く）。

（一般式（Ｂ）中のＸは、硫黄原子、酸素原子、イミノ基及びメチレン基からなる群より選択される一種であり、一般式（Ａ）及び（Ｂ）中のＹは、硫黄原子、酸素原子又はメチレン基の何れかである。）

【請求項２】
請求の範囲１に記載の複素環化合物を含み、酸化反応させる酵素又は化合物を前記複素環化合物の発光によって検出する発光検出剤。

【請求項３】
一般式（Ａ）で示される複素環化合物の、分離精製されたＤ－体を含み、酸化反応させる酵素を前記複素環化合物の発光の検出によって定量するための発光検出剤。

（一般式（Ａ）中のＹは、硫黄原子である。）

【請求項４】
請求の範囲２又は３に記載の発光検出剤と、ピロリン酸と、Ｍｇイオンとを有する発光検出キット。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
Ｓｉからなる基体の表面上に、Ｎｉを含む金属化合物、Ｃｏを含む金属化合物、およびＦｅを含む金属化合物から選ばれる１種又は２種以上の金属化合物を含有する溶液を塗布し、この基体の表面上に前記金属化合物を形成させる工程と、
前記金属化合物が表面上に形成された基体を、常圧の炭化水素ガス含有雰囲気中で１４００℃以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程とを有し、
前記金属化合物の金属原子の数量が、基体を構成する原子の単位表面積当たりの原子の個数の１００分の１を超え、１未満となる範囲にて、前記金属化合物は前記基体の表面上に形成されることを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項１】
可飽和吸収特性を示す半導体薄膜を有する半導体素子であって、前記半導体薄膜を加圧する加圧手段を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項２】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を０Ｐａより大きく、１ＧＰａより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項１記載の半導体素子。

【請求項３】
前記半導体薄膜は、Ｂｅ又はＣが１×１０１９ｃｍ－３以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。

【請求項４】
前記半導体薄膜は１００ｎｍ以上の厚さを有する請求項１記載の半導体素子。

【請求項５】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。

【請求項６】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸型構造の薄膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。

【請求項７】
基板と、該基板上に配置される複数の光入力部と、該複数の光入力部から入力される光に基づいて光の透過、不透過を制御する可飽和吸収特性を示す半導体薄膜と、該半導体薄膜が光を透過した場合に光を外部に導く出力部と、該半導体薄膜を加圧する加圧手段と、を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項８】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を０Ｐａより大きく、１ＧＰａより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【請求項９】
前記半導体薄膜は、Ｂｅ又はＣが１×１０１９ｃｍ－３以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【請求項１０】
前記半導体薄膜は１００ｎｍ以上の厚さを有する請求項７記載の半導体素子。

【請求項１１】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【請求項１２】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸構造の薄膜であることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【特許請求の範囲】

【請求項１】

　陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた、導電性支持体上に担持されたパラジウムブラックの存在下、Ａ）炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び炭素－炭素三重結合から選ばれた少なくとも１つと炭素－炭素三置換二重結合及び／又は炭素－炭素四置換二重結合を有する化合物、Ｂ）炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び炭素－炭素三重結合から選ばれた少なくとも１つを有する化合物及びＣ）炭素－炭素三置換二重結合及び／又は炭素－炭素四置換二重結合を有する化合物から成る群より、炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び炭素－炭素三重結合から選ばれた少なくとも１つと炭素－炭素三置換二重結合及び／又は炭素－炭素四置換二重結合とが共存するように選択された化合物若しくはその組み合わせと、水素とを接触させることを特徴とする、当該炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び／又は炭素－炭素三重結合の選択的水素添加反応方法。

【請求項２】

　陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた導電性を含んで成る支持体上に担持されたパラジウムブラックから成る、炭素－炭素三置換二重結合及び炭素－炭素四置換二重結合への水素添加反応を伴うことのない、炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び／又は炭素－炭素三重結合の選択的水素添加反応用触媒。