株式会社キャンパスクリエイト

お客様の課題解決を
産学官連携・オープンイノベーションで実践する広域TLO

TEL 042-490-5734

(調布オフィス)
〒182-8585 東京都調布市調布ヶ丘1-5-1
国立大学法人電気通信大学産学官連携センター内

おもてなし規格認証2019

開放特許情報

ライセンス可能な特許情報を掲載しています。

特許検索

技術分野を選択
キーワードを入力

特許情報

発明の名称 ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法
技術分野 ものづくり, 環境/有機化学/無機化学
出願番号 特願2007-106493
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
サファイア単結晶を含む基体を、触媒なしで、常圧の炭化水素ガス含有雰囲気中で1000℃以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程を有することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項2】
前記加熱時間は60分以上であることを特徴とする請求項1記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項3】
前記加熱時間経過後、前記炭化水素ガスの供給を停止し、後処理用のガスを供給しつつ温度を徐々に低下させる工程をさらに有することを特徴とする請求項1または2記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項4】
前記炭化水素ガスは、プロパンを含有するガスであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項5】
前記炭化水素ガスに水素ガスを混合することを特徴とする請求項4記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

発明の名称 半導体素子
技術分野 ナノテクノロジー
出願番号 特願2004-249408
概要

【請求項1】
可飽和吸収特性を示す半導体薄膜を有する半導体素子であって、前記半導体薄膜を加圧する加圧手段を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項2】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を0Paより大きく、1GPaより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項3】
前記半導体薄膜は、Be又はCが1×1019cm-3以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項4】
前記半導体薄膜は100nm以上の厚さを有する請求項1記載の半導体素子。

【請求項5】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項6】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸型構造の薄膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体薄膜。

【請求項7】
基板と、該基板上に配置される複数の光入力部と、該複数の光入力部から入力される光に基づいて光の透過、不透過を制御する可飽和吸収特性を示す半導体薄膜と、該半導体薄膜が光を透過した場合に光を外部に導く出力部と、該半導体薄膜を加圧する加圧手段と、を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項8】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を0Paより大きく、1GPaより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項9】
前記半導体薄膜は、Be又はCが1×1019cm-3以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項10】
前記半導体薄膜は100nm以上の厚さを有する請求項7記載の半導体素子。

【請求項11】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項12】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸構造の薄膜であることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

発明の名称 パラジウム触媒を用いた選択的水素添加反応方法
技術分野 環境/有機化学/無機化学, ナノテクノロジー
出願番号 特願2002-33258
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】

 陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた、導電性支持体上に担持されたパラジウムブラックの存在下、A)炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つと炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合を有する化合物、B)炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つを有する化合物及びC)炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合を有する化合物から成る群より、炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つと炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合とが共存するように選択された化合物若しくはその組み合わせと、水素とを接触させることを特徴とする、当該炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び/又は炭素-炭素三重結合の選択的水素添加反応方法。

【請求項2】

 陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた導電性を含んで成る支持体上に担持されたパラジウムブラックから成る、炭素-炭素三置換二重結合及び炭素-炭素四置換二重結合への水素添加反応を伴うことのない、炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び/又は炭素-炭素三重結合の選択的水素添加反応用触媒。