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【要約】発振スペクトルが狭窄化されていないレーザー光でも効率的に波長変換する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　基本波光を波長変換素子によって波長変換する波長変換装置であって、前記基本波光として発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を連続的に発振するレ
ーザー発振部と、前記レーザー発振部で発振された前記基本波光のビーム径を拡大する拡大光学系部と、前記拡大光学系部で前記ビーム径が拡大された拡大基本波光を透過させて該拡大基本波光の波長を分散させる回折格子が設けられる波長分散部と、前記波長分散部から所定の大きさの光学的距離を介して設けられ、前記波長が分散された拡大基本波光を集光レンズで集光して前記波長変換素子に導く波長・角度分散部と、を備えることを特徴とする波長変換装置。　
【請求項２】
　前記レーザー発振部は、ファイバーレーザーによって前記レーザー光が連続発振されることを特徴とする請求項１に記載の波長変換装置。
【請求項３】
　前記波長・角度分散部は、前記光学的距離が下記の条件式を満たすように設定されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の波長変換装置。
　　Ｌ／ｆ＝１．２６×δｃｏｓβ
　　Ｌ：回折格子と集光レンズとの距離
　　ｆ：集光レンズの焦点距離
　　δ：回折格子の溝の間隔
　　β：回折格子による回折角
【請求項４】
　前記波長分散部は、一又は複数の透過型回折格子から構成され、前記透過型回折格子によって前記拡大基本波光を回折させて、該拡大基本波光の前記波長を分散させることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の波長変換装置。
【請求項５】
　前記波長分散部には、前記透過型回折格子によって回折された前記拡大基本波光を反射させる一又は複数の反射ミラーが更に設けられ、前記反射ミラーによって反射後の前記拡大基本波光を前記透過型回折格子に戻し、再度回折させることを特徴とする請求項４に記載の波長変換装置。
【請求項６】
　前記拡大光学系部は、入力段側に設けられる第１レンズと出力段側に設けられる第２レンズが所定の距離を介して対向するように構成され、前記第１レンズと前記第２レンズとの距離を変更することによって、前記基本波光の前記ビーム径を調整することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の波長変換装置。
【請求項７】
　基本波光を波長変換素子によって波長変換する波長変換方法であって、発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を前記基本波光として連続的に発振するレ
ーザー光発振工程と、前記基本波光のビーム径を拡大するビーム径拡大工程と、前記ビーム径が拡大された拡大基本波光を回折格子に透過させて該拡大基本波光の波長を分散させる波長分散工程と、前記波長が分散された拡大基本波光を前記回折格子から所定の大きさの光学的距離を介して設けられた集光レンズによって前記波長変換素子に導く波長・角度分散工程と、を含むことを特徴とする波長変換方法。

【要約】
複雑な構成を用いることなく、レーザー光と媒質の相互作用における線形及び非線形の光学特性を操作できるとともに、高出力且つ高ビーム品質の長波長域、及び、短波長域のレーザー光を長期間照射できる、（線形及び非線形）光学過程の操作方法及びレーザー装置を提供する。
　一又は複数の周波数の入射レーザー光を用いた線形及び非線形の光学過程において、発生レーザー光を含む該光学過程に関与する全てのレーザー光の異なる周波数間の相対位相を所望の値に操作することで、目的とする光学過程を実現することを特徴とする。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　一つ又は複数の光源から発生した、一つ又は複数の周波数からなる入射レーザー光を、非線形光学媒質を透過させて出射させるレーザー装置であって、前記非線形光学媒質は、該光学媒質の内部に透明な分散媒質を１つ以上有し、該分散媒質は、発生レーザー光を含む該光学過程に関与する複数のレーザー光の異なる周波数間の相対位相関係が所望の値を近似的に満たすように求められる実効的厚みを備えて前記入射レーザー光の伝搬方向に沿った位置に配置されることを特徴とするレーザー装置。
（以下省略）

【要約】
【課題】　キャピラリーを用いた極微量物質の検出技術において、より一層微量のサンプルで極微量物質を検出する。
【解決手段】　本発明のキャピラリーナノファイバー１は、ナノキャピラリー２と、第１ナノ光ファイバー４とを備える。ナノキャピラリー２は、内部に光透過性液体を流通させる貫通孔２ａが形成された光透過性を有する第１管部１１を含み、第１管部１１の外径が、第１管部１１を伝搬する光の波長以下のサイズである。また、第１ナノ光ファイバー４は、外径が第１管部１１を伝搬する光の波長以下のサイズである第１光導波路を有し、第１光導波路の一部が第１管部１１の一方の端部側のナノキャピラリー２内の所定位置に接続され、第１光導波路の一部を介してナノキャピラリー２を伝搬する光の一部を取り込む。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　内部に光透過性液体を流通させる貫通孔が形成された光透過性を有する第１管部を含み、該第１管部の外径が、該第１管部の貫通孔に該光透過性液体が流通した状態で該第１管部を伝搬する光の波長以下のサイズであるナノキャピラリーと、外径が前記第１管部を伝搬する前記光の波長以下のサイズである第１光導波路を有し、該第１光導波路の一部が前記第１管部の一方の端部側の前記ナノキャピラリー内の所定位置に接続され、該第１光導波路の一部を介して前記ナノキャピラリーを伝搬する前記光の一部を取り込む第１ナノ光ファイバーと、を備えるキャピラリーナノファイバー。
【請求項２】
　前記第１管部の貫通孔に該光透過性液体が流通した状態で前記第１管部を伝搬する光に対して所定の共振条件で共振作用を与える共振器を、さらに備える請求項１に記載のキャピラリーナノファイバー。
【請求項３】
　外径が前記第１管部を伝搬する前記光の波長以下のサイズである第２光導波路を有し、該第２光導波路の一部が前記第１管部の他方の端部側の前記ナノキャピラリー内の所定位
置に接続され、該第２光導波路の一部を介して前記ナノキャピラリーに前記光を入射する第２ナノ光ファイバーを、さらに備える請求項２に記載のキャピラリーナノファイバー。
【請求項４】
　前記共振器が、前記第１管部の表面に形成された所定周期の凹凸パターンにより構成される請求項２又は３に記載のキャピラリーナノファイバー。
【請求項５】
　前記共振器が、前記第１管部の表面に所定周期で交互に形成された第１の屈折率を有する第１領域と、該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する第２領域とにより構成さ
れる請求項２又は３に記載のキャピラリーナノファイバー。
【請求項６】
　光透過性を有する凹凸構造体で構成された前記共振器が表面に形成された光学的機能部材を、さらに備え、前記光学的機能部材が、前記ナノキャピラリーに対して、前記第１管部に前記光が伝搬した際に生成される近接場と前記凹凸構造体の一部とが重なるような位置に配置されている請求項２又は３に記載のキャピラリーナノファイバー。
【請求項７】
　前記第１管部の他方の端部側の前記第１管部内の所定位置に設けられ、前記第１管部の貫通孔に前記光透過性液体が流通した状態で前記第１管部を伝搬する光のうち、前記第１管部の他方の端部側に向かって伝搬する光成分の一部を反対方向に反射させる反射器を、さらに備え、前記第１管部を伝搬する光が、前記光透過性液体に含まれる、ラベリングされた所定の
極微量物質から発生した蛍光である請求項１に記載のキャピラリーナノファイバー。
【請求項８】
　前記ナノキャピラリーは、さらに、前記第１管部の前記光透過性液体の流出側に配置され、前記第１管部に形成された貫通孔の直径より大きな直径を有する貫通孔が内部に形成された光透過性を有する第２管部と、前記第１管部の前記光透過性液体の流入側に配置され、前記第１管部に形成された貫通孔の直径より大きな直径を有する貫通孔が内部に形成された光透過性を有する第３管部と、前記第１管部の前記光透過性液体の流出側端部と前記第２管部との間を接続し、前記第１管部の貫通孔と前記第２管部の貫通孔とを連通させる貫通孔が内部に形成され、且つ、外径が前記第１管部の前記光透過性液体の流出側端部から前記第２管部に向かって連続的に大きくなる第４管部と、前記第１管部の前記光透過性液体の流入側端部と前記第３管部との間を接続し、前記第１管部の貫通孔と前記第３管部の貫通孔とを連通させる貫通孔が内部に形成され、且つ、外径が前記第１管部の前記光透過性液体の流入側端部から前記第３管部に向かって連続的に大きくなる第５管部と、を有し、前記第１ナノ光ファイバーの前記第１光導波路の一部が、前記第４管部又は前記第５管部に接続されている請求項１～７のいずれか一項に記載のキャピラリーナノファイバ―。
（以下省略）

【課題】　効果的にノイズを除去して強度が微小な信号を感度よく検出する。
【解決手段】　光学測定装置は、光源と、前記光源からの光をプローブ光と参照光に分割する第１光学素子と、前記プローブ光を試料に導く第１パスと、時間軸上で前記参照光と前記プローブ光間に相対的な遅延を与えるように光路長が調整された前記参照光の第２パスと、前記試料を照射した前記プローブ光と、前記光路長が調整された前記参照光をひとつの共通の検出素子で検出して検出信号を出力する検出器と、前記検出信号のうち、前記プローブ光に由来する信号と前記参照光に由来する信号にそれぞれ逆の符号を適用して平衡化を行い、前記プローブ光に由来する信号と前記参照光に由来する信号の差分を前記試料の測定結果として出力する平衡器と、を有する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　光源と、
　前記光源からの光をプローブ光と参照光に分割する第１光学素子と、前記プローブ光を試料に導く第１パスと、時間軸上で前記参照光と前記プローブ光の間に相対的な遅延を与えるように光路長が調整された前記参照光の第２パスと、前記試料を照射した前記プローブ光と、前記光路長が調整された前記参照光をひとつの共通の検出素子で検出して検出信号を出力する検出器と、前記検出信号のうち、前記プローブ光に由来する信号と前記参照光に由来する信号にそれぞれ逆の符号を適用して平衡化を行い、前記プローブ光に由来する信号と前記参照光に由来する信号の差分を前記試料の測定結果として出力する平衡器と、を有することを特徴とする光学測定装置。
【請求項２】
　前記平衡器は、
　前記検出信号に、前記光源からの光に同期する±１の振幅の方形波を乗算する乗算器、を有し、前記乗算結果により前記差分を得ることを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項３】
　前記平衡器は、前記方形波にバイアスを印加するバイアス源、をさらに有し、前記バイアスにより前記プローブ光と前記参照光の検出強度比を調整することを特徴とする請求項２に記載の光学測定装置。
【請求項４】
　前記平衡器は、　前記光源からの光の角周波数に同期する正弦波信号の位相を調整する位相シフタと、前記検出信号に、前記位相が調整された前記正弦波信号を乗算する乗算器と、を有し、前記乗算結果により前記差分を得ることを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項５】
　前記平衡器は、前記乗算器の出力の直流成分を前記位相シフタにフィードバックさせるフィードバック系を有し、前記フィードバックを用いて、前記プローブ光と前記参照光の検出強度比を平衡させることを特徴とする請求項４に記載の光学測定装置。
【請求項６】
　前記検出器と前記平衡器の間に挿入される共振器をさらに有し、前記検出信号のうち特定の帯域の周波数成分が前記平衡器に入力されることを特徴とする請求項４に記載の光学測定装置。
【請求項７】
　前記プローブ光に同期して刺激を生成する刺激源、をさらに有し、前記試料は前記プローブ光に同期して前記刺激を受け、前記平衡器は前記刺激に誘起された前記試料の状態変化を前記測定結果として出力することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の光学測定装置。
【請求項８】
　参照信号を生成する参照信号源と、
　前記参照信号の周波数で前記平衡器の出力をロックイン検出するロックイン検出部と、をさらに有し、前記刺激の強度は、前記参照信号の周波数で変調されることを特徴とする請求項７に記載の光学測定装置。
【請求項９】
　前記試料と前記検出器の間に配置される分光器、をさらに有し、前記光源は白色光源であり、前記第１光学素子は、前記光源からの光を白色プローブ光と白色参照光に分割し、前記第２光学素子は、前記白色プローブ光と前記白色参照光を重ね合わせて前記試料に導き、前記試料を透過した前記白色プローブ光と前記白色参照光は、前記分光器で複数の波長成分に分光され、前記検出器は、前記分光された波長の各々に対応して配置され、対応する波長成分の前記プローブ光と前記参照光を共通して検出することを特徴とする請求項１に記載の光学測
定装置。
（以下省略）

【要約】
【課題】皮膜密着性に優れた水素透過防止機能膜を有するクロム含有金属材料を提供すること。
【解決手段】ステンレス鋼又はクロムモリブデン鋼の金属材料と、前記金属材料の表面の少なくとも一部を被覆するクロム酸窒化物膜と、前記クロム酸窒化物の表面の少なくとも一部を被覆するセラミック膜と、を有し、前記クロム酸窒化物膜の膜厚は、０．０１μｍ～１μｍの範囲内にあり、前記セラミック膜の膜厚は、０．１μｍ～１０μｍの範囲内にある、クロム含有金属材料。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ステンレス鋼又はクロムモリブデン鋼の金属材料と、前記金属材料の表面の少なくとも一部を被覆するクロム酸窒化物膜と、前記クロム酸窒化物の表面の少なくとも一部を被覆するセラミック膜と、を有し、前記クロム酸窒化物膜の膜厚は、０．０１μｍ～１μｍの範囲内にあり、前記セラミック膜の膜厚は、０．１μｍ～１０μｍの範囲内にある、クロム含有金属材料。
【請求項２】
　前記クロム酸窒化物膜中の酸素含有量は、１０ｍｏｌ％以下である、請求項１に記載のクロム含有金属材料。
【請求項３】
　前記セラミック膜は、クロム窒化物、ボロン窒化物、アルミニウム酸化物、チタン窒化物及びケイ素炭化物の群から選択されるセラミックを含む、請求項１又は２に記載のクロム含有金属材料。
【請求項４】
　前記クロム酸窒化物膜及び前記セラミック膜は、各々、結晶質であり、かつ、結晶粒径が２００ｎｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料。
【請求項５】
　前記金属材料はステンレス鋼であり、前記ステンレス鋼は、ＳＵＳ３１６Ｌである、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料。
【請求項６】
　ステンレス鋼又はクロムモリブデン鋼の金属材料の表面の少なくとも一部にクロム酸窒化物膜を成膜する、第１の成膜工程と、前記クロム酸窒化物膜の少なくとも一部にセラミック膜を成膜する、第２の成膜工程と、を含み、前記クロム酸窒化物膜の膜厚は、０．０１μｍ～１μｍの範囲内にあり、前記セラミック膜の膜厚は、０．１μｍ～１０μｍの範囲内にある、クロム含有金属材料の製造方法。
【請求項７】
　前記第１の成膜工程及び前記第２の成膜工程の少なくとも一方は、物理的蒸着法により実施される、請求項６に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項８】
　前記物理的蒸着法は、イオンプレーティング法である、請求項７に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項９】
　前記クロム酸窒化物膜中の酸素含有量は、１０ｍｏｌ％以下である、請求項６乃至８のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項１０】
　前記セラミック膜は、クロム窒化物、ボロン窒化物、アルミニウム酸化物、チタン窒化物及びケイ素炭化物の群から選択されるセラミックを含む、請求項６乃至９のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項１１】
　前記クロム酸窒化物膜及び前記セラミック膜は、各々、結晶質であり、かつ、結晶粒径が２００ｎｍ以下である、請求項６乃至１０のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項１２】
　前記金属材料はステンレス鋼であり、前記ステンレス鋼は、ＳＵＳ３１６Ｌである、請求項６乃至１１のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法

【要約】
【課題】　量子効率の向上とキャリアの長寿命化を実現する太陽電池を提供する。
【解決手段】　太陽電池は、第１の導電型の半導体層と、第２の導電型の半導体層と、前記第１及び第２の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域とを含み、前記半導体領域は、前記第１の導電型の半導体層に隣接する第１半導体層と、前記第１半導体上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第１障壁層と、前記第１障壁層上に形成され面内密度が３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、高さが１．５～２．０ｎｍである量子ドットとを含む。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　第１の導電型の半導体層と、第２の導電型の半導体層と、前記第１及び第２の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域と、を含み、前記半導体領域は、　前記第１の導電型の半導体層に隣接する第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第１障壁層と、前記第１障壁層上に形成され面内密度が３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、高さが１．５～２．０ｎｍである量子ドットとを含むことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
　前記量子ドット層は、Type-Iバンド構造を有することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
　前記量子ドット層は、Type-IIバンド構造を有し、前記量子ドット上に形成されて前記第１障壁層とともに前記量子ドットを挟み込む第２障壁層、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
　波長１０００ｎｍ以上の光に対する前記量子ドットからの発光の減衰時間が３～６ｎｓであることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。
【請求項５】
　波長１０００ｎｍ以上の光に対する前記量子ドットからの発光の減衰時間が３～１０ｎｓであることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。
【請求項６】
　前記障壁層はＧａＡｓＳｂであり、前記量子ドットはＩｎＡｓであることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項７】
　前記半導体領域において、前記量子ドット層は、前記第２の導電型の半導体層から１００～２００ｎｍ離れた位置に配置されることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項８】
　第１の導電型の半導体層上に、第１半導体層を介してアンチモン（Ｓｂ）を８～５０％含む第１障壁層を形成し、前記第１障壁層上に、基板温度４７０～４８０℃で、量子ドットを面内密度３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、平均高さ１．５～２．０ｎｍに成長し、前記量子ドットの上方に、第２半導体層を介して第２の導電型の半導体層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項９】
　前記量子ドット上に第２障壁層を形成する工程、をさらに含み、前記第２障壁層上に前記第２半導体層を形成することを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
　前記第１障壁層の形成は、前記第１半導体層としてのＧａＡｓ層上に、ＧａＡｓＳｂ層を形成し、　前記量子ドットの形成は、前記ＧａＡｓＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを形成することを特徴とする請求項８又は９に記載の太陽電池の製造方法。

【要約】
【課題】
正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量に基づいて細胞を識別することができる細胞識別装置又は細胞識別方法を提供すること。
【解決手段】
細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量を用いて、前記細胞を識別する細胞識別装置であって、前記細胞を透過したときの前記光の強度に基づいて、前記光路長変化量を計測する計測手段と、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記細胞を識別する解析手段とを有する、ことを特徴とする。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量を用いて、前記細胞を識別する細胞識別装置であって、前記細胞を透過したときの前記光の強度に基づいて、前記光路長変化量を計測する計測手段と、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記細胞を識別する解析手段とを有することを特徴とする細胞識別装置。
【請求項２】
　前記解析手段は、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量の平均値を算出し、算出した前記平均値を前記閾値とする、ことを特徴とする、請求項１に記載の細胞識別装置。
【請求項３】
　前記解析手段は、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量について複数の平均値を算出し、算出した前記複数の平
均値においてエラーレートに基づいて前記閾値を設定することを特徴とする、請求項１に記載の細胞識別装置。
【請求項４】
　前記解析手段は、前記閾値以下の前記光路長変化量の前記細胞を正常な細胞とし、該閾値を越える該光路長変化量の該細胞を異常な細胞とする、ことを特徴とする、請求項１乃
至請求項３のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項５】
　前記解析手段は、前記癌細胞の転移性癌細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量に基づいて算出される第２の閾値を用いて、前記閾値を越え且つ前記第２の閾値以下の光路長変化量の癌細胞を転移性癌細胞とし、該第２の閾値を越える光路長変化量の癌細胞を非転移性癌細胞とする、ことを特徴とする、請求項４に記載の細胞識別装置。
【請求項６】
　前記解析手段は、前記正常細胞の複数の光路長変化量のうちの値が大きい方から所定の数の光路長変化量を抽出する、ことを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか一項
に記載の細胞識別装置。
【請求項７】
　前記計測手段は、前記細胞を透過しない場合の前記光の強度と同一となるように、ピエゾ素子に電圧を印加して該細胞に照射する該光の光路長を変更し、印加した前記電圧に基
づいて前記光路長変化量を計測する、ことを特徴とする、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項８】
　計測した前記光路長変化量に基づいて、前記細胞の外形及び屈折率差若しくは位相差に対応する画像を生成する画像生成部と、生成した前記画像を表示する出力部とを更に有す
る、ことを特徴とする、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項９】
　複数の細胞に光を夫々照射して、複数の光路長変化量を計測する計測ステップと、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記複数の細胞を夫々識別する識別ステップとを含むことを特徴とする細胞識別方法。
【請求項１０】
　前記識別ステップは、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量の平均値を算出し、算出した前記平均値を前記閾値とすることを特徴とする、請求項９に記載の細胞識別方法。
【請求項１１】
　前記識別ステップは、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量について複数の平均値を算出し、算出した前記複数
の平均値においてエラーレートに基づいて前記閾値を設定することを特徴とする、請求項９に記載の細胞識別方法。
【請求項１２】
　前記計測ステップは、前記細胞に照射する前記光の光路長を変更する変更ステップと、前記細胞を透過しない場合の前記光の強度と同一となるように、該細胞に照射する該光の
光路長を変更するフィードバック制御ステップとを含む、ことを特徴とする、請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の細胞識別方法。
【請求項１３】
　請求項９乃至請求項１２のいずれか一項に記載の細胞識別方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１４】
　請求項１３に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【要約】
量子ドット間のコアレッセンスを抑制しつつ、高密度な量子ドット配列を実現する量子ドットの形成方法と、これを利用した太陽電池を提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＡｓ層を成長する際に、前記ＩｎＡｓ層の成長が３次元成長に移行する前の濡れ層の段階で、アンチモン（Ｓｂ）を供給圧力２．０×１０-7～３．６×１０-7 Torrで導入してＩｎＡｓＳｂ濡れ層を成長し、前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層が０．５ＭＬ～１．５ＭＬ成長したところで前記Ｓｂの導入を停止して引き続きＩｎＡｓ層を成長してＩｎＡｓ量子ドットを形成する、ことを特徴とする量子ドットの形成方法。
【請求項２】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層および前記ＩｎＡｓ量子ドットの成長温度は、４６０℃～４７０℃であることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項３】
　前記成長温度が４６０℃のときに、前記Ｓｂの供給圧力が３．６×１０-7 Torrで前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層を１．０～１．５ＭＬ成長して、前記ＩｎＡｓ量子ドットを、８．０×１０11ｃｍ-2～１．０×１０12ｃｍ-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項４】
　前記成長温度が４７０℃のときに、前記Ｓｂの供給圧力が２．２×１０-7～３．５×１０-7 Torrの範囲で、前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層を０．８ＭＬ～１．５ＭＬ成長して、前記ＩｎＡｓ量子ドットを６．０×１０11ｃｍ-2～７．６×１０11ｃｍ-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項５】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層の成長において、Ａｓの供給圧力は７．３×１０-6 Torrであることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項６】
　透明電極と、
　第１導電型の半導体層と、
　第２導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層の間に位置する光吸収層と、前記透明電極と反対側の面に位置する電極と、を含み、前記光吸収層は、ＧａＡｓバッファ層と、前記ＧａＡｓバッファ層上に形成されたＩｎＡｓＳｂ濡れ層及び前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層上に成長したＩｎＡｓ量子ドットを含む量子ドット層と、前記量子ドット層を覆うＧａＡｓ中間層と、を含み、前記量子ドット層と前記ＧａＡｓ中間層は、交互に１層以上積層されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項７】
　前記ＩｎＡｓ量子ドットの面内密度は４．０×１０11ｃｍ-2～１．０×１０12ｃｍ-2であることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
【請求項８】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層の成長量は０．５～１．５ＭＬであることを特徴とする請求項６または７に記載の太陽電池。
【請求項９】
　前記ＩｎＡｓ量子ドットの高さは１．６～３．０ｎｍであることを特徴とする請求項８～８のいずれか１項に記載の太陽電池。

【要約】　より容易に製造可能であり、かつ、設計自由度も向上させることができるナノファイバーフォトニック結晶を提供する

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　表面に光透過性を有する凹凸構造体が形成された光学的機能部材と、伝搬光の波長以下の径を有する光導波路部を有し、前記凹凸構造体上に配置され、かつ、前記光導波路部に光が伝搬した際に生成される近接場と前記凹凸構造体の一部とが重なるような位置に配置されたナノ光ファイバーとを備えるナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項２】
　前記凹凸構造体が、所定周期のグレーティングであり、前記グレーティングを構成する凸部の延在方向が、前記光導波路部の延在方向と直交する請求項１に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項３】
　前記凹凸構造体が、ポリマーで形成されている請求項１又は２に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項４】
　前記ナノ光ファイバーが、コア及びクラッドを含む光ファイバー部と、前記光導波路部及び前記光ファイバー部間を接続し、径が前記光導波路部から前記光ファイバー部に向かって連続的に大きくなる接続部とを有する請求項１～３のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項５】
　前記ナノ光ファイバーが、前記光導波路部の表面にポリマーで形成されたコーティング層を有する請求項１～４のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶。

【要約】　より高精度にかつより簡易に屈折率が所定パターンで変化するナノ構造体をナノ光ファイバーの表面に形成する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　レーザー光源からレーザー光を射出することと、前記レーザー光を分光素子で回折して、＋１次の回折光及び－１次の回折光を抽出することと、前記抽出された＋１次の回折光及び－１次の回折光を、それぞれ第１光学系及び第２光学系を介してナノ光ファイバーの所定領域に導いて集光し、該所定領域に光の干渉縞を生成することと、前記ナノ光ファイバーの所定領域に集光された光を、前記ナノ光ファイバーのレンズ効果によりさらに集光して、前記ナノ光ファイバーに凹部を形成することとを含むナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項２】
　前記凹部が、ナノ光ファイバーの光照射側とは反対側の面に形成される請求項１に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項３】
　前記ナノ光ファイバーの延在方向に沿って、前記ナノ光ファイバーの所定領域に光の干渉縞を生成して、複数の前記凹部を形成する請求項１又は２に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項４】
　前記レーザー光が、パルスレーザー光である　請求項１～３のいずれかい一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項５】
　前記レーザー光源が、フェムト秒パルスレーザーである請求項１～４のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項６】
　前記分光素子が、位相マスクである　請求項１～５のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項７】
　前記第１光学系及び前記第２光学系がともに、反射ミラーで構成される請求項１～６のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項８】
　前記ナノ光ファイバーの所定領域の径が、該所定領域を伝搬する光の波長以下の値である請求項１～７のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項９】
　レーザー光源と、前記レーザー光源から射出されたレーザー光をナノ光ファイバーの所定領域に集光する集光レンズと、前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記集光レンズ間に設けられ、前記集光レンズを介して入射されたレーザー光を回折して、＋１次の回折光及び－１次の回折光を抽出する分光素子と、　前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記分光素子間に設けられ、前記分光素子で抽出された＋１次の回折光を前記ナノ光ファイバーの所定領域に導く第１光学系と、　前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記分光素子間に設けられ、前記分光素子で抽出された－１次の回折光を前記ナノ光ファイバーの所定領域に導く第２光学系とを備えるナノファイバーフォトニック結晶の製造装置。
【請求項１０】
　さらに、前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記位相マスク間の領域において、前記ナノ光ファイバーの所定領域の真上に設けられ、かつ、前記位相マスクで前記レーザー光を回折した際に生成される０次の回折光が前記ナノ光ファイバーの所定領域の照射されることを防止するような位置に設けられた遮蔽板を備える請求項９に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造装置。

【要約】

【課題】
発振スペクトルが狭窄化されていないレーザー光でも効率的に波長変換する。

【解決手段】
基本波光を波長変換素子５０によって波長変換する波長変換装置１であって、基本波光Ｌ１として発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を連続的に発振するレーザー発振部１０と、レーザー発振部で発振された基本波光のビーム径を拡大する拡大光学系部２０と、拡大光学系部でビーム径が拡大された拡大基本波光Ｌ２を透過させて当該拡大基本波光の波長を分散させる回折格子３２が設けられる波長分散部３０と、波長分散部から所定の大きさの光学的距離を介して設けられ、波長が分散された拡大基本波光Ｌ３を集光レンズ４２で集光して波長変換素子に導く波長・角度分散部４０と、を備えることを特徴とする。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
基本波光を波長変換素子によって波長変換する波長変換装置であって、
前記基本波光として発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を連続的に発振するレーザー発振部と、
前記レーザー発振部で発振された前記基本波光のビーム径を拡大する拡大光学系部と、
前記拡大光学系部で前記ビーム径が拡大された拡大基本波光を透過させて該拡大基本波光の波長を分散させる回折格子が設けられる波長分散部と、
前記波長分散部から所定の大きさの光学的距離を介して設けられ、前記波長が分散された拡大基本波光を集光レンズで集光して前記波長変換素子に導く波長・角度分散部と、を備えることを特徴とする波長変換装置。

【請求項２】
前記レーザー発振部は、ファイバーレーザーによって前記レーザー光が連続発振されることを特徴とする請求項１に記載の波長変換装置。

【請求項３】
前記波長・角度分散部は、前記光学的距離が下記の条件式を満たすように設定されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の波長変換装置。
Ｌ／ｆ＝１．２６×δｃｏｓβ
Ｌ：回折格子と集光レンズとの距離
ｆ：集光レンズの焦点距離
δ：回折格子の溝の間隔
β：回折格子による回折角

【請求項４】
前記波長分散部は、一又は複数の透過型回折格子から構成され、前記透過型回折格子によって前記拡大基本波光を回折させて、該拡大基本波光の前記波長を分散させることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の波長変換装置。

【請求項５】
前記波長分散部には、前記透過型回折格子によって回折された前記拡大基本波光を反射させる一又は複数の反射ミラーが更に設けられ、前記反射ミラーによって反射後の前記拡大基本波光を前記透過型回折格子に戻し、再度回折させることを特徴とする請求項４に記載の波長変換装置。

【請求項６】
前記拡大光学系部は、入力段側に設けられる第１レンズと出力段側に設けられる第２レンズが所定の距離を介して対向するように構成され、前記第１レンズと前記第２レンズとの距離を変更することによって、前記基本波光の前記ビーム径を調整することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の波長変換装置。

【請求項７】
基本波光を波長変換素子によって波長変換する波長変換方法であって、
発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を前記基本波光として連続的に発振するレーザー光発振工程と、
前記基本波光のビーム径を拡大するビーム径拡大工程と、
前記ビーム径が拡大された拡大基本波光を回折格子に透過させて該拡大基本波光の波長を分散させる波長分散工程と、
前記波長が分散された拡大基本波光を前記回折格子から所定の大きさの光学的距離を介して設けられた集光レンズによって前記波長変換素子に導く波長・角度分散工程と、を含むことを特徴とする波長変換方法。

【要約】

【課題】
可視光領域においても、効率的に有機物の分解を行うことが可能な光触媒材料を提供することを目的とする。

【解決手段】Ｍ１を、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、およびバリウム（Ｂａ）のいずれか一つを含む元素とし、Ｍ２を、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）のうちのいずれか一つを含む元素としたとき、Ｍ１Ｍ２Ｏ４で表される化合物を有し、Ｍ２の一部が（＋４）の価数になっていることを特徴とする光触媒材料。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
Ｍ１を、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、およびバリウム（Ｂａ）のいずれか一つを含む元素とし、Ｍ２を、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）のうちのいずれか一つを含む元素としたとき、Ｍ１Ｍ２Ｏ４で表される化合物を有し、
Ｍ２の一部が（＋４）の価数になっていることを特徴とする光触媒材料。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください）

【要約】

【課題】
繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を安価で単純な装置で行う。

【解決手段】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面２１Ａ１，２１Ｂ１を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面２１Ａ２と出射面２１Ｂ２との距離が可変自在とされ、隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに調整される厚さｔが調整自在な平行平板部２１を形成する正分散媒質からなる１対の光学素子２１Ａ，２１Ｂを有するスペクトル位相補償装置２０により、 広帯域光Ｌｗのスペクトルの位相補償を行う。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さの正分散媒質からなる平行平板を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償方法。

【請求項２】
隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さの正分散媒質からなり、広帯域光が入射される平行平板を備え、
上記平行平板を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償装置。

【請求項３】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面と出射面との距離が可変自在とされた正分散媒質からなる１対の光学素子により、隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに調整された平行平板部を形成し、
上記平行平板部を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償方法。

【請求項４】
上記平行平板部の厚さを、入射される広帯域光に存在する２次分散を打ち消して、隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに調整することを特徴とする請求項３記載のスペクトル位相補償方法。

【請求項５】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面と出射面との距離が可変自在とされ、隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに調整される厚さが調整自在な平行平板部を形成する正分散媒質からなる１対の光学素子を有し、
上記平行平板部を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償装置。

【請求項６】
上記平行平板部は、入射される広帯域光に存在する２次分散を打ち消して、隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに調整されることを特徴とする請求項５記載のスペクトル位相補償装置。

【請求項７】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面と出射面との距離が可変自在とされた正分散媒質からなる１対の光学素子により形成される厚さが調整自在な平行平板部に広帯域光を入射し、
上記平行平板部を透過した光を検出し、その検出出力に基づいて上記１対の光学素子の少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動させる駆動部を動作させ、上記平行平板部の厚さを隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに制御し、
上記平行平板部を透過させることにより、上記広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償方法。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください）

【要約】

【課題】
スペクトルの広帯域化以前に周波数を指定し、単純な光共振器を参照するだけで、その絶対周波数を制御した所望の広帯域離散スペクトルを発生する。

【解決手段】
レーザー光源１１から出射された二波長の励起レーザー光が入射される光共振器１２を通過した励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御する制御部１３により、上記二波長の励起レーザー光の周波数を光共振器１２の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器１２のフリースペクトルレンジ（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とする制御を行い、広帯域離散スペクトル生成用セル１４により、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質１４Ａにおける差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生する。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
二波長の励起レーザー光を出射するレーザー光源と、
上記レーザー光源から出射された二波長の励起レーザー光が入射される光共振器と、
上記光共振器を通過した二波長の励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御する制御部と、
上記制御部により周波数が制御された上記二波長の励起レーザー光が上記レーザー光源から入射される非線形媒質を含む広帯域離散スペクトル生成用セルとを備え、
上記制御部により、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を上記光共振器の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器のフリースペクトルレンジ（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とし、
上記広帯域離散スペクトル生成用セルにより、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質における差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生することを特徴とする広帯域離散スペクトル発生装置。

【請求項２】
上記広帯域離散スペクトル生成用セルは、非線形媒質としてラマン媒質を含むことを特徴とする請求項１記載の広帯域離散スペクトル発生装置。

【請求項３】
二波長の励起レーザー光が入射される非線形媒質を含む広帯域離散スペクトル生成用セルにより、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質における差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生する広帯域離散スペクトル発生装置の周波数制御方法であって、
上記二波長の励起レーザー光を出射するレーザー光源から出射された二波長の励起レーザー光を光共振器に入射させ、
上記光共振器を通過した二波長の励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御し、
上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を上記光共振器の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器の自由スペクトル間隔（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とすることを特徴とする広帯域離散スペクトル発生装置の周波数制御方法。

【要約】

【課題】
円盤形状の強磁性体から成り、磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットにおけるコアの向きを反転させる簡便な方法を提供する。

【解決手段】
強磁性ドットの径方向に、該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給する。望ましくは、各パルス電流を強磁性ドットの径方向の両端部から交互に供給すると良い。パルス電流を複数回を供給することにより、比較的低い電流密度でコアを反転させることができるから、素子の破損を防止することができる。電流密度、パルス長を適宜に決定しておくことによって、コアの向きを一回だけ反転させることができる。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットのコアの向きを反転させる方法であって、
強磁性ドットの径方向に該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給することにより、強磁性ドットのコアの向きを反転させる
ことを特徴とする強磁性ドットのコア反転方法。

【請求項２】
前記各パルス電流を、前記強磁性ドットの径方向の両端部から交互に供給する
ことを特徴とする請求項１に記載のコア反転方法。

【請求項３】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットにおけるコアの向きを制御する方法であって、
該強磁性ドットの周囲において該周囲を略三等分する各位置に、第一電流供給部、第二電流供給部、及び接地部を設けておき、
該第一電流供給部より該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数の交流電流を供給するとともに、
該第二電流供給部より該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数を有し、該第一電流供給部から供給される交流電流に対して位相が120°又は-120°ずれた交流電流を供給することにより、該位相のずれに応じた方向にコアの向きを決定する
ことを特徴とする、強磁性ドットのコアの向き制御方法。

【請求項４】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットと、
該強磁性ドットの径方向に、該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給するパルス電流供給部と、
を備えることを特徴とする強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項５】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットと、
該強磁性ドットの周囲を三等分する各位置に、
該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数の交流電流を供給する第一電流供給部と、
該強磁性ドットの共振周波数と等しい周波数を有し、該第一電流供給部から供給される交流電流に対して位相が120°又は-120°ずれた交流電流を供給する第二電流供給部と、
接地部と、
を備えることを特徴とする強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項６】
前記強磁性ドットが、平面形状が直径50μm以下の略円形であって厚みが1μm以下である円盤形状であることを特徴とする請求項４又は５に記載の強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項７】
コアの向きを読み出す読出し部を更に備えたことを特徴とする請求項４～６のいずれかに記載の強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項８】
請求項７に記載の強磁性ドットのコア利用素子を複数並べたことを特徴とする情報記録素子。

【要約】

【課題】
保守の必要性の少ない、安価で単純、かつ高精度な微小流量計を提供する。

【解決手段】
先ず、流量と加熱による温度上昇との関係を示す検量線を作成する。そして、流体を流路に流し、流路の途中に設けられた加熱器で流体を加熱する。この加熱流体は流れに乗って移動するとともに熱拡散によって温度が一様化される。流路の途中に設けられた拡散部において、加熱器における加熱による加速の影響が緩和され、十分な拡散が行われる。そして、加熱器の下流側に設けられた温度検出部において加熱流体の温度計測が行われ、上記検量線に基づき流量が求まる。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
流体を通過させる流路と、
前記流路を流れる流体を加熱する加熱器と、
前記流路の途中に設けられ、前記加熱器における加熱による加速の影響を緩和し流体の拡散を促す拡散部と、
前記加熱器の下流側に設けられ、前記加熱流体の温度を検出する温度検出部と
を備え、
前記加熱器は前記流路中または拡散部中に配置されている
ことを特徴とする流量計測装置。

【請求項２】
前記加熱器の制御および/または前記温度検出部からの検出信号の信号処理を行う情報処理装置を備えたことを特徴とする請求項1に記載の流量計測装置。

【請求項３】
前記流路が、該流路を流れる流体を重力と略逆向きに通過させるように保持されていることを特徴とする請求項1または2に記載の流量計測装置。

【請求項４】
前記流路が、該流路を流れる流体を重力と略同一方向に通過させるように保持されていることを特徴とする請求項1または2に記載の流量計測装置。

【請求項５】
前記拡散部が、前記流路の管径を縮小するレデューサであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項６】
前記拡散部が、少なくとも一つの穴を有するプレートが流れ方向に対し直角に挿入してあることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項７】
前記加熱器による前記流体の加熱位置は、前記流体の流れ方向に直交する仮想面において、ほぼ中央であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項８】
前記流体の流量は1ml
/min以下であることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項９】
加熱による加速の影響を緩和し流体の拡散を促す拡散部を有する流路を流れる流体の流量を計測する方法であって、
前記流体の一部を加熱して加熱流体とするステップと、
前記加熱流体の温度を計測するステップと、
前記加熱流体の上昇温度と前記流体の流量との関係を示す検量線を用いて、前記流体の流量を計測するステップ
とを備えることを特徴とする流量計測方法。

【請求項１０】
加熱による加速の影響を緩和し流体の拡散を促す拡散部を有する流路を流れる流体の流量を計測する方法であって、
前記流体の一部を加熱して加熱流体とし、該加熱流体の上昇温度と前記流体の流量との関係を示す検量線を作成するステップと、
前記流体の一部を加熱して加熱流体とするステップと、
前記加熱流体の温度を計測するステップと、
前記検量線を用いて前記流体の流量を計測するステップ
とを備えることを特徴とする流量計測方法。

【要約】

【課題】磁性細線中に現れる磁壁の磁気モーメント（磁化）を利用した強磁性細線素子を提供する。

【解決手段】磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線を用いる。反強磁性体などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。これにより、磁気モーメントの回転をTMR素子などで検出することが可能となる。この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
強磁性細線に含まれる磁壁の磁気モーメントの向きを利用する素子であって、
a)磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線と、
b)前記強磁性細線の長軸方向に直流電流を供給する電流供給手段と、
c)前記電流供給手段によって電流が供給された際に前記磁壁が前記強磁性細線内を移動しないように該磁壁を固定する磁壁固定手段と、
d)前記磁壁内の磁気モーメントの向きを読み出す磁化読出手段と、
を備えることを特徴とする強磁性細線素子。

【請求項２】
前記磁壁固定手段が、前記強磁性細線の軸方向の両端部に設けられ、それぞれ磁気モーメントの向きが該強磁性細線の軸方向と平行であって且つ互いの磁気モーメントが反対の方向を向いている強磁性体である請求項１に記載の強磁性細線素子。

【請求項３】
前記磁壁固定手段が、磁壁を挟む両側の磁気モーメントが互いに異なる方向を向くように、該強磁性細線の軸方向に沿って磁壁の両側に設けられた反強磁性体である請求項１に記載の強磁性細線素子。

【請求項４】
前記磁化読出手段が、前記強磁性細線の磁壁が存在する領域を含んで構成されたTMR素子である請求項１～３のいずれかに記載の強磁性細線素子。

【請求項５】
強磁性細線に含まれる磁壁の磁気モーメントを利用するマイクロ波発振器であって、
磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線と、
前記強磁性細線の長軸方向に直流電流を供給する電流供給手段と、
前記電流供給手段によって電流が供給された際に前記磁壁が前記強磁性細線内を移動しないように該磁壁を固定する磁壁固定手段と、
前記磁壁における磁気モーメントの回転を検出する回転検出手段と、
を備えることを特徴とするマイクロ波発振器。

【請求項６】
前記強磁性細線は、断面の縦横比が1:1.1以内であって、且つ該断面の幅が20nm以下であることを特徴とする請求項５に記載のマイクロ波発振器。

【請求項７】
前記磁壁固定手段が、前記強磁性細線の軸方向の両端部に設けられ、それぞれ磁気モーメントの向きが該強磁性細線の軸方向と平行であって且つ互いの磁気モーメントが反対の方向を向いている強磁性体である請求項５又は６に記載のマイクロ波発振器。

【請求項８】
前記磁壁固定手段が、磁壁を挟む両側の磁気モーメントが互いに異なる方向を向くように、該強磁性細線の軸方向に沿って磁壁の両側に設けられた反強磁性体である請求項５又は６に記載のマイクロ波発振器。

【請求項９】
前記回転検出手段が、前記強磁性細線の磁壁が存在する領域を含んで構成されたTMR素子である請求項５～８のいずれかに記載のマイクロ波発振器。

【請求項１０】
前記強磁性細線の材料がパーマロイである請求項５～９のいずれかに記載のマイクロ波発振器。

【請求項１１】
磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向く磁壁を内部に有する強磁性細線の長軸方向に、前記磁壁が前記強磁性細線内で移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給することにより、前記磁壁における磁気モーメントを長軸の軸中心に回転させ、該磁気モーメントの回転によるマイクロ波を取り出すマイクロ波生成方法。

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向へ移動し得る第１移動部と、当該第１方向と異なる第２方向へ移動し得る第２移動部とが一体に構成されてなる移動装置であって、
上記第１移動部は、
磁性体でなる第１基台に対して永久磁石の磁力により吸着される第１脚部と、
上記第１基台に対して永久磁石の磁力により吸着される第２脚部と、
上記第１脚部及び上記第２脚部の移動可能方向を上記第１方向に制限する第１移動方向制限部と、
上記第１方向に関する上記第１脚部と上記第２脚部との間隔を変更する第１間隔変更部と、
上記第１脚部における磁力を強化することにより上記第１基台に対する上記第１脚部の吸着力を強化する第１磁力強化手段と、
上記第２脚部における磁力を強化することにより上記第１基台に対する上記第２脚部の吸着力を強化する第２磁力強化手段と
を具え、
上記第２移動部は、
磁性体でなる第２基台に対して上記永久磁石の磁力により吸着される第３脚部と、
上記第２基台に対して上記永久磁石の磁力により吸着される第４脚部と、
上記第３脚部及び上記第４脚部の移動可能方向を上記第２方向に制限する第２移動方向制限部と、
上記第２方向に関する上記第３脚部と上記第４脚部との間隔を変更する第２間隔変更部と、
上記第３脚部における磁力を強化することにより上記第２基台に対する上記第３脚部の吸着力を強化する第３磁力強化手段と、
上記第４脚部における磁力を強化することにより上記第２基台に対する上記第４脚部の吸着力を強化する第４磁力強化手段と、
を具えることを特徴とする移動装置。
【請求項２】
上記第１間隔変更部及び上記第２間隔変更部は、
それぞれ圧電素子でなる
ことを特徴とする請求項１に記載の移動装置。
【請求項３】
上記第１移動方向制限部は、
上記第１方向に沿って上記第１基台に形成された第１溝部であり、
上記第２移動方向制限部は、
上記第２方向に沿って上記第２基台に形成された第２溝部である
ことを特徴とする請求項１に記載の移動装置。
【請求項４】
上記第１基台は、
少なくとも上記第１溝部が磁性体でなり、
上記第２基台は、
少なくとも上記第２溝部が磁性体でなる
ことを特徴とする請求項３に記載の移動装置。
【請求項５】
上記第１脚部は、
上記第１基台に対して２以上の接点により当接し、上記第１磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第１基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第２脚部は、
上記第１基台に対して２以上の接点により当接し、上記第２磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第１基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第３脚部は、
上記第２基台に対して２以上の接点により当接し、上記第３磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第２基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第４脚部は、
上記第２基台に対して２以上の接点により当接し、上記第４磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第２基台との間に閉ループ磁気回路を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の移動装置。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください。）

【特許請求の範囲】

【請求項１】
柱状の空孔を有する多孔体が表面に設けられた導電層を一方の電極として、炭素を含有する有機溶剤を電気分解して、前記空孔の側壁に炭素層を形成する工程と、
前記多孔体を取り除く工程と
を具備する
カーボンチューブの製造方法。

【請求項２】
請求項１に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記多孔体は、アルミナである
カーボンチューブの製造方法。

【請求項３】
請求項２に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記導電層上のアルミニウム層を陽極酸化して、前記多孔体としてのアルミナを形成する工程を更に具備する
カーボンチューブの製造方法。

【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記有機溶剤は、アルコール系溶剤である
カーボンチューブの製造方法。

【請求項５】
請求項４に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記アルコール系溶剤は、メタノール、エタノール、及びエチレングリコールのうちの少なくとも一つを含む
カーボンチューブの製造方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
Ｓｉからなる基体の表面上に、Ｎｉを含む金属化合物、Ｃｏを含む金属化合物、およびＦｅを含む金属化合物から選ばれる１種又は２種以上の金属化合物を含有する溶液を塗布し、この基体の表面上に前記金属化合物を形成させる工程と、
前記金属化合物が表面上に形成された基体を、常圧の炭化水素ガス含有雰囲気中で１４００℃以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程とを有し、
前記金属化合物の金属原子の数量が、基体を構成する原子の単位表面積当たりの原子の個数の１００分の１を超え、１未満となる範囲にて、前記金属化合物は前記基体の表面上に形成されることを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。