株式会社キャンパスクリエイト

お客様の課題解決を
産学官連携・オープンイノベーションで実践する広域TLO

TEL 042-490-5734

(調布オフィス)
〒182-8585 東京都調布市調布ヶ丘1-5-1
国立大学法人電気通信大学産学官連携センター内

おもてなし規格認証2019

開放特許情報

ライセンス可能な特許情報を掲載しています。

特許検索

技術分野を選択
キーワードを入力

特許情報

発明の名称 太陽電池およびその製造方法
技術分野 ものづくり, 新エネルギー/省エネルギー, ナノテクノロジー
出願番号 特願2012-183287
概要

【要約】
【課題】 量子効率の向上とキャリアの長寿命化を実現する太陽電池を提供する。
【解決手段】 太陽電池は、第1の導電型の半導体層と、第2の導電型の半導体層と、前記第1及び第2の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域とを含み、前記半導体領域は、前記第1の導電型の半導体層に隣接する第1半導体層と、前記第1半導体上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され面内密度が3.0×1011cm-2~5×1011cm-2、高さが1.5~2.0nmである量子ドットとを含む。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
 第1の導電型の半導体層と、第2の導電型の半導体層と、前記第1及び第2の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域と、を含み、前記半導体領域は、 前記第1の導電型の半導体層に隣接する第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成され面内密度が3.0×1011cm-2~5×1011cm-2、高さが1.5~2.0nmである量子ドットとを含むことを特徴とする太陽電池。
【請求項2】
 前記量子ドット層は、Type-Iバンド構造を有することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
【請求項3】
 前記量子ドット層は、Type-IIバンド構造を有し、前記量子ドット上に形成されて前記第1障壁層とともに前記量子ドットを挟み込む第2障壁層、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
【請求項4】
 波長1000nm以上の光に対する前記量子ドットからの発光の減衰時間が3~6nsであることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。
【請求項5】
 波長1000nm以上の光に対する前記量子ドットからの発光の減衰時間が3~10nsであることを特徴とする請求項3に記載の太陽電池。
【請求項6】
 前記障壁層はGaAsSbであり、前記量子ドットはInAsであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の太陽電池。
【請求項7】
 前記半導体領域において、前記量子ドット層は、前記第2の導電型の半導体層から100~200nm離れた位置に配置されることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の太陽電池。
【請求項8】
 第1の導電型の半導体層上に、第1半導体層を介してアンチモン(Sb)を8~50%含む第1障壁層を形成し、前記第1障壁層上に、基板温度470~480℃で、量子ドットを面内密度3.0×1011cm-2~5×1011cm-2、平均高さ1.5~2.0nmに成長し、前記量子ドットの上方に、第2半導体層を介して第2の導電型の半導体層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項9】
 前記量子ドット上に第2障壁層を形成する工程、をさらに含み、前記第2障壁層上に前記第2半導体層を形成することを特徴とする請求項8に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項10】
 前記第1障壁層の形成は、前記第1半導体層としてのGaAs層上に、GaAsSb層を形成し、 前記量子ドットの形成は、前記GaAsSb層上にInAs量子ドットを形成することを特徴とする請求項8又は9に記載の太陽電池の製造方法。

発明の名称 細胞識別装置及び細胞識別方法、並びに、細胞識別方法のプログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体
技術分野 ものづくり, ナノテクノロジー, 医工連携/ライフサイエンス
出願番号 特願2013-87534
概要

【要約】
【課題】
正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量に基づいて細胞を識別することができる細胞識別装置又は細胞識別方法を提供すること。
【解決手段】
細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量を用いて、前記細胞を識別する細胞識別装置であって、前記細胞を透過したときの前記光の強度に基づいて、前記光路長変化量を計測する計測手段と、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記細胞を識別する解析手段とを有する、ことを特徴とする。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
 細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量を用いて、前記細胞を識別する細胞識別装置であって、前記細胞を透過したときの前記光の強度に基づいて、前記光路長変化量を計測する計測手段と、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記細胞を識別する解析手段とを有することを特徴とする細胞識別装置。
【請求項2】
 前記解析手段は、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量の平均値を算出し、算出した前記平均値を前記閾値とする、ことを特徴とする、請求項1に記載の細胞識別装置。
【請求項3】
 前記解析手段は、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量について複数の平均値を算出し、算出した前記複数の平
均値においてエラーレートに基づいて前記閾値を設定することを特徴とする、請求項1に記載の細胞識別装置。
【請求項4】
 前記解析手段は、前記閾値以下の前記光路長変化量の前記細胞を正常な細胞とし、該閾値を越える該光路長変化量の該細胞を異常な細胞とする、ことを特徴とする、請求項1乃
至請求項3のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項5】
 前記解析手段は、前記癌細胞の転移性癌細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量に基づいて算出される第2の閾値を用いて、前記閾値を越え且つ前記第2の閾値以下の光路長変化量の癌細胞を転移性癌細胞とし、該第2の閾値を越える光路長変化量の癌細胞を非転移性癌細胞とする、ことを特徴とする、請求項4に記載の細胞識別装置。
【請求項6】
 前記解析手段は、前記正常細胞の複数の光路長変化量のうちの値が大きい方から所定の数の光路長変化量を抽出する、ことを特徴とする、請求項1乃至請求項5のいずれか一項
に記載の細胞識別装置。
【請求項7】
 前記計測手段は、前記細胞を透過しない場合の前記光の強度と同一となるように、ピエゾ素子に電圧を印加して該細胞に照射する該光の光路長を変更し、印加した前記電圧に基
づいて前記光路長変化量を計測する、ことを特徴とする、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項8】
 計測した前記光路長変化量に基づいて、前記細胞の外形及び屈折率差若しくは位相差に対応する画像を生成する画像生成部と、生成した前記画像を表示する出力部とを更に有す
る、ことを特徴とする、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項9】
 複数の細胞に光を夫々照射して、複数の光路長変化量を計測する計測ステップと、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記複数の細胞を夫々識別する識別ステップとを含むことを特徴とする細胞識別方法。
【請求項10】
 前記識別ステップは、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量の平均値を算出し、算出した前記平均値を前記閾値とすることを特徴とする、請求項9に記載の細胞識別方法。
【請求項11】
 前記識別ステップは、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量について複数の平均値を算出し、算出した前記複数
の平均値においてエラーレートに基づいて前記閾値を設定することを特徴とする、請求項9に記載の細胞識別方法。
【請求項12】
 前記計測ステップは、前記細胞に照射する前記光の光路長を変更する変更ステップと、前記細胞を透過しない場合の前記光の強度と同一となるように、該細胞に照射する該光の
光路長を変更するフィードバック制御ステップとを含む、ことを特徴とする、請求項9乃至請求項11のいずれか一項に記載の細胞識別方法。
【請求項13】
 請求項9乃至請求項12のいずれか一項に記載の細胞識別方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項14】
 請求項13に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

発明の名称 量子ドットの形成方法および太陽電池
技術分野 ものづくり, 新エネルギー/省エネルギー, ナノテクノロジー
出願番号 特願2013-34949
概要

【要約】
量子ドット間のコアレッセンスを抑制しつつ、高密度な量子ドット配列を実現する量子ドットの形成方法と、これを利用した太陽電池を提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
 GaAsバッファ層上にInAs層を成長する際に、前記InAs層の成長が3次元成長に移行する前の濡れ層の段階で、アンチモン(Sb)を供給圧力2.0×10-7~3.6×10-7 Torrで導入してInAsSb濡れ層を成長し、前記InAsSb濡れ層が0.5ML~1.5ML成長したところで前記Sbの導入を停止して引き続きInAs層を成長してInAs量子ドットを形成する、ことを特徴とする量子ドットの形成方法。
【請求項2】
 前記InAsSb濡れ層および前記InAs量子ドットの成長温度は、460℃~470℃であることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項3】
 前記成長温度が460℃のときに、前記Sbの供給圧力が3.6×10-7 Torrで前記InAsSb濡れ層を1.0~1.5ML成長して、前記InAs量子ドットを、8.0×1011cm-2~1.0×1012cm-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項1または2に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項4】
 前記成長温度が470℃のときに、前記Sbの供給圧力が2.2×10-7~3.5×10-7 Torrの範囲で、前記InAsSb濡れ層を0.8ML~1.5ML成長して、前記InAs量子ドットを6.0×1011cm-2~7.6×1011cm-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項1または2に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項5】
 前記InAsSb濡れ層の成長において、Asの供給圧力は7.3×10-6 Torrであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項6】
 透明電極と、
 第1導電型の半導体層と、
 第2導電型の半導体層と、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層の間に位置する光吸収層と、前記透明電極と反対側の面に位置する電極と、を含み、前記光吸収層は、GaAsバッファ層と、前記GaAsバッファ層上に形成されたInAsSb濡れ層及び前記InAsSb濡れ層上に成長したInAs量子ドットを含む量子ドット層と、前記量子ドット層を覆うGaAs中間層と、を含み、前記量子ドット層と前記GaAs中間層は、交互に1層以上積層されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項7】
 前記InAs量子ドットの面内密度は4.0×1011cm-2~1.0×1012cm-2であることを特徴とする請求項6に記載の太陽電池。
【請求項8】
 前記InAsSb濡れ層の成長量は0.5~1.5MLであることを特徴とする請求項6または7に記載の太陽電池。
【請求項9】
 前記InAs量子ドットの高さは1.6~3.0nmであることを特徴とする請求項8~8のいずれか1項に記載の太陽電池。

発明の名称 ナノファイバーフォトニック結晶
技術分野 ものづくり, ナノテクノロジー
出願番号 特願2012-153479
概要

【要約】 より容易に製造可能であり、かつ、設計自由度も向上させることができるナノファイバーフォトニック結晶を提供する

【特許請求の範囲】
【請求項1】
 表面に光透過性を有する凹凸構造体が形成された光学的機能部材と、伝搬光の波長以下の径を有する光導波路部を有し、前記凹凸構造体上に配置され、かつ、前記光導波路部に光が伝搬した際に生成される近接場と前記凹凸構造体の一部とが重なるような位置に配置されたナノ光ファイバーとを備えるナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項2】
 前記凹凸構造体が、所定周期のグレーティングであり、前記グレーティングを構成する凸部の延在方向が、前記光導波路部の延在方向と直交する請求項1に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項3】
 前記凹凸構造体が、ポリマーで形成されている請求項1又は2に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項4】
 前記ナノ光ファイバーが、コア及びクラッドを含む光ファイバー部と、前記光導波路部及び前記光ファイバー部間を接続し、径が前記光導波路部から前記光ファイバー部に向かって連続的に大きくなる接続部とを有する請求項1~3のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項5】
 前記ナノ光ファイバーが、前記光導波路部の表面にポリマーで形成されたコーティング層を有する請求項1~4のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶。

発明の名称 ナノファイバーフォトニック結晶の製造方法、及び、ナノファイバーフォトニック結晶の製造装置
技術分野 ものづくり, ナノテクノロジー
出願番号 特願2012-153478
概要

【要約】 より高精度にかつより簡易に屈折率が所定パターンで変化するナノ構造体をナノ光ファイバーの表面に形成する。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
 レーザー光源からレーザー光を射出することと、前記レーザー光を分光素子で回折して、+1次の回折光及び-1次の回折光を抽出することと、前記抽出された+1次の回折光及び-1次の回折光を、それぞれ第1光学系及び第2光学系を介してナノ光ファイバーの所定領域に導いて集光し、該所定領域に光の干渉縞を生成することと、前記ナノ光ファイバーの所定領域に集光された光を、前記ナノ光ファイバーのレンズ効果によりさらに集光して、前記ナノ光ファイバーに凹部を形成することとを含むナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項2】
 前記凹部が、ナノ光ファイバーの光照射側とは反対側の面に形成される請求項1に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項3】
 前記ナノ光ファイバーの延在方向に沿って、前記ナノ光ファイバーの所定領域に光の干渉縞を生成して、複数の前記凹部を形成する請求項1又は2に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項4】
 前記レーザー光が、パルスレーザー光である 請求項1~3のいずれかい一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項5】
 前記レーザー光源が、フェムト秒パルスレーザーである請求項1~4のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項6】
 前記分光素子が、位相マスクである 請求項1~5のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項7】
 前記第1光学系及び前記第2光学系がともに、反射ミラーで構成される請求項1~6のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項8】
 前記ナノ光ファイバーの所定領域の径が、該所定領域を伝搬する光の波長以下の値である請求項1~7のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項9】
 レーザー光源と、前記レーザー光源から射出されたレーザー光をナノ光ファイバーの所定領域に集光する集光レンズと、前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記集光レンズ間に設けられ、前記集光レンズを介して入射されたレーザー光を回折して、+1次の回折光及び-1次の回折光を抽出する分光素子と、 前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記分光素子間に設けられ、前記分光素子で抽出された+1次の回折光を前記ナノ光ファイバーの所定領域に導く第1光学系と、 前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記分光素子間に設けられ、前記分光素子で抽出された-1次の回折光を前記ナノ光ファイバーの所定領域に導く第2光学系とを備えるナノファイバーフォトニック結晶の製造装置。
【請求項10】
 さらに、前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記位相マスク間の領域において、前記ナノ光ファイバーの所定領域の真上に設けられ、かつ、前記位相マスクで前記レーザー光を回折した際に生成される0次の回折光が前記ナノ光ファイバーの所定領域の照射されることを防止するような位置に設けられた遮蔽板を備える請求項9に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造装置。

発明の名称 波長変換装置、及び波長変換方法
技術分野 ものづくり, ナノテクノロジー
出願番号 特願2014-85572
概要

【要約】

【課題】
発振スペクトルが狭窄化されていないレーザー光でも効率的に波長変換する。

【解決手段】
基本波光を波長変換素子50によって波長変換する波長変換装置1であって、基本波光L1として発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を連続的に発振するレーザー発振部10と、レーザー発振部で発振された基本波光のビーム径を拡大する拡大光学系部20と、拡大光学系部でビーム径が拡大された拡大基本波光L2を透過させて当該拡大基本波光の波長を分散させる回折格子32が設けられる波長分散部30と、波長分散部から所定の大きさの光学的距離を介して設けられ、波長が分散された拡大基本波光L3を集光レンズ42で集光して波長変換素子に導く波長・角度分散部40と、を備えることを特徴とする。

【特許請求の範囲】

【請求項1】
基本波光を波長変換素子によって波長変換する波長変換装置であって、
前記基本波光として発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を連続的に発振するレーザー発振部と、
前記レーザー発振部で発振された前記基本波光のビーム径を拡大する拡大光学系部と、
前記拡大光学系部で前記ビーム径が拡大された拡大基本波光を透過させて該拡大基本波光の波長を分散させる回折格子が設けられる波長分散部と、
前記波長分散部から所定の大きさの光学的距離を介して設けられ、前記波長が分散された拡大基本波光を集光レンズで集光して前記波長変換素子に導く波長・角度分散部と、を備えることを特徴とする波長変換装置。

【請求項2】
前記レーザー発振部は、ファイバーレーザーによって前記レーザー光が連続発振されることを特徴とする請求項1に記載の波長変換装置。

【請求項3】
前記波長・角度分散部は、前記光学的距離が下記の条件式を満たすように設定されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の波長変換装置。
L/f=1.26×δcosβ
L:回折格子と集光レンズとの距離
f:集光レンズの焦点距離
δ:回折格子の溝の間隔
β:回折格子による回折角

【請求項4】
前記波長分散部は、一又は複数の透過型回折格子から構成され、前記透過型回折格子によって前記拡大基本波光を回折させて、該拡大基本波光の前記波長を分散させることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の波長変換装置。

【請求項5】
前記波長分散部には、前記透過型回折格子によって回折された前記拡大基本波光を反射させる一又は複数の反射ミラーが更に設けられ、前記反射ミラーによって反射後の前記拡大基本波光を前記透過型回折格子に戻し、再度回折させることを特徴とする請求項4に記載の波長変換装置。

【請求項6】
前記拡大光学系部は、入力段側に設けられる第1レンズと出力段側に設けられる第2レンズが所定の距離を介して対向するように構成され、前記第1レンズと前記第2レンズとの距離を変更することによって、前記基本波光の前記ビーム径を調整することを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載の波長変換装置。

【請求項7】
基本波光を波長変換素子によって波長変換する波長変換方法であって、
発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を前記基本波光として連続的に発振するレーザー光発振工程と、
前記基本波光のビーム径を拡大するビーム径拡大工程と、
前記ビーム径が拡大された拡大基本波光を回折格子に透過させて該拡大基本波光の波長を分散させる波長分散工程と、
前記波長が分散された拡大基本波光を前記回折格子から所定の大きさの光学的距離を介して設けられた集光レンズによって前記波長変換素子に導く波長・角度分散工程と、を含むことを特徴とする波長変換方法。

発明の名称 スペクトル位相補償方法及びスペクトル位相補償装置
技術分野 ものづくり, ナノテクノロジー
出願番号 特願2009-12229
概要

【要約】

【課題】
繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を安価で単純な装置で行う。

【解決手段】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面21A1,21B1を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面21A2と出射面21B2との距離が可変自在とされ、隣り合うスペクトルの位相差を2πの整数倍とする厚さに調整される厚さtが調整自在な平行平板部21を形成する正分散媒質からなる1対の光学素子21A,21Bを有するスペクトル位相補償装置20により、 広帯域光Lwのスペクトルの位相補償を行う。

【特許請求の範囲】

【請求項1】
隣り合うスペクトルの位相差を2πの整数倍とする厚さの正分散媒質からなる平行平板を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償方法。

【請求項2】
隣り合うスペクトルの位相差を2πの整数倍とする厚さの正分散媒質からなり、広帯域光が入射される平行平板を備え、
上記平行平板を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償装置。

【請求項3】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面と出射面との距離が可変自在とされた正分散媒質からなる1対の光学素子により、隣り合うスペクトルの位相差を2πの整数倍とする厚さに調整された平行平板部を形成し、
上記平行平板部を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償方法。

【請求項4】
上記平行平板部の厚さを、入射される広帯域光に存在する2次分散を打ち消して、隣り合うスペクトルの位相差を2πの整数倍とする厚さに調整することを特徴とする請求項3記載のスペクトル位相補償方法。

【請求項5】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面と出射面との距離が可変自在とされ、隣り合うスペクトルの位相差を2πの整数倍とする厚さに調整される厚さが調整自在な平行平板部を形成する正分散媒質からなる1対の光学素子を有し、
上記平行平板部を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償装置。

【請求項6】
上記平行平板部は、入射される広帯域光に存在する2次分散を打ち消して、隣り合うスペクトルの位相差を2πの整数倍とする厚さに調整されることを特徴とする請求項5記載のスペクトル位相補償装置。

【請求項7】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面と出射面との距離が可変自在とされた正分散媒質からなる1対の光学素子により形成される厚さが調整自在な平行平板部に広帯域光を入射し、
上記平行平板部を透過した光を検出し、その検出出力に基づいて上記1対の光学素子の少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動させる駆動部を動作させ、上記平行平板部の厚さを隣り合うスペクトルの位相差を2πの整数倍とする厚さに制御し、
上記平行平板部を透過させることにより、上記広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償方法。

(以下、詳細は特許公報をご参照ください)

発明の名称 離散スペクトルのスペクトル位相計測装置、及び、離散スペクトルのスペクトル位相計測方法
技術分野 ものづくり, ナノテクノロジー
出願番号 特願2008-76556
概要

【要約】

【課題】
スペクトルの広帯域化以前に周波数を指定し、単純な光共振器を参照するだけで、その絶対周波数を制御した所望の広帯域離散スペクトルを発生する。

【解決手段】
レーザー光源11から出射された二波長の励起レーザー光が入射される光共振器12を通過した励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御する制御部13により、上記二波長の励起レーザー光の周波数を光共振器12の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器12のフリースペクトルレンジ(FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とする制御を行い、広帯域離散スペクトル生成用セル14により、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質14Aにおける差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】
二波長の励起レーザー光を出射するレーザー光源と、
上記レーザー光源から出射された二波長の励起レーザー光が入射される光共振器と、
上記光共振器を通過した二波長の励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御する制御部と、
上記制御部により周波数が制御された上記二波長の励起レーザー光が上記レーザー光源から入射される非線形媒質を含む広帯域離散スペクトル生成用セルとを備え、
上記制御部により、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を上記光共振器の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器のフリースペクトルレンジ(FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とし、
上記広帯域離散スペクトル生成用セルにより、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質における差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生することを特徴とする広帯域離散スペクトル発生装置。

【請求項2】
上記広帯域離散スペクトル生成用セルは、非線形媒質としてラマン媒質を含むことを特徴とする請求項1記載の広帯域離散スペクトル発生装置。

【請求項3】
二波長の励起レーザー光が入射される非線形媒質を含む広帯域離散スペクトル生成用セルにより、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質における差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生する広帯域離散スペクトル発生装置の周波数制御方法であって、
上記二波長の励起レーザー光を出射するレーザー光源から出射された二波長の励起レーザー光を光共振器に入射させ、
上記光共振器を通過した二波長の励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御し、
上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を上記光共振器の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器の自由スペクトル間隔(FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とすることを特徴とする広帯域離散スペクトル発生装置の周波数制御方法。

発明の名称 強磁性ドットのコア反転方法、コアの向き制御方法、強磁性ドットのコア利用素子
技術分野 IT, ナノテクノロジー
出願番号 特願2007-241748
概要

【要約】

【課題】
円盤形状の強磁性体から成り、磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットにおけるコアの向きを反転させる簡便な方法を提供する。

【解決手段】
強磁性ドットの径方向に、該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給する。望ましくは、各パルス電流を強磁性ドットの径方向の両端部から交互に供給すると良い。パルス電流を複数回を供給することにより、比較的低い電流密度でコアを反転させることができるから、素子の破損を防止することができる。電流密度、パルス長を適宜に決定しておくことによって、コアの向きを一回だけ反転させることができる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットのコアの向きを反転させる方法であって、
強磁性ドットの径方向に該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給することにより、強磁性ドットのコアの向きを反転させる
ことを特徴とする強磁性ドットのコア反転方法。

【請求項2】
前記各パルス電流を、前記強磁性ドットの径方向の両端部から交互に供給する
ことを特徴とする請求項1に記載のコア反転方法。

【請求項3】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットにおけるコアの向きを制御する方法であって、
該強磁性ドットの周囲において該周囲を略三等分する各位置に、第一電流供給部、第二電流供給部、及び接地部を設けておき、
該第一電流供給部より該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数の交流電流を供給するとともに、
該第二電流供給部より該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数を有し、該第一電流供給部から供給される交流電流に対して位相が120°又は-120°ずれた交流電流を供給することにより、該位相のずれに応じた方向にコアの向きを決定する
ことを特徴とする、強磁性ドットのコアの向き制御方法。

【請求項4】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットと、
該強磁性ドットの径方向に、該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給するパルス電流供給部と、
を備えることを特徴とする強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項5】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットと、
該強磁性ドットの周囲を三等分する各位置に、
該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数の交流電流を供給する第一電流供給部と、
該強磁性ドットの共振周波数と等しい周波数を有し、該第一電流供給部から供給される交流電流に対して位相が120°又は-120°ずれた交流電流を供給する第二電流供給部と、
接地部と、
を備えることを特徴とする強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項6】
前記強磁性ドットが、平面形状が直径50μm以下の略円形であって厚みが1μm以下である円盤形状であることを特徴とする請求項4又は5に記載の強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項7】
コアの向きを読み出す読出し部を更に備えたことを特徴とする請求項4~6のいずれかに記載の強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項8】
請求項7に記載の強磁性ドットのコア利用素子を複数並べたことを特徴とする情報記録素子。

発明の名称 流量計測装置および流量計測方法
技術分野 ものづくり, ナノテクノロジー
出願番号 特願2007-101335
概要

【要約】

【課題】
保守の必要性の少ない、安価で単純、かつ高精度な微小流量計を提供する。

【解決手段】
先ず、流量と加熱による温度上昇との関係を示す検量線を作成する。そして、流体を流路に流し、流路の途中に設けられた加熱器で流体を加熱する。この加熱流体は流れに乗って移動するとともに熱拡散によって温度が一様化される。流路の途中に設けられた拡散部において、加熱器における加熱による加速の影響が緩和され、十分な拡散が行われる。そして、加熱器の下流側に設けられた温度検出部において加熱流体の温度計測が行われ、上記検量線に基づき流量が求まる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】
流体を通過させる流路と、
前記流路を流れる流体を加熱する加熱器と、
前記流路の途中に設けられ、前記加熱器における加熱による加速の影響を緩和し流体の拡散を促す拡散部と、
前記加熱器の下流側に設けられ、前記加熱流体の温度を検出する温度検出部と
を備え、
前記加熱器は前記流路中または拡散部中に配置されている
ことを特徴とする流量計測装置。

【請求項2】
前記加熱器の制御および/または前記温度検出部からの検出信号の信号処理を行う情報処理装置を備えたことを特徴とする請求項1に記載の流量計測装置。

【請求項3】
前記流路が、該流路を流れる流体を重力と略逆向きに通過させるように保持されていることを特徴とする請求項1または2に記載の流量計測装置。

【請求項4】
前記流路が、該流路を流れる流体を重力と略同一方向に通過させるように保持されていることを特徴とする請求項1または2に記載の流量計測装置。

【請求項5】
前記拡散部が、前記流路の管径を縮小するレデューサであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項6】
前記拡散部が、少なくとも一つの穴を有するプレートが流れ方向に対し直角に挿入してあることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項7】
前記加熱器による前記流体の加熱位置は、前記流体の流れ方向に直交する仮想面において、ほぼ中央であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項8】
前記流体の流量は1ml
/min以下であることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項9】
加熱による加速の影響を緩和し流体の拡散を促す拡散部を有する流路を流れる流体の流量を計測する方法であって、
前記流体の一部を加熱して加熱流体とするステップと、
前記加熱流体の温度を計測するステップと、
前記加熱流体の上昇温度と前記流体の流量との関係を示す検量線を用いて、前記流体の流量を計測するステップ
とを備えることを特徴とする流量計測方法。

【請求項10】
加熱による加速の影響を緩和し流体の拡散を促す拡散部を有する流路を流れる流体の流量を計測する方法であって、
前記流体の一部を加熱して加熱流体とし、該加熱流体の上昇温度と前記流体の流量との関係を示す検量線を作成するステップと、
前記流体の一部を加熱して加熱流体とするステップと、
前記加熱流体の温度を計測するステップと、
前記検量線を用いて前記流体の流量を計測するステップ
とを備えることを特徴とする流量計測方法。

発明の名称 強磁性細線素子
技術分野 ものづくり, ナノテクノロジー
出願番号 特願2006-298840
概要

【要約】

【課題】磁性細線中に現れる磁壁の磁気モーメント(磁化)を利用した強磁性細線素子を提供する。

【解決手段】磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線を用いる。反強磁性体などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。これにより、磁気モーメントの回転をTMR素子などで検出することが可能となる。この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。

【特許請求の範囲】

【請求項1】
強磁性細線に含まれる磁壁の磁気モーメントの向きを利用する素子であって、
a)磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線と、
b)前記強磁性細線の長軸方向に直流電流を供給する電流供給手段と、
c)前記電流供給手段によって電流が供給された際に前記磁壁が前記強磁性細線内を移動しないように該磁壁を固定する磁壁固定手段と、
d)前記磁壁内の磁気モーメントの向きを読み出す磁化読出手段と、
を備えることを特徴とする強磁性細線素子。

【請求項2】
前記磁壁固定手段が、前記強磁性細線の軸方向の両端部に設けられ、それぞれ磁気モーメントの向きが該強磁性細線の軸方向と平行であって且つ互いの磁気モーメントが反対の方向を向いている強磁性体である請求項1に記載の強磁性細線素子。

【請求項3】
前記磁壁固定手段が、磁壁を挟む両側の磁気モーメントが互いに異なる方向を向くように、該強磁性細線の軸方向に沿って磁壁の両側に設けられた反強磁性体である請求項1に記載の強磁性細線素子。

【請求項4】
前記磁化読出手段が、前記強磁性細線の磁壁が存在する領域を含んで構成されたTMR素子である請求項1~3のいずれかに記載の強磁性細線素子。

【請求項5】
強磁性細線に含まれる磁壁の磁気モーメントを利用するマイクロ波発振器であって、
磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線と、
前記強磁性細線の長軸方向に直流電流を供給する電流供給手段と、
前記電流供給手段によって電流が供給された際に前記磁壁が前記強磁性細線内を移動しないように該磁壁を固定する磁壁固定手段と、
前記磁壁における磁気モーメントの回転を検出する回転検出手段と、
を備えることを特徴とするマイクロ波発振器。

【請求項6】
前記強磁性細線は、断面の縦横比が1:1.1以内であって、且つ該断面の幅が20nm以下であることを特徴とする請求項5に記載のマイクロ波発振器。

【請求項7】
前記磁壁固定手段が、前記強磁性細線の軸方向の両端部に設けられ、それぞれ磁気モーメントの向きが該強磁性細線の軸方向と平行であって且つ互いの磁気モーメントが反対の方向を向いている強磁性体である請求項5又は6に記載のマイクロ波発振器。

【請求項8】
前記磁壁固定手段が、磁壁を挟む両側の磁気モーメントが互いに異なる方向を向くように、該強磁性細線の軸方向に沿って磁壁の両側に設けられた反強磁性体である請求項5又は6に記載のマイクロ波発振器。

【請求項9】
前記回転検出手段が、前記強磁性細線の磁壁が存在する領域を含んで構成されたTMR素子である請求項5~8のいずれかに記載のマイクロ波発振器。

【請求項10】
前記強磁性細線の材料がパーマロイである請求項5~9のいずれかに記載のマイクロ波発振器。

【請求項11】
磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向く磁壁を内部に有する強磁性細線の長軸方向に、前記磁壁が前記強磁性細線内で移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給することにより、前記磁壁における磁気モーメントを長軸の軸中心に回転させ、該磁気モーメントの回転によるマイクロ波を取り出すマイクロ波生成方法。

(以下、詳細は特許公報をご参照ください)

発明の名称 移動装置及び制御方法
技術分野 ものづくり, ナノテクノロジー
出願番号 特願2006-106516
概要

【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1方向へ移動し得る第1移動部と、当該第1方向と異なる第2方向へ移動し得る第2移動部とが一体に構成されてなる移動装置であって、
上記第1移動部は、
磁性体でなる第1基台に対して永久磁石の磁力により吸着される第1脚部と、
上記第1基台に対して永久磁石の磁力により吸着される第2脚部と、
上記第1脚部及び上記第2脚部の移動可能方向を上記第1方向に制限する第1移動方向制限部と、
上記第1方向に関する上記第1脚部と上記第2脚部との間隔を変更する第1間隔変更部と、
上記第1脚部における磁力を強化することにより上記第1基台に対する上記第1脚部の吸着力を強化する第1磁力強化手段と、
上記第2脚部における磁力を強化することにより上記第1基台に対する上記第2脚部の吸着力を強化する第2磁力強化手段と
を具え、
上記第2移動部は、
磁性体でなる第2基台に対して上記永久磁石の磁力により吸着される第3脚部と、
上記第2基台に対して上記永久磁石の磁力により吸着される第4脚部と、
上記第3脚部及び上記第4脚部の移動可能方向を上記第2方向に制限する第2移動方向制限部と、
上記第2方向に関する上記第3脚部と上記第4脚部との間隔を変更する第2間隔変更部と、
上記第3脚部における磁力を強化することにより上記第2基台に対する上記第3脚部の吸着力を強化する第3磁力強化手段と、
上記第4脚部における磁力を強化することにより上記第2基台に対する上記第4脚部の吸着力を強化する第4磁力強化手段と、
を具えることを特徴とする移動装置。
【請求項2】
上記第1間隔変更部及び上記第2間隔変更部は、
それぞれ圧電素子でなる
ことを特徴とする請求項1に記載の移動装置。
【請求項3】
上記第1移動方向制限部は、
上記第1方向に沿って上記第1基台に形成された第1溝部であり、
上記第2移動方向制限部は、
上記第2方向に沿って上記第2基台に形成された第2溝部である
ことを特徴とする請求項1に記載の移動装置。
【請求項4】
上記第1基台は、
少なくとも上記第1溝部が磁性体でなり、
上記第2基台は、
少なくとも上記第2溝部が磁性体でなる
ことを特徴とする請求項3に記載の移動装置。
【請求項5】
上記第1脚部は、
上記第1基台に対して2以上の接点により当接し、上記第1磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第1基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第2脚部は、
上記第1基台に対して2以上の接点により当接し、上記第2磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第1基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第3脚部は、
上記第2基台に対して2以上の接点により当接し、上記第3磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第2基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第4脚部は、
上記第2基台に対して2以上の接点により当接し、上記第4磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第2基台との間に閉ループ磁気回路を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の移動装置。

(以下、詳細は特許公報をご参照ください。)

発明の名称 カーボンチューブ及びカーボンチューブの製造方法
技術分野 ナノテクノロジー
出願番号 特願2005-241298
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
柱状の空孔を有する多孔体が表面に設けられた導電層を一方の電極として、炭素を含有する有機溶剤を電気分解して、前記空孔の側壁に炭素層を形成する工程と、
前記多孔体を取り除く工程と
を具備する
カーボンチューブの製造方法。

【請求項2】
請求項1に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記多孔体は、アルミナである
カーボンチューブの製造方法。

【請求項3】
請求項2に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記導電層上のアルミニウム層を陽極酸化して、前記多孔体としてのアルミナを形成する工程を更に具備する
カーボンチューブの製造方法。

【請求項4】
請求項1乃至3のいずれか一項に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記有機溶剤は、アルコール系溶剤である
カーボンチューブの製造方法。

【請求項5】
請求項4に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記アルコール系溶剤は、メタノール、エタノール、及びエチレングリコールのうちの少なくとも一つを含む
カーボンチューブの製造方法。

発明の名称 量子ドットの形成方法
技術分野 ナノテクノロジー
出願番号 特願2004-262638
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
GaAs基板の表面に、GaAsバッファ層を成長して形成し、
前記GaAsバッファ層の表面または前記GaAsバッファ層の上層に、GaSbxAs1-x(x=1)層を0.24~1.52ML厚に成長して形成し、
前記GaSbxAs1-x(x=1)層の表面に、InAs量子ドットを成長して自己形成する
ことを特徴とする量子ドットの形成方法。

【請求項2】
前記GaSbxAs1-x(x=1)層は、As-Sb交換反応によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項3】
前記InAs量子ドットは、1.1×1011cm-2以上のドット密度で自己形成されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項4】
前記InAs量子ドットの自己形成ステップにおいて、コアレッセンスの発生が抑制されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項5】
前記InAs量子ドットは、その成長初期において、細線状の2次元島が形成されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項6】
GaAs基板の表面に、GaAsバッファ層を成長して形成し、
前記GaAsバッファ層の表面に、GaAsSb混晶バッファ層を成長して形成し、
前記GaAsSb混晶バッファ層上にGaAs層を成長して形成し、
前記GaAs層の表面にInAs量子ドットを、前記基板面内の所定の方向に、正方格子状に自己配列させて形成することを特徴とする量子ドットの形成方法。

【請求項7】
前記InAs量子ドットは、(001)基板面内上の<010>方向に沿って正方格子状に配列することを特徴とする請求項6に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項8】
前記InAs量子ドットは、1×1011cm-2以上のドット密度で正方格子状に自己配列することを特徴とする請求項6に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項9】
前記GaAsSb混晶バッファ層を、As4/Sb4 照射フラックス比3~9で形成することを特徴とする請求項6に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項10】
GaAs基板と、
前記GaAs基板上の活性層と、
前記活性層に電流を注入する電極と
を備え、前記活性層は、
0.24~1.52ML厚のGaSb層と、
前記GaSb層の表面に成長したInAs量子ドットと、
前記InAs量子ドットを埋め込むGaAs埋め込み層と、
を含み、前記InAs量子ドットは、1.1×1011cm-2以上の密度で配置されることを特徴とする量子ドットレーザ。

発明の名称 量子半導体装置およびその製造方法
技術分野 ナノテクノロジー
出願番号 特願2004-244210
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
半導体基板と、
前記半導体基板上に位置する第1の量子ドットと、
前記第1の量子ドットを埋め込む第1の半導体結晶層と、
前記第1の半導体結晶層上に位置するコンタクト用の第2の量子ドットと、
前記第2の量子ドットを埋め込む第2の半導体結晶層と、
前記第2の半導体結晶層において、前記第2の量子ドットに接続する自己形成ナノホール内に形成されるナノホール電極と
を有することを特徴とする量子半導体装置。

【請求項2】
前記ナノホール電極の直径は、20~30nmであることを特徴とする請求項1に記載の量子半導体装置。

【請求項3】
前記第2の半導体結晶層の膜厚は、8~15nmであることを特徴とする請求項1に記載の量子半導体装置。

【請求項4】
前記第1および第2の量子ドットはInAsであり、前記第1および第2の半導体結晶層はGaAsであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の量子半導体装置。

【請求項5】
半導体基板上に、第1の量子ドットと、前記第1の量子ドットを埋め込む第1の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第1の半導体結晶層上に、コンタクト用の第2の量子ドットと、第2の量子ドットを埋め込む第2の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第2の半導体結晶層を所定の条件でアニールして、前記第2の量子ドットの直上にのみナノホールを自己形成するステップと、
前記ナノホールを導電体で埋め込むステップと
を含むことを特徴とする量子半導体装置の製造方法。

【請求項6】
前記アニールは、基板温度450~550℃で、3~10分間行うことを特徴とする請求項5に記載の量子半導体装置の製造方法。

発明の名称 半導体素子
技術分野 ナノテクノロジー
出願番号 特願2004-249408
概要

【請求項1】
可飽和吸収特性を示す半導体薄膜を有する半導体素子であって、前記半導体薄膜を加圧する加圧手段を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項2】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を0Paより大きく、1GPaより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項3】
前記半導体薄膜は、Be又はCが1×1019cm-3以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項4】
前記半導体薄膜は100nm以上の厚さを有する請求項1記載の半導体素子。

【請求項5】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項6】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸型構造の薄膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体薄膜。

【請求項7】
基板と、該基板上に配置される複数の光入力部と、該複数の光入力部から入力される光に基づいて光の透過、不透過を制御する可飽和吸収特性を示す半導体薄膜と、該半導体薄膜が光を透過した場合に光を外部に導く出力部と、該半導体薄膜を加圧する加圧手段と、を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項8】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を0Paより大きく、1GPaより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項9】
前記半導体薄膜は、Be又はCが1×1019cm-3以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項10】
前記半導体薄膜は100nm以上の厚さを有する請求項7記載の半導体素子。

【請求項11】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項12】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸構造の薄膜であることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

発明の名称 レーザー光発生装置
技術分野 ものづくり, ナノテクノロジー
出願番号 特願2004-56879
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
単一縦モード波長を出力する、少なくとも2個以上の種光発生手段と、 前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、 前記合成された種光を特定波長に同期させ、該種光毎に生成される周波数純度が良く且つ光強度の高いレーザー光を出力するレーザー光発生手段と、前記レーザー光を予め定める波長別に弁別する弁別手段と、弁別されたレーザー光を電気信号に変換し、予め設定された基準信号と比較して、該電気信号と該基準信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する駆動制御手段と、 を備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

【請求項2】
単一縦モード波長を出力する少なくとも2個以上の種光発生手段と、 前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、 前記合成された種光を特定波長に同期させ、該種光毎に生成される周波数純度が良く且つ光強度の高いレーザー光を出力するレーザー光発生手段と、 前記レーザー光を電気信号に変換する光電変換手段と、前記電気信号を予め定められる周波数の電気信号毎に弁別する電気信号弁別手段と、弁別された電気信号を、予め設定された基準信号と比較して、該基準信号と該電気信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、各前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する駆動制御手段と、前記種光発生手段にレーザー光に重畳させる変調信号を前記種光発生手段に出力する変調信号発生手段と、を備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

【請求項3】
前記種光発生手段に前記補正値を出力する場合は、該種光発生手段毎に前記駆動制御手段を設けることを特徴とする請求項1又は2記載のレーザー光発生装置。

【請求項4】
前記種光発生手段に変調信号を出力する変調信号発生手段を備えることを特徴とする請求項1記載のレーザー光発生装置。

【請求項5】
前記駆動制御手段は、前記基準信号に対する前記電気信号の変位方向と変位量に基づいて補正値を算出し、該補正値を含む補正信号を共振器長に出力することを特徴とする請求項1又は2記載のレーザー光発生装置。

【請求項6】
前記弁別手段は、前記レーザー光発生手段から出力されたレーザー光を波長毎に分光する分光手段と、分光された光を電気信号に変換する光電変換手段を有することを特徴とする請求項1記載のレーザー光発生装置。

【請求項7】
前記種光発生手段毎に前記変調信号発生手段を設けることを特徴とする請求項2記載のレーザー光発生装置。

【請求項8】
単一縦モード波長を出力する、少なくとも2個以上の種光発生手段と、前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、前記合成された種光をもとに光ソリトン列を形成する非線形媒質と、前記非線形媒質から出力されたレーザー光をパワーオシレーターの増幅周波数領域に一致させるための高調波発生手段と、光ソリトン又はその高調波を特定波長に同期させ高出力化された光ソリトン列を発生させるレーザー光発生手段と、該レーザー光を予め定められる波長別に弁別する弁別手段と、弁別されたレーザー光を電気信号に変換する光電変換手段と、該電気信号と予め設定された基準信号と比較して、該電気信号と該基準信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又はレーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する手段とを備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

※以下、詳細は特許公報をご参照ください。

発明の名称 パラジウム触媒を用いた選択的水素添加反応方法
技術分野 環境/有機化学/無機化学, ナノテクノロジー
出願番号 特願2002-33258
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】

 陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた、導電性支持体上に担持されたパラジウムブラックの存在下、A)炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つと炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合を有する化合物、B)炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つを有する化合物及びC)炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合を有する化合物から成る群より、炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つと炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合とが共存するように選択された化合物若しくはその組み合わせと、水素とを接触させることを特徴とする、当該炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び/又は炭素-炭素三重結合の選択的水素添加反応方法。

【請求項2】

 陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた導電性を含んで成る支持体上に担持されたパラジウムブラックから成る、炭素-炭素三置換二重結合及び炭素-炭素四置換二重結合への水素添加反応を伴うことのない、炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び/又は炭素-炭素三重結合の選択的水素添加反応用触媒。