量子半導体装置

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発明の名称	量子半導体装置およびその製造方法
技術分野	ナノテクノロジー
出願日	平成１６年８月２４日
出願番号	特願２００４－２４４２１０
公開番号	特開２００６－６６４６３
登録番号	特許第４５００９６３号
出願人	国立大学法人電気通信大学
発明者	山口浩一
特許公報	PDFのダウンロードはこちらから
概要	【特許請求の範囲】【請求項１】半導体基板と、前記半導体基板上に位置する第１の量子ドットと、前記第１の量子ドットを埋め込む第１の半導体結晶層と、前記第１の半導体結晶層上に位置するコンタクト用の第２の量子ドットと、前記第２の量子ドットを埋め込む第２の半導体結晶層と、前記第２の半導体結晶層において、前記第２の量子ドットに接続する自己形成ナノホール内に形成されるナノホール電極とを有することを特徴とする量子半導体装置。【請求項２】前記ナノホール電極の直径は、２０～３０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の量子半導体装置。【請求項３】前記第２の半導体結晶層の膜厚は、８～１５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の量子半導体装置。【請求項４】前記第１および第２の量子ドットはＩｎＡｓであり、前記第１および第２の半導体結晶層はＧａＡｓであることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の量子半導体装置。【請求項５】半導体基板上に、第１の量子ドットと、前記第１の量子ドットを埋め込む第１の半導体結晶層を形成するステップと、前記第１の半導体結晶層上に、コンタクト用の第２の量子ドットと、第２の量子ドットを埋め込む第２の半導体結晶層を形成するステップと、前記第２の半導体結晶層を所定の条件でアニールして、前記第２の量子ドットの直上にのみナノホールを自己形成するステップと、前記ナノホールを導電体で埋め込むステップとを含むことを特徴とする量子半導体装置の製造方法。【請求項６】前記アニールは、基板温度４５０～５５０℃で、３～１０分間行うことを特徴とする請求項５に記載の量子半導体装置の製造方法。

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