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開放特許情報

特許情報

発明の名称 蛍光体、その製造方法及び発光装置
技術分野 環境/有機化学/無機化学
出願日 平成24年12月13日
出願番号 特願2012-272083
公開番号 特開2014-118421
登録番号
出願人 国立大学法人電気通信大学
発明者 七井 靖
奥野 剛史
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概要 【要約】
【課題】高輝度及び高効率であり、化学的安定性が高い蛍光体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式(1):(Ln1‐xREx)4(SiS4)3で表され、LnはSc、Y、Gd及びLuからなる群より選ばれる1種以上であり、REはLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Bi及びMnからなる群より選ばれる一種以上であり、xは0.001≦x≦0.6である、蛍光体である。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
 一般式(1):(Ln1‐xREx)4(SiS4)3で表され、LnはSc、Y、Gd及びLuからなる群より選ばれる1種以上であり、REはLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Bi及びMnからなる群より選ばれる一種以上であり、xは0.001≦x≦0.6である、蛍光体。
【請求項2】
 結晶構造が単斜晶(空間群P21/n、No.14)である、請求項1に記載の蛍光体。
【請求項3】
 一般式(1)において前記LnがY及び/またはGdを含み、前記REがCeを含み、波長300nm~500nmにピークを有する光で励起する場合に、波長450nm~650nmに発光ピークを有する、請求項1または2に記載の蛍光体。
【請求項4】
 一般式(1)において前記LnがY及び/またはGdを含み、前記REがTbを含み、波長300nm~500nmにピークを有する光で励起する場合に、波長530nm~550nmに半値全幅1~50nmの発光ピークを有する、請求項1から3のいずれか1項に記載の蛍光体。
【請求項5】
 一般式(2):(R1‐yREy)6Si4S17で表され、RはLaであり、REはSc、Y、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Bi及びMnからなる群より選ばれる一種以上であり、yは0.001≦y≦0.1である、蛍光体。
【請求項6】
 結晶構造が三斜晶(空間群P‐1、No.2)である、請求項5に記載の蛍光体。
【請求項7】
 一般式(2)において前記REがCeを含み、波長300nm~500nmにピークを有する光で励起する場合に、波長400nm~650nmに発光ピークを有する、請求項
5または6に記載の蛍光体。
【請求項8】
 請求項1から4のいずれか1項に記載の蛍光体と、請求項5から7のいずれか1項に記載の蛍光体とを含む、蛍光体。
【請求項9】
 Sc、Y、La、Gd及びLuからなる群より選ばれる一種類以上の化合物と、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Bi及びMnからなる群より選ばれる一種類以上の化合物と、Si及び/またはSi化合物と、S及び/またはS化合物とを含む原料を混合する工程、及び前記原料を1000℃から1150℃で焼成する工程を含み、前記Sc、Y、La、Gd及びLuからなる群より選ばれる一種類以上の化合物と前記Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Bi及びMnからなる群より選ばれる一種類以上の化合物との混合物中の化学量論比が0.999:0.001~0.4:0.6である、蛍光体の製造方法。
【請求項10】
 前記焼成後、冷却速度150℃/分以上で冷却する工程をさらに含む、請求項9に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項11】
 前記S及び/またはS化合物がS粉末及び/または硫化シリコン粉末であり、前記焼成を真空、不活性ガス雰囲気または還元雰囲気の閉管内で行う、請求項9または10に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項12】
 前記S及び/またはS化合物が硫化水素及び二硫化炭素からなる群から選択させる1種以上のガスを含む、請求項9から11のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項13】
 請求項1から8のいずれか1項に記載の蛍光体を有する、発光装置。

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