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開放特許情報

特許情報

発明の名称 太陽電池
技術分野 新エネルギー/省エネルギー, ナノテクノロジー
出願日 平成26年8月29日
出願番号 特願2014-175843
公開番号 特開2016-51785
登録番号
出願人 国立大学法人電気通信大学
発明者 常 進
久家 裕輝
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概要 【要約】
【課題】
 効率を改善したヘテロ接合型の太陽電池を提供する。
【解決手段】
 太陽電池は、光透過性を有する基板と、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成される導電膜と、前記導電膜に積層される正孔ブロック層と、前記正孔ブロック層に積層される、pnヘテロ接合型の光電変換層と、前記光電変換層に積層される電極とを含み、前記光電変換層は、前記正孔ブロック層の光入射側とは反対側の面から前記光電変換層の厚さ方向に沿って伸延する複数のn型ロッドと、前記n型ロッドを被覆する被覆層と、前記複数のn型ロッド同士の間、及び、前記複数のn型ロッドと前記電極との間に形成されるp型量子ドット層とを有し、前記n型ロッドは、ZnO、In2O3、又はSnO2製であり、前記被覆層は、TiO2、Y2O3、Al2O3、ZnS、又はSiO2製であり、前記p型量子ドット層は、PbS、PbSe、又はCuInS2製である。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
 光透過性を有する基板と、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成される導電膜と、前記導電膜に積層される正孔ブロック層と、前記正孔ブロック層に積層される、pnヘテロ接合型の光電変換層と、前記光電変換層に積層される電極とを含み、前記光電変換層は、前記正孔ブロック層の光入射側とは反対側の面から前記光電変換層の厚さ方向に沿って伸延する複数のn型ロッドと、前記n型ロッドを被覆する被覆層と、前記複数のn型ロッド同士の間、及び、前記複数のn型ロッドと前記電極との間に形成されるp型量子ドット層とを有し、前記n型ロッドは、ZnO、In2O3、又はSnO2製であり、前記被覆層は、TiO2、Y2O3、Al2O3、ZnS、又はSiO2製であり、前記p型量子ドット層は、PbS、PbSe、又はCuInS2製である、太陽電池。
【請求項2】
 前記被覆層の厚さは、10nm以下である、請求項1記載の太陽電池。

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