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発明の名称

物体追跡装置、異常状態検知装置及び物体追跡方法

技術分野

IT

出願番号

特願2006-95587

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
追跡対象となる物体の画像を取り込む画像取込手段と、
上記取り込まれた画像から、上記追跡対象の尤度モデルに基づく仮説より上記追跡対象の動作予測をしながら上記追跡対象の尤度を生成して、上記物体の追跡処理を行う追跡処理手段と、
上記生成された上記追跡対象の尤度と予め定められた閾値との比較により上記物体の追跡処理の異常状態を検知する異常状態検知手段と、
上記異常状態が一定時間継続されたときに上記追跡対象は他の追跡対象により遮蔽された状態であると判定する遮蔽状態判定手段と、
上記遮蔽状態であると判定されたときに上記尤度モデルを追加登録すると共に上記閾値を上記追加登録された回数毎に低下させて更新する尤度モデル更新手段と、
を備えたことを特徴とする物体追跡装置。

【請求項2】
上記遮蔽状態判定手段は、上記遮蔽状態であると判定された後に、最後に上記追加登録された上記尤度モデルよりも大きな尤度が生成された上記尤度モデルが存在するときに上記遮蔽状態が解消されたと判定し、
上記尤度モデル更新手段は、最大の尤度が生成された上記尤度モデルよりも後に上記追加登録された上記尤度モデルの登録をすべて削除し、上記閾値を上記削除された尤度モデルの個数毎に増大させて更新することを特徴とする請求項1に記載の物体追跡装置。

【請求項3】
追跡対象となる物体の画像から、上記追跡対象の尤度モデルに基づく仮説より上記追跡対象の動作予測をしながら上記追跡対象の尤度を生成して、上記物体の追跡処理を行う際の異常状態を検知する異常状態検知装置であって、
上記生成された上記追跡対象の尤度と予め定められた閾値との比較により上記物体の追跡処理の異常状態を検知する異常状態検知手段と、
上記異常状態が検知されたときに上記追跡対象と異なる他の追跡対象の尤度モデルを作成する尤度モデル作成手段と、
上記異常状態が一定時間継続されたときに上記追跡対象は他の追跡対象により遮蔽された状態であると判定する遮蔽状態判定手段と、
上記遮蔽状態であると判定されたときに上記作成された上記尤度モデルを追加登録すると共に上記閾値を上記追加登録された回数毎に低下させて更新する尤度モデル更新手段と、
を備えたことを特徴とする異常状態検知装置。

【請求項4】
上記遮蔽状態判定手段は、上記遮蔽状態であると判定された後に、最後に上記追加登録された上記尤度モデルよりも大きな尤度が生成された上記尤度モデルが存在するときに上記遮蔽状態が解消されたと判定し、
上記尤度モデル更新手段は、最大の尤度が生成された上記尤度モデルよりも後に上記追加登録された上記尤度モデルの登録をすべて削除し、上記閾値を上記削除された尤度モデルの個数毎に増大させて更新することを特徴とする請求項3に記載の異常状態検知装置。

【請求項5】
追跡対象となる物体の画像から、上記追跡対象の尤度モデルに基づく仮説より上記追跡対象の動作予測をしながら上記追跡対象の尤度を生成して、上記物体の追跡処理を行う追跡処理ステップと、
上記生成された上記追跡対象の尤度と予め定められた閾値との比較により上記物体の追跡処理の異常状態を検知する異常状態検知ステップと、
上記異常状態が検知されたときに上記追跡対象と異なる他の追跡対象の尤度モデルを作成する尤度モデル作成ステップと、
上記異常状態が一定時間継続されたときに上記追跡対象は他の追跡対象により遮蔽された状態であると判定する遮蔽状態判定ステップと、
上記遮蔽状態であると判定されたときに上記作成された上記尤度モデルを追加すると共に上記閾値を上記追加された回数毎に低下させて更新する尤度モデル追加ステップと、
上記遮蔽状態であると判定された後に、最後に上記追加された上記尤度モデルよりも大きな尤度が生成された上記尤度モデルが存在するときに上記遮蔽状態が解消されたと判定する遮蔽状態解消判定ステップと、
上記遮蔽状態が解消されたと判定されたときに上記尤度モデルを削除すると共に上記閾値を上記削除された上記尤度モデルの個数毎に増大させて更新する尤度モデル削除ステップと、
を含むことを特徴とする物体追跡方法。

発明の名称

3Dデザイン支援システム及び3Dデザイン支援方法

技術分野

IT, その他

出願番号

特願2006-69747

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
実空間上に立体像を表示する立体像表示手段と、
前記立体像表示手段により立体表示可能な像を手書きで描画する描画手段と、
前記描画手段により描画された立体像の中の特定範囲の部材を指定する指定手段と、
前記指定手段により指定された部材の立体的な動きを割り当てる動き割り当て手段とを備え、
前記動き割り当て手段により割り当てられた動きを前記立体像表示手段により表示された前記部材に与えることを備えたことを特徴とする3Dデザイン支援システム。

【請求項2】
請求項1に記載の3Dデザイン支援システムにおいて、
前記立体像表示手段は、操作者の頭部に装着するヘッドマウントディスプレイであり、当該ヘッドマウントディスプレイ自身の位置及び方向を算出する機能を備えて、位置と方向に対応した立体像を表示させることを特徴とする3Dデザイン支援システム。

【請求項3】
請求項1に記載の3Dデザイン支援システムにおいて、
前記描画手段は、描画時の実空間位置を算出する機能を備えて、算出された実空間位置を、描画位置とすることを特徴とする3Dデザイン支援システム。

【請求項4】
請求項1に記載の3Dデザイン支援システムにおいて、
前記動き割り当て手段により割り当てられた動きは、前記部材を第1の空間位置と第2の空間位置との間で前記部材を往復移動させる動きであることを特徴とする3Dデザイン支援システム。

【請求項5】
請求項1に記載の3Dデザイン支援システムにおいて、
前記動き割り当て手段により割り当てられた動きは、空間上の軸を中心にして前記部材を回動させる動きであることを特徴とする3Dデザイン支援システム。

【請求項6】
請求項1に記載の3Dデザイン支援システムにおいて、
前記指定手段による前記部材の指定は、直方体としての部材の対角線を指定することで行うことを特徴とする3Dデザイン支援システム。

【請求項7】
請求項1に記載の3Dデザイン支援システムにおいて、
前記指定手段による前記部材の指定は、立方体としての部材を複数の方向から囲むことを特徴とする3Dデザイン支援システム。

【請求項8】
請求項1に記載の3Dデザイン支援システムにおいて、
前記描画手段による像の描画を行う際に、所定距離の線が描画されるごとに、前記立体像表示手段での線の表示形態を変化させたことを特徴とする3Dデザイン支援システム。

【請求項9】
請求項1に記載の3Dデザイン支援システムにおいて、
前記描画手段による像の描画を行う際に、空間に描いた仮想的な物体と、前記仮想的な物体の周囲にある実物とを結ぶ線を描き、
前記実物の動きに連動して、前記結ぶ線の描画位置及び長さを変化させることを特徴とする3Dデザイン支援システム。

【請求項10】
請求項1に記載の3Dデザイン支援システムにおいて、
前記描画手段により描画された像を、前記立体像表示手段で拡大表示して、実空間上にほぼ実物大の立体像を表示させることを特徴とする3Dデザイン支援システム。

【請求項11】
実空間上に立体像を表示する立体像表示処理と、
前記立体表示される像を手書きで描画する描画処理と、
前記描画処理により描画されて表示された立体像の中の特定範囲の部材を指定する指定処理と、
前記指定処理により指定された部材の立体的な動きを割り当てる動き割り当て処理とを行い、
前記動き割り当て処理により割り当てられた動きを前記立体像表示処理で表示された前記部材に与えることを特徴とする3Dデザイン支援方法。

発明の名称

回転翼機構、該回転翼機構を用いた移動体、並びに発電機

技術分野

ものづくり

出願番号

特願2006-39679

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
主軸と、この主軸の軸線周りに回転自在の回転体と、複数のリンク部材をパンタグラフ状に組み合わせて成り、前記回転体に対して前記主軸の径方向に伸縮自在に取り付けられたパンタグラフリンクと、前記主軸に対して平行かつ翼弦が前記リンク部材の長手方向となるように前記リンク部材に取り付けられた翼と、前記回転体の回転に伴って前記パンタグラフリンクを伸縮させるパンタグラフリンク駆動手段とを備え、前記回転体が前記主軸の軸線周りに一回転する間に前記翼に生じる流体力の合力が特定の方向に向くようにしたことを特徴とする回転翼機構。

【請求項2】
前記パンタグラフ駆動手段は、前記主軸に対して接近及び離間するように前記回転体上に摺動自在に取り付けられたスライダと、前記主軸に対して偏心した位置に固定配置され、前記主軸と平行な従節軸と、一端が前記従節軸により回動自在に軸支され、前記従節軸の径方向外側に向けて延びると共に他端が前記スライダに対して前記主軸と平行な軸線まわりに回動自在に連結された従節クランクとを備え、前記パンタグラフリンクは、前記従節クランクと前記スライダとの連結点と、前記回転体上における前記スライダよりも内側の部位に設定された支点との二点において伸縮自在に軸支されたことを特徴とする請求項1記載の回転翼機構。

【請求項3】
前記パンタグラフ駆動手段は、前記主軸に対して偏心した位置に固定配置され、前記主軸と平行な従節軸と、一端が前記従節軸により回動自在に軸支され、前記従節軸の径方向外側に向けて延びる従節クランクと、一端が前記従節クランクの他端に対して前記主軸と平行な軸線まわりに回動自在に連結され、他端が前記回転体の先端部に対して前記主軸と平行な軸線まわりに回動自在に連結されたカプラリンクとを備え、前記パンタグラフリンクは、前記従節クランクと前記カプラリンクとの連結点と、前記回転体上の中間部に設定された支点との二点において伸縮自在に軸支されたことを特徴とする請求項1記載の回転翼機構。

【請求項4】
前記パンタグラフ駆動手段は、前記主軸に対して接近及び離間するように前記回転体上に摺動自在に取り付けられたスライダと、このスライダを前記主軸の周りの閉じた非真円状の軌跡に沿って摺動自在に案内するレールとを備え、前記パンタグラフリンクは、前記スライダ上に設定された支点と、前記回転体上における前記スライダよりも内側の部位に設定された支点との二点において伸縮自在に軸支されたことを特徴とする請求項1記載の回転翼機構。

【請求項5】
請求項1記載の回転翼機構を備え、前記回転翼機構を回転駆動することにより発生する推進力で移動するようにしたことを特徴とする移動体。

【請求項6】
請求項1記載の回転翼機構を備え、前記回転翼機構が流体から与えられる力で回転することにより発生する回転力で発電を行うようにしたことを特徴とする発電機。

発明の名称

歩行補助装置

技術分野

医工連携/ライフサイエンス

出願番号

特願2005-363361

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
装着者の体幹部に装着される体幹保持手段と、
上記体幹保持手段の左及び右側位置に取り付けられた第1回動部と、該第1回動部によって回動動作する第1棒状部材と、該第1棒状部材の下端に取り付けられた第2回動部と、該第2回動部によって回動動作する第2棒状部材と、該第2棒状部材の下端に取り付けられた足部とをそれぞれ有し、上記体幹部から下肢の両側に沿いかつ当該下肢とは離間した状態で下方向に上記足部に至るまでそれぞれ延在する左側及び右側下肢補助手段と、
上記下肢が地面から離れている遊脚期において、上記下肢の足首部分に設けた第1の検出部材と上記第2棒状部材の対応部分に設けた第2の検出部材との相互間の動きを検出し、当該第1の検出部材及び第2の検出部材間の間隔が離れることがないように上記左側及び右側下肢補助手段の上記第1及び第2回動部を回動動作させることにより上記左側及び右側下肢補助手段を上記下肢の動きに追従動作させる追従手段と、
上記下肢が上記地面に着地している支持脚期中、上記左側及び右側の下肢補助手段の上記第2棒状部材の先端で上記地面を押し付け続けることにより装着者自身の自重によって関節部位に生じる負荷を低減させる抜重制御手段と
を具えることを特徴とする歩行補助装置。

【請求項2】
上記歩行補助装置は、
上記下肢の位置に基づいて上記下肢が地面に接地するよりも先、若しく上記下肢が地面に接地するのとほぼ同時に上記左側及び右側下肢補助手段の上記第2棒状部材の先端で上記地面を押し付けることにより上記下肢に対する衝撃荷重を軽減させる衝撃荷重軽減制御手段
をさらに具えることを特徴とする請求項1に記載の歩行補助装置。

【請求項3】
上記追従手段は、上記体幹部の所定位置に設けられた第1の回転駆動手段と、上記下肢の膝付近に設けられた第2の回転駆動手段とを介して、上記左側及び右側下肢補助手段を上記下肢の動きに合わせて追従動作させる
ことを特徴とする請求項1に記載の歩行補助装置。

【請求項4】
上記追従手段は、比例微分制御により生成した駆動信号を用いて上記第1の回転駆動手段及び上記第2の回転駆動手段を回転駆動させる
ことを特徴とする請求項3に記載の歩行補助装置。

【請求項5】
上記左側及び右側下肢補助手段の先端は、地面に接触する部分が半月状に形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の歩行補助装置。

【請求項6】
上記左側及び右側下肢補助手段の先端には、所定の衝撃緩衝材が取り付けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の歩行補助装置。

【請求項7】
上記左側及び右側下肢補助手段は、下肢の長さに合わせて、その長さを調節可能な長さ調整手段が設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の歩行補助装置。

発明の名称

二次元分布荷重中心位置検出センサおよび二次元分布荷重中心位置検出装置

技術分野

ものづくり

出願番号

PCT/JP2006/322294

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
荷重が負荷されると第1電極から第2電極までの電気抵抗が変化する複数の検出エレメントと、
前記複数の検出エレメントのうちの隣り合う隣接検出エレメントを接合し、前記隣接検出エレメントのうちの第1検出エレメントの第1電極を前記隣接検出エレメントのうちの第2検出エレメントの第1電極に第1抵抗器を介して電気的に接続し、前記第1検出エレメントの第2電極を前記第2検出エレメントの第2電極に第2抵抗器を介して電気的に接続する複数のケーブル
とを具備する二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項2】
請求の範囲1において、
前記ケーブルは、変形可能である
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項3】
請求の範囲2において、
前記複数の検出エレメントは、格子状に配置される
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項4】
請求の範囲1~請求の範囲3のいずれかにおいて、
前記電気抵抗は、前記荷重に概ね反比例する
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項5】
請求の範囲1~請求の範囲4のいずれかに記載される二次元分布荷重中心位置検出センサと、
制御装置とを具備し、
前記二次元分布荷重中心位置検出センサは、
前記複数の検出エレメントのうちの第1方向の端に配置される検出エレメントの第1電極に電気的に接続される第1端子と、
前記複数の検出エレメントのうちの前記第1方向の反対方向の端に配置される検出エレメントの第1電極に電気的に接続される第2端子と、
前記複数の検出エレメントのうちの前記第1方向と異なる第2方向の端に配置される検出エレメントの第2電極に電気的に接続される第3端子と、
前記複数の検出エレメントのうちの前記第2方向の反対方向の端に配置される検出エレメントの第2電極に電気的に接続される第4端子とを備え、
前記制御装置は、前記二次元分布荷重中心位置検出センサに電流が流れるように前記第1端子と前記第2端子と前記第3端子と前記第4端子との間に電圧を印加し、前記第1端子を流れる電流と前記第2端子を流れる電流と前記第3端子を流れる電流と前記第4端子を流れる電流とに基づいて前記二次元分布荷重中心位置検出センサに作用する荷重の位置を算出する
二次元分布荷重中心位置検出装置。

【請求項6】
請求の範囲5において、
前記制御装置は、更に、前記第1端子を流れる電流と前記第2端子を流れる電流と前記第3端子を流れる電流と前記第4端子を流れる電流とに基づいて前記荷重を算出する
二次元分布荷重中心位置検出装置。

【請求項7】
請求の範囲1~請求の範囲4のいずれかにおいて、
前記複数の検出エレメントの各々は、
前記第1電極と前記第2電極とが表面に配置される基板と、
前記第1電極と前記第2電極との両方に電気的に接続される感圧素材とを備え、
前記第1電極と前記第2電極とは、前記基板と前記感圧素材とに挟まれる
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項8】
請求の範囲1と請求の範囲2と請求の範囲3と請求の範囲4と請求の範囲7とのうちのいずれかにおいて、
弾性体から形成されるエラストマ層を更に具備し、
前記エラストマ層は、前記複数の検出エレメントと前記複数のケーブルとから形成される層を被覆する
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

発明の名称

キャラクタ情報処理方法及びキャラクタ情報処理装置

技術分野

IT, その他

出願番号

特願2005-280637

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
コンピュータが仮想環境上のキャラクタの表情を変化させる処理を行うキャラクタ情報処理方法であって、
前記キャラクタの置かれている状況を表す状況情報を取得する工程と、
前記キャラクタの置かれ得る状況と、前記キャラクタの心理状態を表すための心理的要因の構成要素と、瞳孔の拡大縮小、充血程度、涙滴量の少なくとも1つを含む眼球の状態変化との対応関係を示した感情モデルを用いて、前記取得された状況情報に対応する、前記感情モデルに示された心理的要因の構成要素に基づいたキャラクタの心理状態を表す心理的要因情報を生成する工程と、
前記感情モデルを用い、前記心理的要因情報に対応する、前記キャラクタの眼球の状態変化を表す眼球状態変化情報を生成する工程と
を有することを特徴とするキャラクタ情報処理方法。

【請求項2】
前記眼球の状態変化が、瞳孔の拡大縮小、充血程度、涙滴量のすべてを含むことを特徴とする請求項1記載のキャラクタ情報処理方法。

【請求項3】
前記キャラクタの眼球に入射された光の強度とその変化量との少なくとも一方を含む生理的要因情報を生成する工程をさらに有し、
前記眼球状態変化情報を生成する工程において、前記生成された生理的要因情報と前記心理的要因情報とに基づいて、前記眼球状態変化情報を生成する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のキャラクタ情報処理方法。

【請求項4】
前記眼球状態変化情報を生成する工程において、前記生理的要因情報から決定される眼球状態変化情報と前記心理的要因情報から決定される眼球状態変化情報とが対立する場合は、前記心理的要因情報から決定される眼球状態変化情報を優先して採択する
ことを特徴とする請求項3に記載のキャラクタ情報処理方法。

【請求項5】
前記眼球状態変化情報を生成する工程において、前記生理的要因情報である前記キャラクタの眼球に入射された光の強度の対数に比例した前記眼球状態変化情報を生成する
ことを特徴とする請求項3又は4に記載のキャラクタ情報処理方法。

【請求項6】
前記眼球状態変化情報を生成する工程において、前記キャラクタの位置によって求められる光の強度に基づいて、前記眼球状態変化情報を生成する
ことを特徴とする請求項3~5いずれか1項に記載のキャラクタ情報処理方法。

【請求項7】
仮想環境上のキャラクタの表情を変化させるためのキャラクタ情報処理装置であって、
前記キャラクタの置かれ得る状況と、前記キャラクタの心理状態を表すための心理的要因の構成要素と、瞳孔の拡大縮小、充血程度、涙滴量の少なくとも1つを含む眼球の状態変化要因との対応関係を示した感情モデルを取得する手段と、
前記キャラクタの置かれている状況を表す状況情報を取得する手段と、
前記感情モデルを用いて、前記取得された状況情報に対応する、前記感情モデルに示された心理的要因の構成要素に基づいたキャラクタの心理状態を表す心理的要因情報を生成する手段と、
前記感情モデルを用い、前記心理的要因情報に対応する、前記キャラクタの眼球の状態変化を表す眼球状態変化情報を生成する手段と
を備えることを特徴とするキャラクタ情報処理装置。

【請求項8】
前記キャラクタの眼球に入射された光の強度とその変化量の少なくとも一方を含む生理的要因情報を生成する手段をさらに有し、
前記眼球状態変化情報を生成する手段において、前記生成された生理的要因情報と前記心理的要因情報とに基づいて、前記眼球状態変化情報を生成する
ことを特徴とする請求項7記載のキャラクタ情報処理装置。

【請求項9】
前記眼球状態変化情報を生成する手段において、前記生理的要因情報から決定される眼球状態変化情報と前記心理的要因情報から決定される眼球状態変化情報とが対立する場合は、前記心理的要因情報から決定される眼球状態変化情報を優先して採択する
ことを特徴とする請求項8に記載のキャラクタ情報処理装置。

発明の名称

カーボンチューブ及びカーボンチューブの製造方法

技術分野

ナノテクノロジー

出願番号

特願2005-241298

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
柱状の空孔を有する多孔体が表面に設けられた導電層を一方の電極として、炭素を含有する有機溶剤を電気分解して、前記空孔の側壁に炭素層を形成する工程と、
前記多孔体を取り除く工程と
を具備する
カーボンチューブの製造方法。

【請求項2】
請求項1に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記多孔体は、アルミナである
カーボンチューブの製造方法。

【請求項3】
請求項2に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記導電層上のアルミニウム層を陽極酸化して、前記多孔体としてのアルミナを形成する工程を更に具備する
カーボンチューブの製造方法。

【請求項4】
請求項1乃至3のいずれか一項に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記有機溶剤は、アルコール系溶剤である
カーボンチューブの製造方法。

【請求項5】
請求項4に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記アルコール系溶剤は、メタノール、エタノール、及びエチレングリコールのうちの少なくとも一つを含む
カーボンチューブの製造方法。

発明の名称

3次元CADシステム及びソリッドモデルの作成方法

技術分野

IT, ものづくり

出願番号

特願2005-107391

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
仮想的に定義された3次元座標上において仮想的な立体形状であるソリッドモデルを作成するローカルカーネルと、該ローカルカーネルにネットワークを介して接続されたリモートカーネルを含み、これらのカーネル間で共通のデータを相互運用する3次元CADシステムであって、
前記リモートカーネル側において作成されたリモートソリッドモデルを構成する各要素に対し、それぞれの要素を識別するグローバルIDを付与する第1のグローバルID生成部と、
前記リモートソリッドモデルを作成した操作情報履歴を、前記グローバルIDと関連づけて蓄積する操作情報履歴蓄積部と、
前記操作情報履歴と、これに関連づけられたグローバルIDとをセットとして前記ローカルカーネルに送信する操作情報履歴送信部と、
前記ローカルカーネル側において、前記リモートソリッドモデルの操作情報履歴及びグローバルIDを受信する操作情報履歴受信部と、
受信された操作情報履歴に含まれるリモートカーネルにおける各操作を、当該各操作に対応する当該ローカルカーネルが有する操作に置換する操作情報翻訳部と、
受信された操作情報履歴に基づいて、前記置換された操作を順次実行し、ローカルカーネルを作成する操作情報実行部と、
操作情報実行部により生成されたローカルソリッドモデルの要素に対して、前記決定規則と同一の規則に基づいて、グローバルIDを付与する第2のグローバルID生成部と、
を備え、
前記要素は、前記ソリッドモデルを構成する最小単位形状であって、単一のモデリング操作によって生成される面、及び面が接する稜線の集合であり、
前記第1及び第2のグローバルID生成部は、前記要素のそれぞれを内接するように包含するバウンディングボックスの前記三次元座標上における座標位置に基づく決定規則に従って、各要素及び各要素に含まれる形状、面又は稜線に対して前記グローバルIDを付与する
ことを特徴とする3次元CADシステム。

【請求項2】
前記第1及び第2のグローバルID生成部は、前記バウンディングボックスが一致する複数の面がある場合に、これら複数の面の法線ベクトルを求め、法線ベクトルの相違に基づいて、当該複数の面を区別し、区別された複数の面それぞれに対して異なるグローバルIDを付与することを特徴とする請求項1に記載の3次元CADシステム。

発明の名称

光線剣

技術分野

IT, その他

出願番号

特願2005-36548

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
光を照射する光源部を有し、人体の頭部に装着される装着部と、
反射部及びカバー部を有する光線剣本体とを備え、
前記反射部は、棒状で、前記光源部から照射された前記光を入射した方向に反射させ、
前記カバー部は、前記反射部を包周及び保護することを特徴とする光線剣装置。

【請求項2】
前記光線剣本体は、
前記カバー部が物体に接触した状態を検知する検知部と、
前記検知部が検知した事象を示す信号を送信する信号送信部と、
前記信号送信部が送信した前記信号を受信し、前記信号に基づいて効果音を送出する音声送出部
とを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の光線剣装置。

【請求項3】
前記装着部は、前記光源部が照射する前記光を反射して、前記光線剣本体に前記光が照射されるように調整するハーフミラー部を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の光線剣装置。

【請求項4】
前記光線剣本体は、
前記反射部の端部側に配置され、前記人体の手部により把持可能に構成された把持部を備え、
前記反射部を当該反射部の長手方向軸を中心として前記把持部に対して回転させる回転手段、及び前記反射部を振動させる振動手段のうち、少なくともいずれか一方の手段を更に備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光線剣装置。

発明の名称

3次元位置入力装置

技術分野

IT

出願番号

特願2005-3118

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
先端部分に光源を持ち、前記光源が出力する光の消滅及び出現を切り替える手段を有するポインティングデバイスと、
前記ポインティングデバイスの発する前記光が作る楕円または円の平面投影像を映す平面状の投影部と、
前記光源が出力する光の消滅及び出現を切り替える手段により前記光源の光を消滅させることで前記平面投影像が消えたときから一定時間、前記光の消滅及び出現をON/OFF情報として時間的に羅列するシグナルパターンを取得する信号取得部と、
前記シグナルパターンに基づいて複数の入力処理を識別する入力処理識別手段と、
予め登録された異なる複数のシグナルパターンの情報に対応した個別処理を実行する個別処理実行部と、
前記平面投影像を撮影する撮像機器と、
前記撮像機器により撮影された画像から前記平面投影像の特徴量を算出する特徴量算出手段と、
前記特徴量から前記ポインティングデバイスの3次元位置及び回転角を算出する位置算出手段とを具備し、
前記入力処理識別手段は、前記一定時間内に出現した前記シグナルパターンと前記予め登録された異なる複数のシグナルパターンとの一致を判断し、一致した場合は前記個別処理実行部が前記個別処理を実行し、一致しない場合は、前記信号取得部が新たにシグナルパターンを再取得し、前記新たなシグナルパターンと前記予め登録された異なる複数のシグナルパターンとの一致を判断することを特徴とする3次元位置入力装置。

【請求項2】
前記ポインティングデバイスは、光源の光軸を中心に円錐状の光線を発することを特徴とする請求項1に記載の3次元位置入力装置。

【請求項3】
前記ポインティングデバイスは、光源の光軸を通る光線を発生することを特徴とする請求項1または2に記載の3次元位置入力装置。

【請求項4】
前記ポインティングデバイスの発する平面投影像は、1箇所、欠けを生じ、前記位置算出手段は、前記欠けを利用して前記回転角を算出することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の3次元位置入力装置。

【請求項5】
前記ポインティングデバイスは、楕円の周上または円周上に複数の光の点を発生し、前記位置算出手段は、前記複数の光の点のうち、ある光の点に着目して前記回転角を算出することを特徴とする請求項1に記載の3次元位置入力装置。

【請求項6】
前記撮像機器は、前記特徴量算出手段と前記位置算出手段とを具備することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の3次元位置入力装置。

【請求項7】
前記平面状の投影部は、光を感知する機能を具備し、前記ポインティングデバイスの発する前記平面投影像もしくは前記複数の光の点の位置情報を読み取る平面状の光感知器であって、
この光感知器により読み取った前記平面投影像の特徴量もしくは前記複数の光の点の特徴量を算出する特徴量算出手段と、
前記特徴量から前記ポインティングデバイスの3次元位置及び回転角を算出する位置算出手段とを具備することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の3次元位置入力装置。

【請求項8】
前記特徴量は、楕円の中心座標と焦点の座標と長軸の長さと短軸の長さと傾き、または円の中心座標と半径であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の3次元位置入力装置。

発明の名称

結晶粒微細化加工方法

技術分野

ものづくり

出願番号

特願2004-371534

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を冷間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する低ひずみ加工ステップと、
上記低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる温間回復処理ステップと
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、直後の上記温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項2】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を温間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する低ひずみ加工ステップと、
上記低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる温間回復処理ステップと
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、当該低ひずみ加工処理時及び直後の上記温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項3】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を冷間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する第1の低ひずみ加工ステップと、上記第1の低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる第1の温間回復処理ステップとを含む第1の加工サイクルと、
上記金属材料加工素材を温間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する第2の低ひずみ加工ステップと、上記第2の低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる第2の温間回復処理ステップとを含む第2の加工サイクルと、
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記第1及び第2の低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、当該第1及び第2の低ひずみ加工処理時及び直後の上記第1及び第2の温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記第1及び第2の温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項4】
上記温間回復処理ステップの上記加工熱処理温度は、0.5Tm(融点Tmの半分の温度)以下である
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の結晶粒微細化加工方法。

発明の名称

多軸鍛造用圧縮治具

技術分野

ものづくり

出願番号

特願2004-309822

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
下部治具部に対して上部治具部を上下方向に移動させることによって圧縮室内の鍛造試料を圧縮加工する多軸鍛造用圧縮治具であって、
上記下部治具部は、上記上部治具部の上部アンビルを上方から挿脱動作される上記圧縮室と、上記圧縮室の下面に連通する位置から前端面に至るまでの間に形成された通路と、上記通路に挿脱される下部アンビルとを具え、
上記通路に上記下部アンビルを挿入することにより上記下部アンビルの上面によって上記圧縮室の下面を閉塞し、かつ上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部アンビルを上記圧縮室から引き抜いた状態において、上記圧縮室に上記鍛造試料を入れた後上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより上記圧縮室に挿入された上記上部アンビルと上記下部アンビルと上記圧縮室の壁面との間に上記鍛造試料を第1の圧縮軸方向に圧縮加工し、
次に上記下部アンビルを上記通路から引き出した後、上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより上記上部アンビルによって上記加工後の鍛造試料を上記通路に突き落し、
次に当該加工後の鍛造試料を上記通路を介して外部に取り出した後当該通路に上記下部アンビルを挿入すると共に、上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部アンビルを上記圧縮室から引き抜いた状態にし、これにより上記圧縮室に上記加工後の鍛造試料を入れることにより当該加工後の鍛造試料を上記第1の圧縮軸方向とは異なる第2の圧縮軸方向に圧縮加工できるようにする
ことを特徴とする多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項2】
上記上部治具部及び上記下部治具部間に挿脱される圧縮高さ調節板を具え、
該圧縮高さ調節板は、上記上部アンビルによって上記鍛造試料を圧縮加工する際には上記上部治具部及び上記下部治具部間位置に挿入されると共に、当該圧縮加工された上記鍛造試料を上記圧縮室から上記通路に突き落す際には上記上部治具部及び上記下部治具部間位置から引き抜かれる
ことを特徴とする請求項1に記載の多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項3】
下部治具部に対して上部治具部を移動させることによって圧縮室内の鍛造試料を圧縮加工する多軸鍛造用圧縮治具であって、
上記上部治具部は、第1の底面部の一端縁部に、圧縮上面と該圧縮上面に連接する圧縮側面とでなる圧縮凹所を有し、
上記下部治具部は、上記上部治具部の上記第1の底面部に対応する第2の底面部をもつ案内凹所を有し、
上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部治具部を上記案内凹所から引き抜いた状態において、上記案内凹所のうち上記圧縮凹所に対応する位置に上記鍛造試料を入れた後、上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより、上記圧縮凹所の上記圧縮上面及び上記圧縮側面と、上記案内凹所の上記第2の底面部及び当該第2の底面部に連接する側面部とによって上記圧縮室を形成すると共に、上記圧縮凹所の上記圧縮上面によって上記下部治具部の上記第2の底面部との間に上記鍛造試料を第1の圧縮軸方向に圧縮加工し、
次に上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させた後上記上部治具部を上記案内凹所から引き抜いた状態において、上記鍛造試料を上記案内凹所から外部に取り出して入れ直すことにより当該鍛造試料を上記第1の圧縮軸方向とは異なる第2の圧縮軸方向に圧縮加工できるようにする
ことを特徴とする多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項4】
上記案内凹所は、横断面がほぼ多角形形状になるように形成されると共に、上記第2の底面部は上記多角形形状の突出角部の方向に行くに従って深くなるように傾斜することにより、上記案内凹所に入れられる上記鍛造試料を上記突出角部の位置に位置決めし易くする
ことを特徴とする請求項3に記載の多軸鍛造用圧縮治具。

発明の名称

量子ドットの形成方法

技術分野

ナノテクノロジー

出願番号

特願2004-262638

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
GaAs基板の表面に、GaAsバッファ層を成長して形成し、
前記GaAsバッファ層の表面または前記GaAsバッファ層の上層に、GaSbxAs1-x(x=1)層を0.24~1.52ML厚に成長して形成し、
前記GaSbxAs1-x(x=1)層の表面に、InAs量子ドットを成長して自己形成する
ことを特徴とする量子ドットの形成方法。

【請求項2】
前記GaSbxAs1-x(x=1)層は、As-Sb交換反応によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項3】
前記InAs量子ドットは、1.1×1011cm-2以上のドット密度で自己形成されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項4】
前記InAs量子ドットの自己形成ステップにおいて、コアレッセンスの発生が抑制されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項5】
前記InAs量子ドットは、その成長初期において、細線状の2次元島が形成されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項6】
GaAs基板の表面に、GaAsバッファ層を成長して形成し、
前記GaAsバッファ層の表面に、GaAsSb混晶バッファ層を成長して形成し、
前記GaAsSb混晶バッファ層上にGaAs層を成長して形成し、
前記GaAs層の表面にInAs量子ドットを、前記基板面内の所定の方向に、正方格子状に自己配列させて形成することを特徴とする量子ドットの形成方法。

【請求項7】
前記InAs量子ドットは、(001)基板面内上の<010>方向に沿って正方格子状に配列することを特徴とする請求項6に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項8】
前記InAs量子ドットは、1×1011cm-2以上のドット密度で正方格子状に自己配列することを特徴とする請求項6に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項9】
前記GaAsSb混晶バッファ層を、As4/Sb4 照射フラックス比3~9で形成することを特徴とする請求項6に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項10】
GaAs基板と、
前記GaAs基板上の活性層と、
前記活性層に電流を注入する電極と
を備え、前記活性層は、
0.24~1.52ML厚のGaSb層と、
前記GaSb層の表面に成長したInAs量子ドットと、
前記InAs量子ドットを埋め込むGaAs埋め込み層と、
を含み、前記InAs量子ドットは、1.1×1011cm-2以上の密度で配置されることを特徴とする量子ドットレーザ。

発明の名称

量子半導体装置およびその製造方法

技術分野

ナノテクノロジー

出願番号

特願2004-244210

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
半導体基板と、
前記半導体基板上に位置する第1の量子ドットと、
前記第1の量子ドットを埋め込む第1の半導体結晶層と、
前記第1の半導体結晶層上に位置するコンタクト用の第2の量子ドットと、
前記第2の量子ドットを埋め込む第2の半導体結晶層と、
前記第2の半導体結晶層において、前記第2の量子ドットに接続する自己形成ナノホール内に形成されるナノホール電極と
を有することを特徴とする量子半導体装置。

【請求項2】
前記ナノホール電極の直径は、20~30nmであることを特徴とする請求項1に記載の量子半導体装置。

【請求項3】
前記第2の半導体結晶層の膜厚は、8~15nmであることを特徴とする請求項1に記載の量子半導体装置。

【請求項4】
前記第1および第2の量子ドットはInAsであり、前記第1および第2の半導体結晶層はGaAsであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の量子半導体装置。

【請求項5】
半導体基板上に、第1の量子ドットと、前記第1の量子ドットを埋め込む第1の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第1の半導体結晶層上に、コンタクト用の第2の量子ドットと、第2の量子ドットを埋め込む第2の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第2の半導体結晶層を所定の条件でアニールして、前記第2の量子ドットの直上にのみナノホールを自己形成するステップと、
前記ナノホールを導電体で埋め込むステップと
を含むことを特徴とする量子半導体装置の製造方法。

【請求項6】
前記アニールは、基板温度450~550℃で、3~10分間行うことを特徴とする請求項5に記載の量子半導体装置の製造方法。

発明の名称

半導体素子

技術分野

ナノテクノロジー

出願番号

特願2004-249408

概要

【請求項1】
可飽和吸収特性を示す半導体薄膜を有する半導体素子であって、前記半導体薄膜を加圧する加圧手段を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項2】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を0Paより大きく、1GPaより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項3】
前記半導体薄膜は、Be又はCが1×1019cm-3以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項4】
前記半導体薄膜は100nm以上の厚さを有する請求項1記載の半導体素子。

【請求項5】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項6】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸型構造の薄膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体薄膜。

【請求項7】
基板と、該基板上に配置される複数の光入力部と、該複数の光入力部から入力される光に基づいて光の透過、不透過を制御する可飽和吸収特性を示す半導体薄膜と、該半導体薄膜が光を透過した場合に光を外部に導く出力部と、該半導体薄膜を加圧する加圧手段と、を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項8】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を0Paより大きく、1GPaより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項9】
前記半導体薄膜は、Be又はCが1×1019cm-3以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項10】
前記半導体薄膜は100nm以上の厚さを有する請求項7記載の半導体素子。

【請求項11】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項12】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸構造の薄膜であることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

発明の名称

静止画像形成方法及びその記録装置

技術分野

IT

出願番号

特願2004-229806

概要

【特許請求の範囲】
【請求項1】
移動する被写体の露光画像を変調用拡散信号によって変調してなる撮像画像データを撮像画像メモリに記憶することにより、移動時の上記被写体の画像成分を上記被写体の移動軌跡に沿って分散させた撮像画像データを得、
上記撮像画像メモリから読み出した上記撮像画像データを上記移動軌跡に沿って上記被写体の移動方向又はその逆方向に移動させながら、復調用拡散信号を用いて再変調することにより、上記分散された画像成分を露光開始点位置又は露光終了点位置に凝縮させてなる静止画像を得る
ことを特徴とする静止画像形成方法。
【請求項2】
移動する被写体の露光画像を変調用拡散信号によって変調してなる撮像画像データを撮像画像メモリに記憶することにより、移動時の上記被写体の画像成分を上記被写体の移動軌跡に沿って分散させた撮像画像データを得る撮像データ変調部と、
上記撮像画像メモリから読み出した上記撮像画像データを上記移動軌跡に沿って上記被写体の移動方向又はその逆方向に移動させながら、復調用拡散信号を用いて再変調することにより、上記分散された画像成分を露光開始点位置又は露光終了点位置に凝縮させてなる静止画像を得る静止画データ復調部と
を具えることを特徴とする静止画記録装置。
【請求項3】
上記変調用拡散信号及び上記復調用拡散信号はチャープ信号又はM系列符号である
ことを特徴とする請求項2に記載の静止画記録装置。
【請求項4】
上記撮像データ変調部は、撮像素子の利得を上記変調用拡散信号によって制御することにより当該変調用拡散信号によって変調された上記撮像画像データを得る
ことを特徴とする請求項2に記載の静止画記録装置。
【請求項5】
上記撮像データ変調部は、撮像素子に上記被写体からの撮像光を通すシャッタ手段の透過率を上記変調用拡散信号によって制御することにより当該変調用拡散信号によって変調された上記撮像画像データを得る
ことを特徴とする請求項2に記載の静止画記録装置。
【請求項6】
上記撮像データ変調部は、上記被写体に対する照明具の照度を上記変調用拡散信号によって制御することにより当該変調用拡散信号によって変調された上記撮像画像データを得る
ことを特徴とする請求項2に記載の静止画記録装置。

発明の名称

設計支援方法

技術分野

IT, ものづくり

出願番号

特願2004-210825

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
コンピュータを用いて実行される次のステップを備えたことを特徴とする設計支援方法:
(1)設計変数範囲と、前記設計変数の入力選好度と、要求性能変数範囲と、前記要求性能の選好度とを設定するための命令を前記コンピュータが受け付けるステップ;
(2)前記コンピュータが、前記設計変数範囲を分割するための命令を受け付けるステップ;
(3)前記分割された設計変数範囲における性能の期待値およびロバスト性を統合的に評価するために、分割された各設計変数範囲について、以下の式に基づいて、前記コンピュータにおける算出手段がPRIを算出するステップ:
PRI=NDPI*NPSI
ここで、
NDPI:正規化されたDPI;
DPI:前記要求性能変数範囲における前記要求性能の選好度(p(x))と、前記設計変数範囲と前記設計変数の入力選好度とから得られる前記要求性能の可能性分布(q(x))とから算出される、性能の期待値;
NPSI:正規化されたPSI;
PSI:前記要求性能の可能性分布(q(x))の精度と安定性とを示す測度
である。

【請求項2】
さらに、コンピュータにより実行される次のステップを備えたことを特徴とする、請求項1記載の設計支援方法;
(4)前記PRIが0である場合には、該当する分割された設計変数範囲を、前記コンピュータにおける計算手段が、設計検討の対象から除外するステップ。

【請求項3】
請求項1における前記可能性分布を算出するために、コンピュータにより実行される次のステップを備えたことを特徴とする可能性分布の算出方法:
(1)前記設計変数の入力選好度が0の場合における、設計対象についての性能値の可能性分布を示す計算モデルを、前記コンピュータの算出手段が算出するステップ;
(2)前記コンピュータにおける算出手段が、任意の入力選好度における設計変数に対応する性能値を、前記計算モデルを用いて内挿により算出することにより、前記可能性分布を取得するステップ。

発明の名称

流動数管理システム、方法、及びプログラム

技術分野

その他

出願番号

特願2004-175932

概要

【特許請求の範囲】
【請求項1】
管理対象における流入量データと流出量データと確定注文データ(先行データ)とを時間に対応するデータとして取得し、次期の確定注文量と今期の確定注文量と今期の流出量とから次期流出量の予測値を算出する予測値算出手段と、
前記流入量データと流出量データを基に各期の在庫量を求め、在庫量に関する総ペナルティー費用が最小となる移動基準在庫量を算出する移動基準在庫量算出手段と、
算出された前記移動基準在庫量が管理状態にあるか否かを管理図によりシンボリックに判定する移動基準在庫量管理手段と、
前記予測値と前記流出量データの累積とから、流出量に関する総ペナルティー費用が最小となる次期流出量を求め、求めた次期流出量を次期の投入量として算定する投入量算定手段と、
算定された前記投入量が管理状態にあるか否かを流動数図表の管理限界線により判定する投入量管理手段と、
前記移動基準在庫量管理手段による判定結果あるいは前記投入量管理手段による判定結果に基づいて、算定された前記投入量の累積が前記管理限界線以下になるように改善する投入量改善手段と
を備えることを特徴とする流動数管理システム。

【請求項2】
前記在庫量に関する総ペナルティー費用及び前記流出量に関する総ペナルティー費用は、次期以降の予測値、現在前後の在庫量及び流出量の変動に応じて変位させること
を特徴とする請求項1に記載の流動数管理システム。

【請求項3】
管理対象における流動数を管理するためにコンピュータを、
前記管理対象における流入量データと流出量データと確定注文データ(先行データ)とを時間に対応するデータとして取得し、次期の確定注文量と今期の確定注文量と今期の流出量とから次期流出量の予測値を算出する予測値算出手段と、
前記流入量データと流出量データを基に各期の在庫量を求め、在庫量に関する総ペナルティー費用が最小となる移動基準在庫量を算出する移動基準在庫量算出手段と、
算出された前記移動基準在庫量が管理状態にあるか否かを管理図によりシンボリックに判定する移動基準在庫量管理手段と、
前記予測値と前記流出量データの累積とから、流出量に関する総ペナルティー費用が最小となる次期流出量を求め、求めた次期流出量を次期の投入量として算定する投入量算定手段と、
算定された前記投入量が管理状態にあるか否かを流動数図表の管理限界線により判定する投入量管理手段と、
前記移動基準在庫量管理手段による判定結果あるいは前記投入量管理手段による判定結果に基づいて、算定された前記投入量の累積が前記管理限界線以下になるように改善する投入量改善手段と
して機能させることを特徴とする前記コンピュータが読み取り可能な流動数管理プログラム。

【請求項4】
予測値算出手段が、管理対象における流入量データと流出量データと確定注文データ(先行データ)とを時間に対応するデータとして取得し、次期の確定注文量と今期の確定注文量と今期の流出量とから次期流出量の予測値を算出するステップと、
移動基準在庫量算出手段が、前記流入量データと流出量データを基に各期の在庫量を求め、在庫量に関する総ペナルティー費用が最小となる移動基準在庫量を算出するステップと、
移動基準在庫量管理手段が、算出された前記移動基準在庫量が管理状態にあるか否かを管理図によりシンボリックに判定するステップと、
投入量算定手段が、前記予測値と前記流出量データの累積とから、流出量に関する総ペナルティー費用が最小となる次期流出量を求め、求めた次期流出量を次期の投入量として算定するステップと、
投入量管理手段が、算定された前記投入量が管理状態にあるか否かを流動数図表の管理限界線により判定するステップと、
投入量改善手段が、前記移動基準在庫量管理手段による判定結果あるいは前記投入量管理手段による判定結果に基づいて、算定された前記投入量の累積が前記管理限界線以下になるように改善するステップと
をコンピュータに実行させることを特徴とする流動数管理方法。

発明の名称

押出加工物の製造方法及び押出加工物

技術分野

ものづくり

出願番号

特願2004-108602

概要

【請求項1】
管形状又は管の一部を長さ方向に切り欠いた形状の周側壁と、この周側壁の内部を長さ方向に仕切るリブとを備えた押出加工物の製造方法であって、押出方向に貫通孔が設けられたマンドレルと、このマンドレルの周囲に配されたダイスとを備えた成形用金型を準備し、前記周側壁を形成するための母材を前記マンドレルと前記ダイスの間の空間内に充填して押出方向に力を付与しつつ前記リブを形成するための被接合材を前記貫通孔を通して押出方向に供給し、前記ダイスの出口又はその付近で前記被接合材の長さ方向両側端部が前記母材の内周部に食い込んで前記母材と接合されるようにしたことを特徴とする押出加工物の製造方法。
【請求項2】
前記被接合材と前記母材が、これらの摩擦により生じる熱で溶着接合されるようにしたことを特徴とする請求項1記載の押出加工物の製造方法。
【請求項3】
前記被接合材と前記母材が同じ材料から成ることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の押出加工物の製造方法。
【請求項4】
前記被接合材の降伏応力又は縦弾性係数が前記母材の降伏応力又は縦弾性係数よりも高いことを特徴とする請求項1記載の押出加工物の製造方法。
【請求項5】
前記マンドレルの先端部形状は、外周部が押出方向に向かって連続的に縮小したテーパ状又は外周部が段状に縮小した段付き状であることを特徴とする請求項1記載の押出加工物の製造方法。
【請求項6】
前記マンドレルの先端部に開口した前記被接合材の供給口の所定の部位と前記ダイスの出口の開口面との押出方向の距離dが、-0.5D≦d≦0.5D(但しDは前記ダイスの出口の内径)の範囲内となるように、前記マンドレルと前記ダイスを組み合わせたことを特徴とする請求項5記載の押出加工物の製造方法。
【請求項7】
前記ダイスの出口の近傍に、前記母材を前記マンドレルの径方向外側へ導くフローガイドが設けられたことを特徴とする請求項5記載の押出加工物の製造方法。
【請求項8】
前記フローガイドは、前記ダイスの出口の周囲に形成された段差部であることを特徴とする請求項7記載の押出加工物の製造方法。
【請求項9】
前記フローガイドは、前記ダイスの出口の周縁部に形成されたテーパ面であることを特徴とする請求項7記載の押出加工物の製造方法。
【請求項10】
前記マンドレルの外周面に沿って前記被接合材の長さ方向両側面に向かって流れる前記母材を、前記マンドレルの先端部に開口した前記被接合材の供給口よりも上流側において前記被接合材の両面から離反する方向に分岐させた後、前記被接合材と前記母材の接合が行われる位置で前記被接合材を両面から挟み込むように合流させる母材誘導部が前記マンドレルに設けられたことを特徴とする請求項1記載の押出加工物の製造方法。
【請求項11】
前記母材誘導部は、前記マンドレルの外周面上に設けられた突起であることを特徴とする請求項10記載の押出加工物の製造方法。
【請求項12】
管形状又は管の一部を長さ方向に切り欠いた形状の周側壁と、この周側壁の内部を長さ方向に仕切るリブとを備えた押出加工物であって、前記リブが前記周側壁とは別体であり、かつ前記リブの長さ方向両側端部が前記周側壁の内周部に食い込んだ状態で前記周側壁と接合されたことを特徴とする押出加工物。
【請求項13】
前記リブの長さ方向両側端部と前記周側壁が溶着接合されたことを特徴とする請求項12記載の押出加工物。
【請求項14】
前記リブと前記周側壁が同じ材料から成ることを特徴とする請求項12又は請求項13記載の押出加工物。
【請求項15】
前記リブの表面に沿って形成される熱交換流体の層流に乱流を生じさせる貫通孔が前記リブに設けられたことを特徴とする請求項12記載の押出加工物。
【請求項16】
前記リブの表面に沿って形成される熱交換流体の層流に乱流を生じさせる凹凸が前記リブに設けられたことを特徴とする請求項12記載の押出加工物。
【請求項17】
前記リブが長さ方向に座屈可能に形成されたことを特徴とする請求項12記載の押出加工物。
【請求項18】
前記リブの長さ方向両側端部が凹凸状に形成されたことを特徴とする請求項12記載の押出加工物。