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開放特許情報

特許情報

発明の名称 量子半導体装置およびその製造方法
技術分野 ナノテクノロジー
出願日 平成16年8月24日
出願番号 特願2004-244210
公開番号 特開2006-66463
登録番号 特許第4500963号
出願人 国立大学法人電気通信大学
発明者 山口 浩一
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概要 【特許請求の範囲】

【請求項1】
半導体基板と、
前記半導体基板上に位置する第1の量子ドットと、
前記第1の量子ドットを埋め込む第1の半導体結晶層と、
前記第1の半導体結晶層上に位置するコンタクト用の第2の量子ドットと、
前記第2の量子ドットを埋め込む第2の半導体結晶層と、
前記第2の半導体結晶層において、前記第2の量子ドットに接続する自己形成ナノホール内に形成されるナノホール電極と
を有することを特徴とする量子半導体装置。

【請求項2】
前記ナノホール電極の直径は、20~30nmであることを特徴とする請求項1に記載の量子半導体装置。

【請求項3】
前記第2の半導体結晶層の膜厚は、8~15nmであることを特徴とする請求項1に記載の量子半導体装置。

【請求項4】
前記第1および第2の量子ドットはInAsであり、前記第1および第2の半導体結晶層はGaAsであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の量子半導体装置。

【請求項5】
半導体基板上に、第1の量子ドットと、前記第1の量子ドットを埋め込む第1の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第1の半導体結晶層上に、コンタクト用の第2の量子ドットと、第2の量子ドットを埋め込む第2の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第2の半導体結晶層を所定の条件でアニールして、前記第2の量子ドットの直上にのみナノホールを自己形成するステップと、
前記ナノホールを導電体で埋め込むステップと
を含むことを特徴とする量子半導体装置の製造方法。

【請求項6】
前記アニールは、基板温度450~550℃で、3~10分間行うことを特徴とする請求項5に記載の量子半導体装置の製造方法。

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