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特許情報

発明の名称 遷移元素触媒およびその製造方法、並びに選択的水素添加方法
技術分野 環境/有機化学/無機化学
出願番号 特願2010-137031
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウムまたはレニウムから選択される金属イオンおよびパラジウムイオンを含む溶液を水素ガスと反応させて、前記金属イオンおよび前記パラジウムイオンを還元することによって得られ、
複数の不飽和結合を有する反応対象物の特定の二重結合部を選択的に水素添加することを特徴とする合金触媒。

【請求項2】
白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウムまたはレニウムから選択される金属イオンおよびパラジウムイオンを含む溶液に含浸させた担体を水素ガス中に保持することによって得られる、請求項1に記載の合金触媒。

【請求項3】
前記金属イオンが白金イオンである、請求項1に記載の合金触媒。

【請求項4】
パラジウムイオンを含む溶液を水素ガスと反応させて前記パラジウムイオンを還元すること、および、
白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウムまたはレニウムから選択される金属イオンを含む溶液を、水素ガス中で前記還元されたパラジウムを含む溶液と接触させることによって得られ、
複数の不飽和結合を有する反応対象物の1置換二重結合部または2置換二重結合部を選択的に水素添加することを特徴とする金属触媒。

【請求項5】
前記パラジウムイオンを含む溶液に含浸させた担体を水素ガス中に保持すること、および、
前記金属イオンを含む溶液を含浸させた担体を、水素ガス中で前記還元されたパラジウムを含む溶液に含浸させた担体と接触させることによって得られる、請求項4に記載の金属触媒。

【請求項6】
前記金属イオンが白金イオンである、請求項4に記載の金属触媒。

【請求項7】
パラジウムイオンおよび遷移元素イオンを含む溶液を水素ガスと反応させて前記パラジウムイオンおよび前記遷移元素イオンを還元する工程を含む、複数の不飽和結合を有する反応対象物の特定の二重結合部を選択的に水素添加することを特徴とする遷移元素触媒の製造方法。

【請求項8】
パラジウムイオンおよび遷移元素イオンを含む溶液に含浸させた担体を水素ガス中に保持する工程を含む、請求項7に記載の遷移元素触媒の製造方法。

【請求項9】
パラジウムイオンを含む溶液を水素ガスと反応させて前記パラジウムイオンを還元する工程と、
白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウムまたはレニウムから選択される金属イオンを含む溶液を、水素ガス中で前記還元されたパラジウムを含む溶液と接触させる工程と、
を含む、複数の不飽和結合を有する反応対象物の1置換二重結合部または2置換二重結合部を選択的に水素添加することを特徴とする遷移元素触媒の製造方法。

【請求項10】
前記パラジウムイオンを含む溶液に含浸させた担体を水素ガス中に保持する工程と、
前記金属イオンを含む溶液を含浸させた担体を、水素ガス中で前記還元されたパラジウムを含む溶液に含浸させた担体と接触させる工程と、
を含む、請求項9に記載の遷移元素触媒の製造方法。

【請求項11】
請求項1~3のいずれか1項に記載の遷移元素触媒を、複数の不飽和結合を有する反応対象物を含む溶液中に、水素ガスの存在下で反応させることにより、前記反応対象物の1置換二重結合部または2置換二重結合部を選択的に水素添加するための方法。

【請求項12】
請求項4~6のいずれか1項に記載の遷移元素触媒を、複数の不飽和結合を有する反応対象物を含む溶液中に、水素ガスの存在下で反応させることにより、前記反応対象物の1置換二重結合部または2置換二重結合部を選択的に水素添加するための方法。

発明の名称 MgIn2O4の製造方法およびMgIn2O4材料
技術分野 新エネルギー/省エネルギー, 環境/有機化学/無機化学
出願番号 特願2009-143576
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
MgIn2O4の製造方法であって、
(1)MgCO3およびIn2CO3を、MgCO3とIn2CO3のモル比が1.05:1.0~1.2:1.0の間の範囲になるように混合して、混合物を得るステップと、
(2)前記混合物を800℃~1000℃の温度範囲で、6時間以上焼成して、第1の焼成体を得るステップと、
(3)前記第1の焼成体を、1300℃~1450℃の温度範囲で、12時間~24時間焼成して、MgIn2O4を得るステップと、
を有する製造方法。

【請求項2】
前記ステップ(2)は、前記混合物を850℃~950℃の温度範囲で、6時間~12時間焼成して、第1の焼成体を得るステップであることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。

【請求項3】
前記ステップ(3)は、前記第1の焼成体を、1350℃~1450℃の温度範囲で、12時間~24時間焼成して、MgIn2O4を得るステップであることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。

(以下、詳細は特許公報をご参照ください)

発明の名称 ルシフェラーゼの発光基質
技術分野 環境/有機化学/無機化学, 医工連携/ライフサイエンス
出願番号 特願2008-23396
概要

【要約】

【課題】
ホタルルシフェリン類似構造を有する化合物。より詳細には、天然のホタルルシフェリンとは異なる発光波長で発光する複素環化合物の提供。

【解決手段】
以下の一般式

の複素環化合物。上記一般式において、R1、R2およびR3は、それぞれ独立してHまたはC1-4アルキルであることができる。上記一般式において、XおよびYは、それぞれ独立してC、N、SまたはOであることができる。上記一般式において、「n」として表されたオレフィン鎖部分は、所望の長さに変更することができる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】
以下の一般式Iの複素環化合物またはその塩:

式中、
R1、R2およびR3は、それぞれ独立してHまたはC1-4アルキルであり、
XおよびYは、それぞれ独立してC、N、SまたはOであり、
nは、0、1、2または3である。

【請求項2】
R1、R2およびR3がそれぞれ独立してHまたはC1-4アルキルであり、
XがNであり、
YがSであり、並びに、
nが0、1、2または3である、
請求項1に記載の複素環化合物またはその塩。

【請求項3】
R1およびR2がそれぞれメチルであり、
R3がHであり、
XがNであり、
YがSであり、並びに、
nが0、1、2または3である、
請求項1に記載の複素環化合物またはその塩。

【請求項4】
nが0、1または2である、
請求項1に記載の複素環化合物またはその塩。

【請求項5】
請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物をATPおよびMg2+と共に含む、発光検出のためのキット。

【請求項6】
請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物を発光甲虫ルシフェラーゼと反応させる工程と、該化合物からの発光を検出する工程とことを含む、発光検出方法。

発明の名称 アナターゼ型酸化チタン微粒子及びアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法
技術分野 環境/有機化学/無機化学
出願番号 特願2007-210787
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
バンドギャップEgが、
3.87eV≦Eg≦4.13eV
であることを特徴とするアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項2】
液体中のルチル型酸化チタンからなる原料にパルスレーザー光を照射することにより生成されたことを特徴とする請求項1に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項3】
直径が20nm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項4】
液体中に載置されたルチル型酸化チタン単結晶からなる原料にパルスレーザー光を照射する工程を備え、
前記原料に照射されるレーザーフルエンスfが、
f≧0.25J/cm2
であることを特徴とするアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項5】
レーザーフルエンスfの大きさに基づいて生成されるアナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項4に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項6】
log10Y=a×f+b
a,b:定数
に基づいて、パルスレーザー光1パルスで生成されるチタンイオンの量Yを制御することにより、アナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項5に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項7】
原料と液体の液面との距離Dに基づいて生成されるアナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項4に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。
【請求項8】
log10X=c×D+A
c:定数
A:誤差
に基づいて、単位レーザーフルエンス(=1J/cm2)当たりで生成されるチタンイオンの量Xを制御することにより、アナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項7に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項9】
前記液体は、蒸留水であることを特徴とする請求項4~請求項8のいずれか1項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項10】
前記液体は、アンモニア水であることを特徴とする請求項4~請求項8のいずれか1項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

発明の名称 ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法
技術分野 ものづくり, 環境/有機化学/無機化学
出願番号 特願2007-106493
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
サファイア単結晶を含む基体を、触媒なしで、常圧の炭化水素ガス含有雰囲気中で1000℃以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程を有することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項2】
前記加熱時間は60分以上であることを特徴とする請求項1記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項3】
前記加熱時間経過後、前記炭化水素ガスの供給を停止し、後処理用のガスを供給しつつ温度を徐々に低下させる工程をさらに有することを特徴とする請求項1または2記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項4】
前記炭化水素ガスは、プロパンを含有するガスであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項5】
前記炭化水素ガスに水素ガスを混合することを特徴とする請求項4記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

発明の名称 半導体素子
技術分野 ナノテクノロジー
出願番号 特願2004-249408
概要

【請求項1】
可飽和吸収特性を示す半導体薄膜を有する半導体素子であって、前記半導体薄膜を加圧する加圧手段を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項2】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を0Paより大きく、1GPaより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項3】
前記半導体薄膜は、Be又はCが1×1019cm-3以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項4】
前記半導体薄膜は100nm以上の厚さを有する請求項1記載の半導体素子。

【請求項5】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項6】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸型構造の薄膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体薄膜。

【請求項7】
基板と、該基板上に配置される複数の光入力部と、該複数の光入力部から入力される光に基づいて光の透過、不透過を制御する可飽和吸収特性を示す半導体薄膜と、該半導体薄膜が光を透過した場合に光を外部に導く出力部と、該半導体薄膜を加圧する加圧手段と、を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項8】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を0Paより大きく、1GPaより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項9】
前記半導体薄膜は、Be又はCが1×1019cm-3以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項10】
前記半導体薄膜は100nm以上の厚さを有する請求項7記載の半導体素子。

【請求項11】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項12】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸構造の薄膜であることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

発明の名称 パラジウム触媒を用いた選択的水素添加反応方法
技術分野 環境/有機化学/無機化学, ナノテクノロジー
出願番号 特願2002-33258
概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】

 陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた、導電性支持体上に担持されたパラジウムブラックの存在下、A)炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つと炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合を有する化合物、B)炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つを有する化合物及びC)炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合を有する化合物から成る群より、炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つと炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合とが共存するように選択された化合物若しくはその組み合わせと、水素とを接触させることを特徴とする、当該炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び/又は炭素-炭素三重結合の選択的水素添加反応方法。

【請求項2】

 陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた導電性を含んで成る支持体上に担持されたパラジウムブラックから成る、炭素-炭素三置換二重結合及び炭素-炭素四置換二重結合への水素添加反応を伴うことのない、炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び/又は炭素-炭素三重結合の選択的水素添加反応用触媒。