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発明の名称

光線剣

技術分野

IT, その他

出願番号

特願2005-36548

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
光を照射する光源部を有し、人体の頭部に装着される装着部と、
反射部及びカバー部を有する光線剣本体とを備え、
前記反射部は、棒状で、前記光源部から照射された前記光を入射した方向に反射させ、
前記カバー部は、前記反射部を包周及び保護することを特徴とする光線剣装置。

【請求項2】
前記光線剣本体は、
前記カバー部が物体に接触した状態を検知する検知部と、
前記検知部が検知した事象を示す信号を送信する信号送信部と、
前記信号送信部が送信した前記信号を受信し、前記信号に基づいて効果音を送出する音声送出部
とを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の光線剣装置。

【請求項3】
前記装着部は、前記光源部が照射する前記光を反射して、前記光線剣本体に前記光が照射されるように調整するハーフミラー部を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の光線剣装置。

【請求項4】
前記光線剣本体は、
前記反射部の端部側に配置され、前記人体の手部により把持可能に構成された把持部を備え、
前記反射部を当該反射部の長手方向軸を中心として前記把持部に対して回転させる回転手段、及び前記反射部を振動させる振動手段のうち、少なくともいずれか一方の手段を更に備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光線剣装置。

発明の名称

3次元位置入力装置

技術分野

IT

出願番号

特願2005-3118

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
先端部分に光源を持ち、前記光源が出力する光の消滅及び出現を切り替える手段を有するポインティングデバイスと、
前記ポインティングデバイスの発する前記光が作る楕円または円の平面投影像を映す平面状の投影部と、
前記光源が出力する光の消滅及び出現を切り替える手段により前記光源の光を消滅させることで前記平面投影像が消えたときから一定時間、前記光の消滅及び出現をON/OFF情報として時間的に羅列するシグナルパターンを取得する信号取得部と、
前記シグナルパターンに基づいて複数の入力処理を識別する入力処理識別手段と、
予め登録された異なる複数のシグナルパターンの情報に対応した個別処理を実行する個別処理実行部と、
前記平面投影像を撮影する撮像機器と、
前記撮像機器により撮影された画像から前記平面投影像の特徴量を算出する特徴量算出手段と、
前記特徴量から前記ポインティングデバイスの3次元位置及び回転角を算出する位置算出手段とを具備し、
前記入力処理識別手段は、前記一定時間内に出現した前記シグナルパターンと前記予め登録された異なる複数のシグナルパターンとの一致を判断し、一致した場合は前記個別処理実行部が前記個別処理を実行し、一致しない場合は、前記信号取得部が新たにシグナルパターンを再取得し、前記新たなシグナルパターンと前記予め登録された異なる複数のシグナルパターンとの一致を判断することを特徴とする3次元位置入力装置。

【請求項2】
前記ポインティングデバイスは、光源の光軸を中心に円錐状の光線を発することを特徴とする請求項1に記載の3次元位置入力装置。

【請求項3】
前記ポインティングデバイスは、光源の光軸を通る光線を発生することを特徴とする請求項1または2に記載の3次元位置入力装置。

【請求項4】
前記ポインティングデバイスの発する平面投影像は、1箇所、欠けを生じ、前記位置算出手段は、前記欠けを利用して前記回転角を算出することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の3次元位置入力装置。

【請求項5】
前記ポインティングデバイスは、楕円の周上または円周上に複数の光の点を発生し、前記位置算出手段は、前記複数の光の点のうち、ある光の点に着目して前記回転角を算出することを特徴とする請求項1に記載の3次元位置入力装置。

【請求項6】
前記撮像機器は、前記特徴量算出手段と前記位置算出手段とを具備することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の3次元位置入力装置。

【請求項7】
前記平面状の投影部は、光を感知する機能を具備し、前記ポインティングデバイスの発する前記平面投影像もしくは前記複数の光の点の位置情報を読み取る平面状の光感知器であって、
この光感知器により読み取った前記平面投影像の特徴量もしくは前記複数の光の点の特徴量を算出する特徴量算出手段と、
前記特徴量から前記ポインティングデバイスの3次元位置及び回転角を算出する位置算出手段とを具備することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の3次元位置入力装置。

【請求項8】
前記特徴量は、楕円の中心座標と焦点の座標と長軸の長さと短軸の長さと傾き、または円の中心座標と半径であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の3次元位置入力装置。

発明の名称

結晶粒微細化加工方法

技術分野

ものづくり

出願番号

特願2004-371534

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を冷間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する低ひずみ加工ステップと、
上記低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる温間回復処理ステップと
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、直後の上記温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項2】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を温間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する低ひずみ加工ステップと、
上記低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる温間回復処理ステップと
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、当該低ひずみ加工処理時及び直後の上記温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項3】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を冷間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する第1の低ひずみ加工ステップと、上記第1の低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる第1の温間回復処理ステップとを含む第1の加工サイクルと、
上記金属材料加工素材を温間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する第2の低ひずみ加工ステップと、上記第2の低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる第2の温間回復処理ステップとを含む第2の加工サイクルと、
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記第1及び第2の低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、当該第1及び第2の低ひずみ加工処理時及び直後の上記第1及び第2の温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記第1及び第2の温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項4】
上記温間回復処理ステップの上記加工熱処理温度は、0.5Tm(融点Tmの半分の温度)以下である
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の結晶粒微細化加工方法。

発明の名称

多軸鍛造用圧縮治具

技術分野

ものづくり

出願番号

特願2004-309822

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
下部治具部に対して上部治具部を上下方向に移動させることによって圧縮室内の鍛造試料を圧縮加工する多軸鍛造用圧縮治具であって、
上記下部治具部は、上記上部治具部の上部アンビルを上方から挿脱動作される上記圧縮室と、上記圧縮室の下面に連通する位置から前端面に至るまでの間に形成された通路と、上記通路に挿脱される下部アンビルとを具え、
上記通路に上記下部アンビルを挿入することにより上記下部アンビルの上面によって上記圧縮室の下面を閉塞し、かつ上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部アンビルを上記圧縮室から引き抜いた状態において、上記圧縮室に上記鍛造試料を入れた後上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより上記圧縮室に挿入された上記上部アンビルと上記下部アンビルと上記圧縮室の壁面との間に上記鍛造試料を第1の圧縮軸方向に圧縮加工し、
次に上記下部アンビルを上記通路から引き出した後、上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより上記上部アンビルによって上記加工後の鍛造試料を上記通路に突き落し、
次に当該加工後の鍛造試料を上記通路を介して外部に取り出した後当該通路に上記下部アンビルを挿入すると共に、上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部アンビルを上記圧縮室から引き抜いた状態にし、これにより上記圧縮室に上記加工後の鍛造試料を入れることにより当該加工後の鍛造試料を上記第1の圧縮軸方向とは異なる第2の圧縮軸方向に圧縮加工できるようにする
ことを特徴とする多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項2】
上記上部治具部及び上記下部治具部間に挿脱される圧縮高さ調節板を具え、
該圧縮高さ調節板は、上記上部アンビルによって上記鍛造試料を圧縮加工する際には上記上部治具部及び上記下部治具部間位置に挿入されると共に、当該圧縮加工された上記鍛造試料を上記圧縮室から上記通路に突き落す際には上記上部治具部及び上記下部治具部間位置から引き抜かれる
ことを特徴とする請求項1に記載の多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項3】
下部治具部に対して上部治具部を移動させることによって圧縮室内の鍛造試料を圧縮加工する多軸鍛造用圧縮治具であって、
上記上部治具部は、第1の底面部の一端縁部に、圧縮上面と該圧縮上面に連接する圧縮側面とでなる圧縮凹所を有し、
上記下部治具部は、上記上部治具部の上記第1の底面部に対応する第2の底面部をもつ案内凹所を有し、
上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部治具部を上記案内凹所から引き抜いた状態において、上記案内凹所のうち上記圧縮凹所に対応する位置に上記鍛造試料を入れた後、上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより、上記圧縮凹所の上記圧縮上面及び上記圧縮側面と、上記案内凹所の上記第2の底面部及び当該第2の底面部に連接する側面部とによって上記圧縮室を形成すると共に、上記圧縮凹所の上記圧縮上面によって上記下部治具部の上記第2の底面部との間に上記鍛造試料を第1の圧縮軸方向に圧縮加工し、
次に上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させた後上記上部治具部を上記案内凹所から引き抜いた状態において、上記鍛造試料を上記案内凹所から外部に取り出して入れ直すことにより当該鍛造試料を上記第1の圧縮軸方向とは異なる第2の圧縮軸方向に圧縮加工できるようにする
ことを特徴とする多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項4】
上記案内凹所は、横断面がほぼ多角形形状になるように形成されると共に、上記第2の底面部は上記多角形形状の突出角部の方向に行くに従って深くなるように傾斜することにより、上記案内凹所に入れられる上記鍛造試料を上記突出角部の位置に位置決めし易くする
ことを特徴とする請求項3に記載の多軸鍛造用圧縮治具。

発明の名称

量子ドットの形成方法

技術分野

ナノテクノロジー

出願番号

特願2004-262638

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
GaAs基板の表面に、GaAsバッファ層を成長して形成し、
前記GaAsバッファ層の表面または前記GaAsバッファ層の上層に、GaSbxAs1-x(x=1)層を0.24~1.52ML厚に成長して形成し、
前記GaSbxAs1-x(x=1)層の表面に、InAs量子ドットを成長して自己形成する
ことを特徴とする量子ドットの形成方法。

【請求項2】
前記GaSbxAs1-x(x=1)層は、As-Sb交換反応によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項3】
前記InAs量子ドットは、1.1×1011cm-2以上のドット密度で自己形成されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項4】
前記InAs量子ドットの自己形成ステップにおいて、コアレッセンスの発生が抑制されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項5】
前記InAs量子ドットは、その成長初期において、細線状の2次元島が形成されることを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項6】
GaAs基板の表面に、GaAsバッファ層を成長して形成し、
前記GaAsバッファ層の表面に、GaAsSb混晶バッファ層を成長して形成し、
前記GaAsSb混晶バッファ層上にGaAs層を成長して形成し、
前記GaAs層の表面にInAs量子ドットを、前記基板面内の所定の方向に、正方格子状に自己配列させて形成することを特徴とする量子ドットの形成方法。

【請求項7】
前記InAs量子ドットは、(001)基板面内上の<010>方向に沿って正方格子状に配列することを特徴とする請求項6に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項8】
前記InAs量子ドットは、1×1011cm-2以上のドット密度で正方格子状に自己配列することを特徴とする請求項6に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項9】
前記GaAsSb混晶バッファ層を、As4/Sb4 照射フラックス比3~9で形成することを特徴とする請求項6に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項10】
GaAs基板と、
前記GaAs基板上の活性層と、
前記活性層に電流を注入する電極と
を備え、前記活性層は、
0.24~1.52ML厚のGaSb層と、
前記GaSb層の表面に成長したInAs量子ドットと、
前記InAs量子ドットを埋め込むGaAs埋め込み層と、
を含み、前記InAs量子ドットは、1.1×1011cm-2以上の密度で配置されることを特徴とする量子ドットレーザ。

発明の名称

量子半導体装置およびその製造方法

技術分野

ナノテクノロジー

出願番号

特願2004-244210

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
半導体基板と、
前記半導体基板上に位置する第1の量子ドットと、
前記第1の量子ドットを埋め込む第1の半導体結晶層と、
前記第1の半導体結晶層上に位置するコンタクト用の第2の量子ドットと、
前記第2の量子ドットを埋め込む第2の半導体結晶層と、
前記第2の半導体結晶層において、前記第2の量子ドットに接続する自己形成ナノホール内に形成されるナノホール電極と
を有することを特徴とする量子半導体装置。

【請求項2】
前記ナノホール電極の直径は、20~30nmであることを特徴とする請求項1に記載の量子半導体装置。

【請求項3】
前記第2の半導体結晶層の膜厚は、8~15nmであることを特徴とする請求項1に記載の量子半導体装置。

【請求項4】
前記第1および第2の量子ドットはInAsであり、前記第1および第2の半導体結晶層はGaAsであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の量子半導体装置。

【請求項5】
半導体基板上に、第1の量子ドットと、前記第1の量子ドットを埋め込む第1の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第1の半導体結晶層上に、コンタクト用の第2の量子ドットと、第2の量子ドットを埋め込む第2の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第2の半導体結晶層を所定の条件でアニールして、前記第2の量子ドットの直上にのみナノホールを自己形成するステップと、
前記ナノホールを導電体で埋め込むステップと
を含むことを特徴とする量子半導体装置の製造方法。

【請求項6】
前記アニールは、基板温度450~550℃で、3~10分間行うことを特徴とする請求項5に記載の量子半導体装置の製造方法。

発明の名称

半導体素子

技術分野

ナノテクノロジー

出願番号

特願2004-249408

概要

【請求項1】
可飽和吸収特性を示す半導体薄膜を有する半導体素子であって、前記半導体薄膜を加圧する加圧手段を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項2】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を0Paより大きく、1GPaより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項3】
前記半導体薄膜は、Be又はCが1×1019cm-3以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項4】
前記半導体薄膜は100nm以上の厚さを有する請求項1記載の半導体素子。

【請求項5】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。

【請求項6】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸型構造の薄膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体薄膜。

【請求項7】
基板と、該基板上に配置される複数の光入力部と、該複数の光入力部から入力される光に基づいて光の透過、不透過を制御する可飽和吸収特性を示す半導体薄膜と、該半導体薄膜が光を透過した場合に光を外部に導く出力部と、該半導体薄膜を加圧する加圧手段と、を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項8】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を0Paより大きく、1GPaより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項9】
前記半導体薄膜は、Be又はCが1×1019cm-3以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項10】
前記半導体薄膜は100nm以上の厚さを有する請求項7記載の半導体素子。

【請求項11】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

【請求項12】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸構造の薄膜であることを特徴とする請求項7記載の半導体素子。

発明の名称

静止画像形成方法及びその記録装置

技術分野

IT

出願番号

特願2004-229806

概要

【特許請求の範囲】
【請求項1】
移動する被写体の露光画像を変調用拡散信号によって変調してなる撮像画像データを撮像画像メモリに記憶することにより、移動時の上記被写体の画像成分を上記被写体の移動軌跡に沿って分散させた撮像画像データを得、
上記撮像画像メモリから読み出した上記撮像画像データを上記移動軌跡に沿って上記被写体の移動方向又はその逆方向に移動させながら、復調用拡散信号を用いて再変調することにより、上記分散された画像成分を露光開始点位置又は露光終了点位置に凝縮させてなる静止画像を得る
ことを特徴とする静止画像形成方法。
【請求項2】
移動する被写体の露光画像を変調用拡散信号によって変調してなる撮像画像データを撮像画像メモリに記憶することにより、移動時の上記被写体の画像成分を上記被写体の移動軌跡に沿って分散させた撮像画像データを得る撮像データ変調部と、
上記撮像画像メモリから読み出した上記撮像画像データを上記移動軌跡に沿って上記被写体の移動方向又はその逆方向に移動させながら、復調用拡散信号を用いて再変調することにより、上記分散された画像成分を露光開始点位置又は露光終了点位置に凝縮させてなる静止画像を得る静止画データ復調部と
を具えることを特徴とする静止画記録装置。
【請求項3】
上記変調用拡散信号及び上記復調用拡散信号はチャープ信号又はM系列符号である
ことを特徴とする請求項2に記載の静止画記録装置。
【請求項4】
上記撮像データ変調部は、撮像素子の利得を上記変調用拡散信号によって制御することにより当該変調用拡散信号によって変調された上記撮像画像データを得る
ことを特徴とする請求項2に記載の静止画記録装置。
【請求項5】
上記撮像データ変調部は、撮像素子に上記被写体からの撮像光を通すシャッタ手段の透過率を上記変調用拡散信号によって制御することにより当該変調用拡散信号によって変調された上記撮像画像データを得る
ことを特徴とする請求項2に記載の静止画記録装置。
【請求項6】
上記撮像データ変調部は、上記被写体に対する照明具の照度を上記変調用拡散信号によって制御することにより当該変調用拡散信号によって変調された上記撮像画像データを得る
ことを特徴とする請求項2に記載の静止画記録装置。

発明の名称

設計支援方法

技術分野

IT, ものづくり

出願番号

特願2004-210825

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
コンピュータを用いて実行される次のステップを備えたことを特徴とする設計支援方法:
(1)設計変数範囲と、前記設計変数の入力選好度と、要求性能変数範囲と、前記要求性能の選好度とを設定するための命令を前記コンピュータが受け付けるステップ;
(2)前記コンピュータが、前記設計変数範囲を分割するための命令を受け付けるステップ;
(3)前記分割された設計変数範囲における性能の期待値およびロバスト性を統合的に評価するために、分割された各設計変数範囲について、以下の式に基づいて、前記コンピュータにおける算出手段がPRIを算出するステップ:
PRI=NDPI*NPSI
ここで、
NDPI:正規化されたDPI;
DPI:前記要求性能変数範囲における前記要求性能の選好度(p(x))と、前記設計変数範囲と前記設計変数の入力選好度とから得られる前記要求性能の可能性分布(q(x))とから算出される、性能の期待値;
NPSI:正規化されたPSI;
PSI:前記要求性能の可能性分布(q(x))の精度と安定性とを示す測度
である。

【請求項2】
さらに、コンピュータにより実行される次のステップを備えたことを特徴とする、請求項1記載の設計支援方法;
(4)前記PRIが0である場合には、該当する分割された設計変数範囲を、前記コンピュータにおける計算手段が、設計検討の対象から除外するステップ。

【請求項3】
請求項1における前記可能性分布を算出するために、コンピュータにより実行される次のステップを備えたことを特徴とする可能性分布の算出方法:
(1)前記設計変数の入力選好度が0の場合における、設計対象についての性能値の可能性分布を示す計算モデルを、前記コンピュータの算出手段が算出するステップ;
(2)前記コンピュータにおける算出手段が、任意の入力選好度における設計変数に対応する性能値を、前記計算モデルを用いて内挿により算出することにより、前記可能性分布を取得するステップ。

発明の名称

流動数管理システム、方法、及びプログラム

技術分野

その他

出願番号

特願2004-175932

概要

【特許請求の範囲】
【請求項1】
管理対象における流入量データと流出量データと確定注文データ(先行データ)とを時間に対応するデータとして取得し、次期の確定注文量と今期の確定注文量と今期の流出量とから次期流出量の予測値を算出する予測値算出手段と、
前記流入量データと流出量データを基に各期の在庫量を求め、在庫量に関する総ペナルティー費用が最小となる移動基準在庫量を算出する移動基準在庫量算出手段と、
算出された前記移動基準在庫量が管理状態にあるか否かを管理図によりシンボリックに判定する移動基準在庫量管理手段と、
前記予測値と前記流出量データの累積とから、流出量に関する総ペナルティー費用が最小となる次期流出量を求め、求めた次期流出量を次期の投入量として算定する投入量算定手段と、
算定された前記投入量が管理状態にあるか否かを流動数図表の管理限界線により判定する投入量管理手段と、
前記移動基準在庫量管理手段による判定結果あるいは前記投入量管理手段による判定結果に基づいて、算定された前記投入量の累積が前記管理限界線以下になるように改善する投入量改善手段と
を備えることを特徴とする流動数管理システム。

【請求項2】
前記在庫量に関する総ペナルティー費用及び前記流出量に関する総ペナルティー費用は、次期以降の予測値、現在前後の在庫量及び流出量の変動に応じて変位させること
を特徴とする請求項1に記載の流動数管理システム。

【請求項3】
管理対象における流動数を管理するためにコンピュータを、
前記管理対象における流入量データと流出量データと確定注文データ(先行データ)とを時間に対応するデータとして取得し、次期の確定注文量と今期の確定注文量と今期の流出量とから次期流出量の予測値を算出する予測値算出手段と、
前記流入量データと流出量データを基に各期の在庫量を求め、在庫量に関する総ペナルティー費用が最小となる移動基準在庫量を算出する移動基準在庫量算出手段と、
算出された前記移動基準在庫量が管理状態にあるか否かを管理図によりシンボリックに判定する移動基準在庫量管理手段と、
前記予測値と前記流出量データの累積とから、流出量に関する総ペナルティー費用が最小となる次期流出量を求め、求めた次期流出量を次期の投入量として算定する投入量算定手段と、
算定された前記投入量が管理状態にあるか否かを流動数図表の管理限界線により判定する投入量管理手段と、
前記移動基準在庫量管理手段による判定結果あるいは前記投入量管理手段による判定結果に基づいて、算定された前記投入量の累積が前記管理限界線以下になるように改善する投入量改善手段と
して機能させることを特徴とする前記コンピュータが読み取り可能な流動数管理プログラム。

【請求項4】
予測値算出手段が、管理対象における流入量データと流出量データと確定注文データ(先行データ)とを時間に対応するデータとして取得し、次期の確定注文量と今期の確定注文量と今期の流出量とから次期流出量の予測値を算出するステップと、
移動基準在庫量算出手段が、前記流入量データと流出量データを基に各期の在庫量を求め、在庫量に関する総ペナルティー費用が最小となる移動基準在庫量を算出するステップと、
移動基準在庫量管理手段が、算出された前記移動基準在庫量が管理状態にあるか否かを管理図によりシンボリックに判定するステップと、
投入量算定手段が、前記予測値と前記流出量データの累積とから、流出量に関する総ペナルティー費用が最小となる次期流出量を求め、求めた次期流出量を次期の投入量として算定するステップと、
投入量管理手段が、算定された前記投入量が管理状態にあるか否かを流動数図表の管理限界線により判定するステップと、
投入量改善手段が、前記移動基準在庫量管理手段による判定結果あるいは前記投入量管理手段による判定結果に基づいて、算定された前記投入量の累積が前記管理限界線以下になるように改善するステップと
をコンピュータに実行させることを特徴とする流動数管理方法。

発明の名称

押出加工物の製造方法及び押出加工物

技術分野

ものづくり

出願番号

特願2004-108602

概要

【請求項1】
管形状又は管の一部を長さ方向に切り欠いた形状の周側壁と、この周側壁の内部を長さ方向に仕切るリブとを備えた押出加工物の製造方法であって、押出方向に貫通孔が設けられたマンドレルと、このマンドレルの周囲に配されたダイスとを備えた成形用金型を準備し、前記周側壁を形成するための母材を前記マンドレルと前記ダイスの間の空間内に充填して押出方向に力を付与しつつ前記リブを形成するための被接合材を前記貫通孔を通して押出方向に供給し、前記ダイスの出口又はその付近で前記被接合材の長さ方向両側端部が前記母材の内周部に食い込んで前記母材と接合されるようにしたことを特徴とする押出加工物の製造方法。
【請求項2】
前記被接合材と前記母材が、これらの摩擦により生じる熱で溶着接合されるようにしたことを特徴とする請求項1記載の押出加工物の製造方法。
【請求項3】
前記被接合材と前記母材が同じ材料から成ることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の押出加工物の製造方法。
【請求項4】
前記被接合材の降伏応力又は縦弾性係数が前記母材の降伏応力又は縦弾性係数よりも高いことを特徴とする請求項1記載の押出加工物の製造方法。
【請求項5】
前記マンドレルの先端部形状は、外周部が押出方向に向かって連続的に縮小したテーパ状又は外周部が段状に縮小した段付き状であることを特徴とする請求項1記載の押出加工物の製造方法。
【請求項6】
前記マンドレルの先端部に開口した前記被接合材の供給口の所定の部位と前記ダイスの出口の開口面との押出方向の距離dが、-0.5D≦d≦0.5D(但しDは前記ダイスの出口の内径)の範囲内となるように、前記マンドレルと前記ダイスを組み合わせたことを特徴とする請求項5記載の押出加工物の製造方法。
【請求項7】
前記ダイスの出口の近傍に、前記母材を前記マンドレルの径方向外側へ導くフローガイドが設けられたことを特徴とする請求項5記載の押出加工物の製造方法。
【請求項8】
前記フローガイドは、前記ダイスの出口の周囲に形成された段差部であることを特徴とする請求項7記載の押出加工物の製造方法。
【請求項9】
前記フローガイドは、前記ダイスの出口の周縁部に形成されたテーパ面であることを特徴とする請求項7記載の押出加工物の製造方法。
【請求項10】
前記マンドレルの外周面に沿って前記被接合材の長さ方向両側面に向かって流れる前記母材を、前記マンドレルの先端部に開口した前記被接合材の供給口よりも上流側において前記被接合材の両面から離反する方向に分岐させた後、前記被接合材と前記母材の接合が行われる位置で前記被接合材を両面から挟み込むように合流させる母材誘導部が前記マンドレルに設けられたことを特徴とする請求項1記載の押出加工物の製造方法。
【請求項11】
前記母材誘導部は、前記マンドレルの外周面上に設けられた突起であることを特徴とする請求項10記載の押出加工物の製造方法。
【請求項12】
管形状又は管の一部を長さ方向に切り欠いた形状の周側壁と、この周側壁の内部を長さ方向に仕切るリブとを備えた押出加工物であって、前記リブが前記周側壁とは別体であり、かつ前記リブの長さ方向両側端部が前記周側壁の内周部に食い込んだ状態で前記周側壁と接合されたことを特徴とする押出加工物。
【請求項13】
前記リブの長さ方向両側端部と前記周側壁が溶着接合されたことを特徴とする請求項12記載の押出加工物。
【請求項14】
前記リブと前記周側壁が同じ材料から成ることを特徴とする請求項12又は請求項13記載の押出加工物。
【請求項15】
前記リブの表面に沿って形成される熱交換流体の層流に乱流を生じさせる貫通孔が前記リブに設けられたことを特徴とする請求項12記載の押出加工物。
【請求項16】
前記リブの表面に沿って形成される熱交換流体の層流に乱流を生じさせる凹凸が前記リブに設けられたことを特徴とする請求項12記載の押出加工物。
【請求項17】
前記リブが長さ方向に座屈可能に形成されたことを特徴とする請求項12記載の押出加工物。
【請求項18】
前記リブの長さ方向両側端部が凹凸状に形成されたことを特徴とする請求項12記載の押出加工物。

発明の名称

レーザー光発生装置

技術分野

ものづくり, ナノテクノロジー

出願番号

特願2004-56879

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
単一縦モード波長を出力する、少なくとも2個以上の種光発生手段と、 前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、 前記合成された種光を特定波長に同期させ、該種光毎に生成される周波数純度が良く且つ光強度の高いレーザー光を出力するレーザー光発生手段と、前記レーザー光を予め定める波長別に弁別する弁別手段と、弁別されたレーザー光を電気信号に変換し、予め設定された基準信号と比較して、該電気信号と該基準信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する駆動制御手段と、 を備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

【請求項2】
単一縦モード波長を出力する少なくとも2個以上の種光発生手段と、 前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、 前記合成された種光を特定波長に同期させ、該種光毎に生成される周波数純度が良く且つ光強度の高いレーザー光を出力するレーザー光発生手段と、 前記レーザー光を電気信号に変換する光電変換手段と、前記電気信号を予め定められる周波数の電気信号毎に弁別する電気信号弁別手段と、弁別された電気信号を、予め設定された基準信号と比較して、該基準信号と該電気信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、各前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する駆動制御手段と、前記種光発生手段にレーザー光に重畳させる変調信号を前記種光発生手段に出力する変調信号発生手段と、を備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

【請求項3】
前記種光発生手段に前記補正値を出力する場合は、該種光発生手段毎に前記駆動制御手段を設けることを特徴とする請求項1又は2記載のレーザー光発生装置。

【請求項4】
前記種光発生手段に変調信号を出力する変調信号発生手段を備えることを特徴とする請求項1記載のレーザー光発生装置。

【請求項5】
前記駆動制御手段は、前記基準信号に対する前記電気信号の変位方向と変位量に基づいて補正値を算出し、該補正値を含む補正信号を共振器長に出力することを特徴とする請求項1又は2記載のレーザー光発生装置。

【請求項6】
前記弁別手段は、前記レーザー光発生手段から出力されたレーザー光を波長毎に分光する分光手段と、分光された光を電気信号に変換する光電変換手段を有することを特徴とする請求項1記載のレーザー光発生装置。

【請求項7】
前記種光発生手段毎に前記変調信号発生手段を設けることを特徴とする請求項2記載のレーザー光発生装置。

【請求項8】
単一縦モード波長を出力する、少なくとも2個以上の種光発生手段と、前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、前記合成された種光をもとに光ソリトン列を形成する非線形媒質と、前記非線形媒質から出力されたレーザー光をパワーオシレーターの増幅周波数領域に一致させるための高調波発生手段と、光ソリトン又はその高調波を特定波長に同期させ高出力化された光ソリトン列を発生させるレーザー光発生手段と、該レーザー光を予め定められる波長別に弁別する弁別手段と、弁別されたレーザー光を電気信号に変換する光電変換手段と、該電気信号と予め設定された基準信号と比較して、該電気信号と該基準信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又はレーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する手段とを備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

※以下、詳細は特許公報をご参照ください。

発明の名称

コンピュータを用いた連携作業システム

技術分野

IT, ものづくり

出願番号

特願2003-514429

概要

特許請求の範囲】

【請求項1】
ネットワークにより接続された複数のコンピュータを用いてソリッドモデルの共有を行うための連携作業システムであって、前記複数のコンピュータは、ラッパー部とカーネル部とを備え、前記ラッパー部は、メッセージオブジェクトを受け取ると、このメッセージオブジェクトに基づいて、前記カーネル部におけるコマンドを特定して、当該コンピュータの前記カーネル部において実行させることにより、当該コンピュータでソリッドモデルを生成する構成となっており、 前記メッセージオブジェクトには、前記ソリッドモデルを生成するための前記コマンドを特定するための情報が含まれており、この情報は、前記カーネル部の種類に依存しない内容となっており、 前記メッセージオブジェクトには、さらに、前記コマンドにおける引数の情報が含まれていることを特徴とする、連携作業システム。

【請求項2】
前記メッセージオブジェクトは、前記ネットワークを介して他のコンピュータから送られたものであることを特徴とする請求項1記載の連携作業システム。

【請求項3】
前記メッセージオブジェクトは、前記ラッパー部を有するコンピュータ自身によって生成されたものであることを特徴とする請求項1又は2記載の連携作業システム。

【請求項4】
さらにエージェント部を有し、前記エージェント部は、他のコンピュータから受け取ったメッセージオブジェクトに形状情報が含まれている場合には、前記メッセージオブジェクトを前記ラッパー部に送る構成となっていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の連携作業システム。

【請求項5】
さらにエージェント部を有し、前記エージェント部は、自らのコンピュータにおいて生成したメッセージオブジェクトに形状情報が含まれている場合には、前記メッセージオブジェクトを前記ネットワーク経由で他のコンピュータに送る構成となっていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の連携作業システム。

【請求項6】
前記エージェント部は、前記メッセージオブジェクトに形状情報が含まれていない場合には、前記メッセージオブジェクトに含まれる非形状情報に基づいて、前記メッセージオブジェクトを他のコンピュータに送るか否かの判断を行う構成となっていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項記載の連携作業システム。

【請求項7】
さらにエージェント部とユーザインタフェース部とを有し、前記エージェント部は、前記ユーザインタフェース部からの入力に基づいて前記メッセージオブジェクトを生成する構成となっていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の連携作業システム。

【請求項8】
請求項1~7のいずれか1項記載の連携作業システムにおける前記コンピュータ。

【請求項9】
請求項1~7のいずれか1項記載の連携作業システムにおける前記ラッパー部。

【請求項10】
請求項4~7のいずれか1項記載の連携作業システムにおける前記エージェント部。

【請求項11】
ネットワークにより接続された複数のコンピュータを用いてソリッドモデルの共有を行うための連携作業方法であって、前記コンピュータは、メッセージオブジェクトを受け取ると、このメッセージオブジェクトに基づいてコマンドを特定し、このコマンドを当該コンピュータにおいて実行することにより、当該コンピュータでソリッドモデルを生成する構成となっており、 前記メッセージオブジェクトには、前記ソリッドモデルを生成するための前記コマンドを特定するための情報が含まれており、この情報は、前記カーネル部の種類に依存しない内容となっており、 前記メッセージオブジェクトには、さらに、前記コマンドにおける引数の情報が含まれていることを特徴とする連携作業方法。

【請求項12】
請求項1~7記載の連携作業システム、請求項8記載のコンピュータ、請求項9記載のラッパー部または請求項10記載のエージェント部のいずれかをコンピュータにより構成させるための、コンピュータにより実行可能なプログラム。

【請求項13】
請求項11記載の連携作業方法をコンピュータにより実行させるための、コンピュータによる利用または読み取り可能なプログラム。

発明の名称

流量測定方法およびそれに用いる測定装置

技術分野

ものづくり

出願番号

特願2004-043386

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
次のステップを含むことを特徴とする流量測定方法:
(1)流路内を流れる流体を加熱または冷却するステップ;
(2)前記流体を加熱または冷却した位置よりも下流側において、前記流体に対して光を照射するステップ;
(3)前記流体における前記光の吸光度スペクトルを検出するステップ;
(4)前記吸光度スペクトルにおける、波長方向でのピーク位置の変動に基づいて、前記加熱または冷却された流体の到着時点を検出し、この到着時点を用いて、既定の位置から前記光の吸光度スペクトルを検出した位置まで前記流体が到達するまでの所要時間を算出することにより、前記流体の流量を検出するステップ。

【請求項2】
次のステップを含むことを特徴とする流量測定方法:
(1)流路内を流れる流体を加熱または冷却するステップ;
(2)前記流体を加熱または冷却した位置よりも下流側において、前記流体に対して複数の位置で光を照射するステップ;
(3)前記複数の位置において、前記流体における前記光の吸光度スペクトルを検出するステップ;
(4)前記複数の位置における前記吸光度スペクトルの、波長方向でのピーク位置の変動に基づいて、前記加熱または冷却された流体が前記複数の位置を順次通過するための所要時間を求め、この所要時間に基づいて前記流体の流量を検出するステップ。

【請求項3】
前記加熱又は冷却された流体の到着時点の検出は、前記波長方向でのピーク位置の変動と前記流体の温度変化量との関係を示す、予め取得された検量線に基づいて行われることを特徴とする請求項1に記載の流量測定方法。

【請求項4】
前記流体は、水を含む液体であり、前記流体に照射される光の波長帯域は、1400~1500nmの帯域を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の流量測定方法。

【請求項5】
前記流体は、水を含む液体であり、前記流体に照射される光の波長帯域は、1414nmまたは1463nm付近の帯域を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の流量測定方法。

【請求項6】
前記流体は、水を含む液体であり、
前記流体に照射される光の波長帯域は、1414nmおよび1463nm付近の帯域を含んでおり、
前記波長方向でのピーク位置の変動は、1414nm付近での波長における出力の差分と、1463nm付近での波長における出力の差分を用いて判定される
ことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の流量測定方法。

【請求項7】
前記流体の加熱は、透過光強度が入射光強度の約30~80%である波長を有する光によって行われることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項記載の流量測定方法。

【請求項8】
流路と、温度変化部と、検出部とを備えており、前記流路は、その内部における流体の移動を許容するものであり、前記温度変化部は、前記流路内を流れる流体を加熱または冷却するものであり、前記検出部は、前記流体の流れ方向において、前記温度変化部よりも下流側に配置されており、さらに、前記検出部は、発光部と受光部と解析部とを備えており、前記受光部は、前記発光部において発せられ、かつ、前記流体を通過または拡散反射した光を受光するものであり、前記解析部は、前記受光部で受光した光の吸光度スペクトルにおける、波長方向でのピーク位置の変動に基づいて、前記加熱または冷却された流体の到着時点を解析し、この到着時点を用いて、既定の位置から前記光の照射位置まで前記流体が到達するための所要時間を算出するものであることを特徴とする流量測定装置。

【請求項9】
前記流体は、水を含む液体であり、
前記発光部は、1400~1500nmの波長帯域を含む光を前記流体に照射するものであることを特徴とする請求項8に記載の流量測定装置。

【請求項10】
前記発光部から前記流体に照射される光の波長帯域は、1414nmまたは1463nm付近の帯域を含むことを特徴とする請求項8に記載の流量測定装置。

【請求項11】
前記流体は、水を含む液体であり、
前記発光部から前記流体に照射される光の波長帯域は、1414nmおよび1463nm付近の帯域を含んでおり、
前記解析部は、1414nm付近でのピークの波長における出力の差分と、1463nm付近でのピークの波長における出力の差分を用いて、前記加熱または冷却された流体の到達時点を解析するものであることを特徴とする請求項8に記載の流量測定装置。

発明の名称

熱可塑性樹脂の溶着方法

技術分野

ものづくり

出願番号

PCT/JP02/11600

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
ともに赤外線吸収性の少なくとも2個の熱可塑性樹脂成形体を互いに接触配置して、一方の樹脂成形体側から赤外線を照射するに際して、樹脂成形体の接触部の温度をTiとし、赤外線照射側の赤外線照射側表面温度をTsとし、最も低い軟化温度を有する樹脂成形体の軟化温度をTmとし、赤外線を照射する側の樹脂成形体の軟化温度をTmaとしたときに下記の条件
(数1)
Ts<Tma (i)
Ti>Tm (ii)
を満足するように照射条件を設定し、かつ赤外線照射側樹脂成形体の表面側に液体または固体である放熱材を接触配置することを特徴とする熱可塑性樹脂成形体の溶着方法。

【請求項2】
放熱材がない場合の赤外線照射側樹脂成形体の赤外線照射側表面温度をTs2とし、放熱材がない場合の核樹脂成形体の温度をTi2とし、最も低い軟化温度を有する樹脂成形体の軟化温度をTmとして赤外線を照射する側の樹脂成形体の軟化温度をTmaとしたときに、下記の条件
(数2)
Ts2>Ti2≧Tm (III)
を満足するように照射を行うことを特徴とする請求項1に記載の方法。

【請求項3】
放熱材が固体状の赤外線透過部を有していることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。

【請求項4】
放熱材の熱伝導度が27℃において1OW/m・℃であることを特徴とする請求項3に記載の方法。

【請求項5】
赤外線が炭酸ガスレーザーであることを特徴とする請求項1~4のいずれかひとつに記載の方法。

発明の名称

高調波処理回路およびそれを用いた増幅回路

技術分野

ものづくり

出願番号

特願2002-034513

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】
増幅用トランジスタの出力端子と負荷抵抗との間に接続されて、前記トランジスタの出力端子に現れる高調波を処理するための回路であって、前記増幅用トランジスタの出力が入力され、かつ、前記増幅用トランジスタの出力における基本波の波長(λ)の1/4の長さを有する第1伝送線路と、前記第1伝送線路の出力端子に互いに並列に接続された複数の第1スタブとを有し、
前記複数の第1スタブは、
L=λ/4m (ただし、m=2,3,4,…,n)
で表される伝送線路長Lを各々有しており、
かつ、
m'=pk (ただし、pは3以上の奇数、kは、前記mのうちで現に設けられている第1スタブにおけるm)で表されるm'に対応する伝送線路長を有する前記第1スタブのいずれかまたはすべての設置は省略されており、 さらに合成補償スタブを備え、前記合成補償スタブは、前記第1伝送線路の出力端子に接続されており、基本波に対する前記合成補償スタブのアドミタンスは、前記第1スタブの合成入力アドミタンスと大きさが等しくかつ逆符号とされていることを特徴とする高調波処理回路。

【請求項2】
前記合成補償スタブは、先端開放であることを特徴とする請求項1記載の高調波処理回路。

【請求項3】
前記合成補償スタブは、先端短絡であることを特徴とする請求項1記載の高調波処理回路。

【請求項4】
前記第1の伝送線路の出力端子と前記負荷抵抗との間に接続され、かつ、前記基本波の波長(λ)の1/4の長さを有する第2伝送線路をさらに備えたことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の高調波処理回路。

【請求項5】
前記増幅用トランジスタに代えて、負性抵抗2端子増幅素子が用いられていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項記載の高調波処理回路。

【請求項6】
増幅用トランジスタの出力端子と負荷抵抗との間に接続されて、前記トランジスタの出力端子に現れる高調波を処理するための回路であって、前記増幅用トランジスタの出力が入力される入力端子と、前記増幅用トランジスタの出力における基本波の波長(λ)の1/4の長さを有する第1伝送線路と、前記第1の伝送線路の出力端子に互いに並列に接続された複数の第1スタブとを有し、
前記複数の第1スタブは、
L=λ/4m (ただし、m=2,3,4,…,n)
で表される伝送線路長Lを各々有するものであり、
さらに合成補償スタブを備え、前記合成補償スタブは、前記第1伝送線路の出力端子に接続されており、基本波に対する前記合成補償スタブのアドミタンスは、前記第1スタブの合成入力アドミタンスと大きさが等しくかつ逆符号とされていることを特徴とする高調波処理回路。

【請求項7】
前記合成補償スタブに代えて、前記第1の伝送線路の出力端子に接続され、かつ、前記第1スタブの合成入力アドミタンスと大きさが等しくかつ逆符号であるリアクタンス素子を有することを特徴とする請求項1に記載の高調波処理回路。

【請求項8】
請求項1~7のいずれか1項に記載の高調波処理回路における前記第1の伝送線路の入力端子が、前記増幅用トランジスタの出力端子に接続されていることを特徴とする増幅回路。

発明の名称

パラジウム触媒を用いた選択的水素添加反応方法

技術分野

環境/有機化学/無機化学, ナノテクノロジー

出願番号

特願2002-33258

概要

【特許請求の範囲】

【請求項1】

 陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた、導電性支持体上に担持されたパラジウムブラックの存在下、A)炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つと炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合を有する化合物、B)炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つを有する化合物及びC)炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合を有する化合物から成る群より、炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び炭素-炭素三重結合から選ばれた少なくとも1つと炭素-炭素三置換二重結合及び/又は炭素-炭素四置換二重結合とが共存するように選択された化合物若しくはその組み合わせと、水素とを接触させることを特徴とする、当該炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び/又は炭素-炭素三重結合の選択的水素添加反応方法。

【請求項2】

 陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた導電性を含んで成る支持体上に担持されたパラジウムブラックから成る、炭素-炭素三置換二重結合及び炭素-炭素四置換二重結合への水素添加反応を伴うことのない、炭素-炭素一置換二重結合、炭素-炭素二置換二重結合及び/又は炭素-炭素三重結合の選択的水素添加反応用触媒。

発明の名称

樹脂成型品の分子配向除去方法と装置

技術分野

ものづくり

出願番号

樹脂成形品の分子配向除去方法と装置 特願2001-076181

概要

【要約】

【課題】樹脂成形品において加熱による残留分子配向の除去を短時間で行い、高い処理効率で製品の表面平坦度を向上させる。

【解決手段】成形品金型1の一部に少なくとも1個の赤外線透過窓3を形成し、該透過窓3にその表面が対面するごとくに樹脂成形品Pを金型1内に挿入してその姿勢を固定し、該透過窓を指向するごとくに少なくとも1個の赤外線照射源を配置して、該照射源から透過窓を介して成形品の表面に赤外線を照射する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】 一部に少なくとも1個の赤外線透過窓を形成した成形品金型を用意し、該透過窓にその表面が対面するごとくに樹脂成形品を金型内に挿入してその姿勢を固定し、該透過窓を介して成形品の表面に赤外線を照射することを特徴とする樹脂成形品の分子配向除去方法。

【請求項2】 樹脂成形品の片面に赤外線を照射することを特徴とする請求項1に記載の方法。

【請求項3】 樹脂成形品の両面に赤外線を照射することを特徴とする請求項1に記載の方法。

【請求項4】 被照射面中心が成形品材料の変形温度以上となる温度まで赤外線照射を行うことを特徴とする請求項1~3のいずれかひとつに記載の方法。

【請求項5】 挿入されるべき成形品の表面に対応する部位に形成された少なくとも1個の赤外線透過材料からなる透過窓を有した金型と該透過窓を指向する少なくとも1個の赤外線照射源を有することを特徴とする樹脂成形品の分子配向除去装置。