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開放特許情報

特許情報

発明の名称 アナログ-ディジタル変換素子
技術分野 IT
出願日 平成20年2月1日
出願番号 特願2008-22807
公開番号 特開2009-182306
登録番号 特許第5388002号
出願人 国立大学法人 電気通信大学
発明者 水柿 義直
滝口 将志
河合 章生
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概要 【要約】

【課題】
単一電子トランジスタアナログ/ディジタル変換素子を実現する。

【解決手段】
本発明によれば、単一電子トランジスタ部のゲート側の伝導島に、結合用コンデンサを介して微小絶縁層を挟むように一対の導電層を接合したゲート電極側接合部の伝導島を接続し、入力電圧の変化に応じてゲート電極側接合部の微小絶縁層にトンネル動作を生じさせることによって伝導島を介して結合コンデンサに電荷を分配し、当該結合コンデンサの電荷量aの変化に基づいて単一電子トランジスタ部をトンネル動作させることにより、アナログ入力電圧から離散的なレベル変化をするディジタル出力を得ることができるアナログ-ディジタル変換素子を実現できる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】
ドレイン電極側接合部とソース電極側接合部との接続部分に第1の伝導島を形成してなる単一電子トランジスタ部と、
微小絶縁層を挟むように一対の導電層を接合したゲート電極側接合部を有し、上記一対の導電層の一方に入力電圧を受けると共に他方を第2の伝導島に接続してなる量子化器部と、
上記量子化器部の上記第2の伝導島と上記単一電子トランジスタ部の上記第1の伝導島とを結合する結合用コンデンサと
を具えることを特徴とするアナログ-ディジタル変換素子。

【請求項2】
上記量子化器部の上記第2の伝導島の浮遊容量により形成された入力側容量の容量値と、上記結合用コンデンサの容量値とを等しい値に選定した
ことを特徴とする請求項1に記載のアナログ-ディジタル変換素子。

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